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最新专利技术
  • 一种大光敏面2.5D芯片堆叠的微型激光告警光电探测模块及其制造方法
    一种大光敏面2.5D芯片堆叠的微型激光告警光电探测模块及其制造方法_中国电子科技集团公司第四十四研究所_202511900707.2
    本申请提供一种大光敏面2.5D芯片堆叠的微型激光告警光电探测模块及其制造方法，该探测模块包括管座、陶瓷电路、放大器芯片、硅基板、光电探测器芯片及管帽，通过管座与管帽对光电探测模块进行封装，硅基板通过陶瓷电路与管座电连接，陶瓷电路上设置有多个...
    2026-03-21
  • 光学装置
    光学装置_日月光半导体制造股份有限公司_202511856689.2
    本发明提供一种光学装置，其包括载体、光源、裸片、光导引结构和反射结构。所述载体具有表面。所述光源安置于所述表面上且被配置成发射光束。所述裸片安置于所述表面上且被配置成感测所述光束。所述光导引结构安置于所述表面上且被配置成导引所述光束。所述光...
    2026-03-21
  • 一种光电耦合器制造方法及光电耦合器
    一种光电耦合器制造方法及光电耦合器_深圳市聚飞光电股份有限公司_202511760050.4
    本申请提供一种光电耦合器制造方法及光电耦合器，属于光电耦合器制造技术领域，光电耦合器制造方法中，通过第一封装胶封装发光器件形成发射模块，在所述发射模块表面形成出光面；通过第二封装胶封装接收器件形成接收模块，在所述接收模块表面形成入光面；将所...
    2026-03-21
  • 能带工程改善半透明硫化锑太阳能电池的方法
    能带工程改善半透明硫化锑太阳能电池的方法_天津工业大学_202411189777.7
    本发明主要研究利用后硒化的方法来改善硫化锑太阳能电池的能带排列。首先，选取适当的原材料和溶剂，利用半水酒石酸锑钾、五水合硫代硫酸钠作为Sb、S的前驱体材料，采用水热沉积法制备硫化锑薄膜。对硫化锑薄膜表面再进行能带工程处理。研究能带工程处理对...
    2026-03-21
  • 一种以DMAC为辅助溶剂用于制备半透明Sb2S3太阳能电池的水热沉积法
    一种以DMAC为辅助溶剂用于制备半透明Sb2S3太阳能电池的水热沉积法_天津工业大学_202411189963.0
    本发明提供一种在硫化锑薄膜水热沉积的前驱体溶液中添加N，N‑二甲基乙酰胺(DMAC)这一辅助溶剂来调节沉积速率，从而优化薄膜厚度、改善薄膜形貌、提高结晶度并降低薄膜的缺陷密度，以此来提高器件性能。所述硫化锑太阳能电池包括：导电衬底(包括FT...
    2026-03-21
  • 一种TOPCon电池的钝化方法
    一种TOPCon电池的钝化方法_宜宾英发德耀科技有限公司_202411194285.7
    本发明涉及太阳能电池技术领域，提出了一种TOPCon电池的钝化方法。一种TOPCon电池的钝化方法，包括如下步骤：S1、将背面抛光后的硅片沉积隧穿氧化层；S2、再在隧穿氧化层上形成第一poly层；S3、在第一poly层上形成第一氧化层；S4...
    2026-03-21
  • 一种太阳能电池栅线制备工艺及太阳能电池
    一种太阳能电池栅线制备工艺及太阳能电池_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202411215704.0
    本发明适用于太阳能电池技术领域，提供一种太阳能电池栅线制备工艺及太阳能电池，太阳能电池栅线制备工艺包括以下步骤：提供电池基片；在电池基片待制备栅线的表面制备种子层；在种子层上电镀形成整面的金属层；在金属层上制备图案化掩膜，图案化掩膜具有与非...
    2026-03-21
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202411252613.4
    本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：SOI衬底，所述SOI衬底包括顶硅层，所述顶硅层包括探测器区域，所述探测器区域包括第一区域、包围所述第一区域的第二区域以及包围所述第二区域的第三区域；探测器通孔，位于所述探测器区域的顶硅...
    2026-03-21
  • 在扇出再分布层中制作外围壁结构的半导体器件和方法
    在扇出再分布层中制作外围壁结构的半导体器件和方法_星科金朋私人有限公司_202511214676.5
    在扇出再分布层中制作外围壁结构的半导体器件和方法。一种半导体器件具有堆积互连结构。穿过堆积互连结构形成开口。在开口周围形成外围壁结构。在堆积互连结构上方设置光子半导体管芯，其中光子半导体管芯的光子电路与开口对准。在外围壁结构上方的堆积互连结...
    2026-03-21
  • 纳米晶体和光电器件的化学处理辅助的纳米打印
    纳米晶体和光电器件的化学处理辅助的纳米打印_香港大学_202511226991.X
    一种用于组装纳米晶体(NC)亚微米结构的方法涉及将用配体制备的NC核材料分散在非极性溶剂中以形成油墨。使用电流体动力过程打印所述油墨，其中喷墨打印机在喷嘴尖端与基材之间施加高电压，因此所述油墨以超小液滴的形式从喷嘴的尖端处的弯液面喷射。在喷...
    2026-03-21
  • TOPCon光伏电池及其制备方法
    TOPCon光伏电池及其制备方法_润马光能科技(金华)有限公司_202511583866.4
    本申请公开了一种TOPCon光伏电池及其制备方法，涉及光伏电池技术领域；LPCVD炉为管式扩散炉，LPCVD炉设有炉口区、炉中区和炉尾区；炉口区、炉中区和炉尾区分别设置有反应气体出气口；方法包括：在LPCVD炉的沉积腔室内，采用n步骤沉积工...
    2026-03-21
  • 一种跳线焊接机及焊接方法
    一种跳线焊接机及焊接方法_杭州康奋威科技股份有限公司_202511706215.X
    本发明涉及一种跳线焊接机及焊接方法，跳线焊接机包括：机架，其上水平设有纠偏焊接区；上料机构，用于将玻璃板及电池串运输至纠偏焊接区；跳线备料机构，用于将对应电池串长度的跳线沿玻璃板长边方向放置；跳线上料机构，用于将跳线备料机构处的跳线搬运至已...
    2026-03-21
  • 一种光伏电池串排汇机
    一种光伏电池串排汇机_杭州康奋威科技股份有限公司_202511706729.5
    本发明涉及一种光伏电池串排汇机，包括机架及设于机架上的电池串上料机构、搬运排版机构、焊接机构及运输机构；机架沿第一方向依次设置有上料区、排版区及焊接区；运输机构沿第一方向贯穿上料区、排版区及焊接区；电池串上料机构位于运输机构上方，用于沿第一...
    2026-03-21
  • 一种背接触太阳能电池烧结与光注入一体化处理方法
    一种背接触太阳能电池烧结与光注入一体化处理方法_平煤隆基新能源科技有限公司_202511776148.9
    本发明涉及晶硅太阳能电池制造技术领域，尤其涉及一种背接触太阳能电池烧结与光注入一体化处理方法，该方法在烧结光注入一体炉中进行，包括如下步骤：步骤S1)烧结：将印刷有金属浆料的电池片传送通过具有温度梯度的烧结区域，进行烘干和高温烧结，使所述金...
    2026-03-21
  • 利用掩膜制备薄膜太阳能电池的方法及薄膜太阳能电池
    利用掩膜制备薄膜太阳能电池的方法及薄膜太阳能电池_苏州方昇光电股份有限公司_202511802871.X
    利用掩膜制备薄膜太阳能电池的方法及薄膜太阳能电池，其中利用掩膜制备薄膜太阳能电池的方法，包括：在基板的上表面设置P1划线位，P1划线位掩膜遮盖P1划线位；在基板的上表面设置ITO层；去除P1划线位掩膜；在ITO层背向基板的一侧上设置P2划线...
    2026-03-21
  • 晶硅BC电池制绒添加剂及其制绒方法
    晶硅BC电池制绒添加剂及其制绒方法_浙江硅一新能源科技有限公司_202511830724.3
    本发明公开了一种晶硅BC电池制绒添加剂及制绒方法，属于晶硅电池技术领域。所述制绒添加剂按重量百分比包括：脱泡剂 0.1‑5%、强成核剂 0.2‑2.0%、表面活性剂 0.2‑0.8%、促进剂 0.1‑0.5%、稳定剂 0.01‑0.5%、强...
    2026-03-21
  • 一种氮化锌锡同质结的制备方法
    一种氮化锌锡同质结的制备方法_深圳大学_202511853715.6
    本发明公开了一种ZnSnN2同质结及其制备方法，其中，所述方法包括步骤：在流动的氮气及氩气气氛中，50℃环境下，将Zn：Sn＝3：1的锌锡合金靶通过射频溅射法沉积在衬底上，即得到ZnSnN2薄膜。在流动的氮气和氩气气氛中，在室温环境中，对Z...
    2026-03-21
  • 一种太阳能电池片边缘钝化设备及钝化方法
    一种太阳能电池片边缘钝化设备及钝化方法_湖南红太阳光电科技有限公司_202511859299.0
    本发明公开了一种太阳能电池片边缘钝化设备及钝化方法，钝化设备包括嵌套设置的外腔体和内腔体，以及设置在内腔体中、用于夹持电池片的片夹载具，外腔体上设有抽气口和进气口；内腔体的外周环绕设置线圈，线圈通过贯穿外腔体底部的RF馈入电极与外部射频电源...
    2026-03-21
  • 一种提升隧穿钝化背接触电池钝化的方法
    一种提升隧穿钝化背接触电池钝化的方法_平煤隆基新能源科技有限公司_202511877065.9
    本发明公开了一种提升隧穿钝化背接触电池钝化的方法，包括如下步骤：首先对N型硅片进行双面抛光—采用低压化学气相沉积法制备隧穿氧化层和多晶硅层—硼掺杂形成PN结和P型多晶硅层—湿法刻蚀—采用低压化学气相沉积法在N区制备隧穿氧化层和多晶硅层—重掺...
    2026-03-21
  • 一种改善TOPCon电池边缘漏电的方法
    一种改善TOPCon电池边缘漏电的方法_安徽旭合新能源科技有限公司_202511886156.9
    本发明属于太阳能电池生产技术领域，尤其是一种改善TOPCon电池边缘漏电的方法；本发明采用N型硅片进行加工，硅片在经过退火处理后，通过增加对硅片背面四边的边缘进行激光开掩膜处理，然后再进行正常链式正面HF清洗与RCA刻蚀反应，使得背面边缘开...
    2026-03-21
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