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  • 本发明提供了一种弧判断电路及弧判断方法、灭弧方法,涉及溅射镀膜技术领域。弧判断电路包括依次通信连接的采样电路、比较电路和控制器;所述采样电路用于采集溅射镀膜设备的溅射电源输出的电信号;所述比较电路用于分别对所述电信号与不同电平基准信号进行比...
  • 本发明公开了一种变压器局部放电动态模拟电极及模拟试验装置,包括电极本体,其端部延伸形成锥刺部,锥刺部横截面尺寸从与电极本体的衔接处向着端部逐渐减小直至构成尖端;位于锥刺部处的电极本体密封套设有弧顶件,弧顶件与锥刺部外壁面之间构成密封的空腔,...
  • 本发明涉及半导体技术领域,公开了一种塑封半导体元器件绝缘测试装置,包括底座和转动安装在底座上的载物圆台,所述载物圆台上开设有工位,工位内设有用于承载半导体元器件的放置台以及转动安装在放置台上的定位角块,所述载物圆台内还设置有驱动放置台移动的...
  • 本发明公开了一种检测电路及检测方法、功率半导体开关器件,功率半导体开关器件包括主开关器件,主开关器件包括:第一通路端、第二通路端和第一通路开关控制端;检测电路包括:感应开关器件,感应开关器件与主开关器件设置于相同的衬底上;感应开关器件包括:...
  • 本发明提供一种即使在内部的空间有限的情况下也能够提高隔热性的接口装置及自动测试装置。接口装置(200)设置在测试头(130)与被测试器件(1)之间。接口装置(200)具备印制基板、前端模块(300)、连接构件(290)、框架、配管(500)...
  • 本发明涉及一种用于实时加电性能测试的限制型半导体器件及其制备方法,包括支撑底座、底电极、半导体材料层、顶电极和介质层,所述底电极位于所述支撑底座上方;所述半导体材料层位于所述底电极上方;所述顶电极位于所述半导体材料层上方;在所述底电极、半导...
  • 本发明提供了一种半导体器件的可靠性筛选方法,包括:提供半导体器件;在LDO输出的标准电压的基础上,降低LDO的输出电压,在标准时钟频率的基础上,降低时钟的频率,对弱擦的半导体器件依次进行擦除操作、写操作和读操作,筛选出不符合规格的半导体器件...
  • 一种界面态测试方法及可靠性测试方法,属于功率器件测试技术领域,所述界面态测试方法,包括如下步骤:对待测器件的栅极按时序施加若干簇脉冲电压,获取每一簇脉冲对应的电荷泵电流;根据每一簇脉冲对应的电荷泵电流,获得待测器件的电荷泵曲线;根据待测器件...
  • 本发明提供了一种基于芯片非均匀性效应的筛选方法,它包括以下步骤:获取晶圆探针测试数据,并建立与晶圆芯片空间分布对应的坐标系;对得到的晶圆探针测试数据进行环形分组统计,通过分析分组统计结果识别晶圆是否存在径向效应或边缘效应;若判定晶圆不存在径...
  • 本发明涉及气体检测技术领域,具体涉及一种半导体传感器故障检测保护电路及方法,其中,电路包括处理器、传感器、控制及采集模块以及电源模块,控制及采集模块包括加热极采集端、加热极控制端以及内部半导体采集端,加热极采集端与处理器电连接,用于向理器传...
  • 本发明提供了一种IGBT的在线状态监测方法、系统、设备及介质,属于绝缘栅双极晶体管在线状态监测与寿命预测技术领域,该方法包括:首先从数据预处理后的IGBT电压、电流等信号中提取多种时域特征,并通过相关性分析和核主成分分析将其融合为一个综合健...
  • 一种融合低频噪声与电容特性的界面缺陷程度表征方法,涉及半导体器件检测技术领域,解决现有界面缺陷表征方法灵敏度不足、易受外部干扰等问题。该方法通过提取待测器件的界面缺陷相关的噪声特征参数,实现基于低频噪声的界面缺陷表征。同时,通过使用C‑V扫...
  • 本申请公开了一种开关模块测试系统、方法、车辆及存储介质。其中,该系统包括:温控箱,用于模拟待测试开关模块所需的测试环境,待测试开关模块位于温控箱内;介质控制模块,与温控箱连接,用于向温控箱内输入不同类型的气体介质;工况控制模块,与温控箱连接...
  • 本发明公开了加速管全流程自动化可靠性测试系统及装置,涉及高功率微波器件测试技术领域,具体包括以下模块:控制测试模块、硬件控制模块、采集处理模块、业务逻辑模块、数据持久模块、用户表现模块;编写并执行加速管的可靠性自动化测试脚本;接收并执行硬件...
  • 本发明提供了一种基于纳米探针测试分析的物理失效性分析方法,适用于场效应管,包括:进行两遍纳米探针测试,每遍纳米探针测试包括两组或以上组的测试组;第一遍纳米探针测试中,一组测试组在栅极施加零电压,其余测试组在栅极全部施加负电压或全部施加正电压...
  • 本申请提供了一种基于导通压降和结壳热阻的压接式IGBT老化评估方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。方法包括:通过导通压降测量电路获取压接式IGBT的导通压降数据;获取压接式IGBT的导通电流数据,基于导通电流数据和导通压降数据...
  • 本发明涉及半导体器件的测试及其测试探针技术领域,具体涉及一种半导体器件测试探针及其半导体器件测试方法。本发明首先在每个测试监测时刻,获取测试探针的接触稳定系数,进一步确定其预设历史测试时段内每种异常接触类型下的所有异常接触时刻,进而根据异常...
  • 本发明涉及功率半导体器件的状态监测技术领域,公开了一种功率器件导通压降的监测电路,包括:退饱和检测电路、最大值保持电路及监测控制电路,其中,退饱和检测电路用于当功率器件导通后,输出跟随功率器件导通压降的检测电压;监测控制电路用于基于监测控制...
  • 本公开涉及测试互连件。描述了测试互连系统和方法。在一个示例中,测试互连件包括容纳一个或多个可压缩探针的至少一部分的外壳结构。测试互连件还包括相对于负载板保持一个或多个可压缩探针的盖板,以及具有一个或多个导电平面的电路板,所述一个或多个导电平...
  • 本申请涉及一种芯片故障检测方法、装置、设备、介质和产品,其中方法包括:基于待检测芯片的基准红外热图像和红外热图像序列,获取红外热图像差值序列;基准红外热图像是在待检测芯片未通电情况下采集的,红外热图像序列是在待检测芯片上电激励情况下采集的;...
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