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  • 本发明涉及球管阴极头领域,具体的说是指一种单源0兆球管阴极头组件,包括陶瓷柱芯及活动套接在陶瓷柱芯内侧壁面的挡丝,所述陶瓷柱芯的内侧壁面设置有可伐套管,所述可伐套管的内部开设有两组挡丝套孔,所述挡丝套孔的内侧壁面且位于中间位置设置有气凝胶隔...
  • 本发明涉及X射线成像及检测技术领域,具体为一种高效散热的X射线源装置,包括:循环冷却件;阳极端冷却件,阳极端冷却件包括第一支撑件、内部座和外部冷却件,第一支撑件在金属密封箱体内用于安装X射线球管的阳极,并且第一支撑件与循环冷却件贯通连接,内...
  • 一种用于超快传输带电粒子显微术中的灵活射束消隐的方法,该方法可以包括:在第一时间间隔期间将第一带电粒子束和第一脉冲光子束引向目标物;至少部分地基于第一带电粒子束与目标物的第一相互作用生成目标物的第一图像;在第二时间间隔期间将第二带电粒子束引...
  • 一种用于在显微术中对准脉冲激光束的方法,该方法可包括将第一脉冲光子束引向目标物,将带电粒子束引向目标物,确定由带电粒子束与目标物相互作用产生的衍射图谱,将第二脉冲光子束引向目标物,以及至少部分地基于第二脉冲光子束确定衍射图谱的偏离。在一些实...
  • 本发明涉及半导体离子植入加工装置技术领域,且公开了一种长寿命污染离子源装置,包括腔室,腔室内一端设有圆孔,阴极穿过圆孔延伸至腔室内,阴极呈圆柱状,内部设有灯丝,外侧设有固定环,固定环固定在腔室内壁的一端,腔室侧面设有进气口,腔室和阴极分别与...
  • 本发明公开了一种磁透镜和电子显微镜。磁透镜包括第一极靴组件、第二极靴组件和线圈组件;第一极靴组件内形成容纳空间;线圈组件和第二极靴组件均设置于容纳空间内;线圈组件围绕第二极靴组件;其中,第二极靴组件的状态包括第一状态、第二状态和第三状态;在...
  • 箔片透镜校正器、包含箔片透镜校正器的带电粒子显微镜系统及相关方法。在一个示例中,箔片透镜校正器被配置为在带电粒子束中产生抵消性球面像差,并且包含石墨烯箔片。在一个示例中,CPM 系统包含带电粒子源和包含石墨烯箔片的箔片透镜校正器。在一个示例...
  • 本发明提供了一种晶圆载台及刻蚀设备。所述晶圆载台包括电控电极阵列材料盘,从上至下依次包括:第一陶瓷层、阵列电极材料层、第二陶瓷层;其中,所述阵列电极材料层包括一金属薄板,所述金属薄板上分布有多个电控电极阵列单元;每个所述电控电极阵列单元的谐...
  • 本发明公开了一种内部共轴光路的透射电镜原位样品杆,属于透射电子显微镜领域。其包括依次连接的样品杆头、样品杆身和手握柄。样品杆头设有样品载台和聚光透镜,将激发光会聚至样品;样品杆身内设有密封光纤导向通道及容纳于其中的光纤,激发光和样品被激发产...
  • 本发明涉及一种用于原子层刻蚀的简化气体输送系统。该系统通过省去气箱和压力计的需求,降低了整体成本。预设的质量流量控制器(MFC)和三通阀可在ALE工艺的表面改性步骤与溅射步骤中精确控制气体流量。借助ALE工艺的自限性,该系统无需维持腔室稳态...
  • 本发明公开了一种刻蚀腔体的清洁方法、系统及可读存储介质,属于半导体技术领域,该刻蚀腔体的清洁方法,包括提供刻蚀腔体,所述刻蚀腔体内设置有若干零部件,所述刻蚀腔体的内部及所述零部件上均含有氧化硅,刻蚀腔体内存在大量氧化硅材质;在所述刻蚀腔体内...
  • 本发明公开了一种用于真空环境下的图形刻蚀装置以及图形刻蚀方法,所述图形刻蚀装置包括外壳、承载座、掩模版机构以及离子束源;外壳内具有工作腔,所述外壳上还设有连通口,所述工作腔通过连通口与外界相连通;承载座安装于所述外壳的工作腔内;掩模版机构包...
  • 本申请公开了一种刻蚀反应腔的刻蚀方法及刻蚀设备,属于刻蚀技术领域。刻蚀反应腔的刻蚀方法包括:在刻蚀反应腔内执行第一刻蚀制程,以对第一结构进行刻蚀;在第一刻蚀制程结束之后,对刻蚀反应腔进行清洁,以去除残留的沉积聚合物;在清洁后的刻蚀反应腔内进...
  • 本发明提供了一种射频电源动态频率调谐方法及系统,涉及射频电源控制技术领域。该方法包括步骤:采集射频输出端的瞬时电压信号和瞬时电流信号;根据瞬时电压信号和瞬时电流信号,获得平均反射功率值;根据平均反射功率值与预设阈值的比较结果,生成频率调节指...
  • 本发明提供基于射频等离子体的5nm级半导体芯片原子层刻蚀系统,系统包括反应腔室、射频电源子系统、气体注入子系统和控制单元,射频电源子系2包含60MHz高频源和2MHz低频源,控制单元通过时序控制信号实现两者的交替输出,高频脉冲用于激发反应气...
  • 本发明涉及一种可以无损地插入到质谱仪中并可取下的离子光学件。此外本发明还涉及包括根据本发明的离子光学件及用于该离子光学件的容纳元件的套装。本发明还涉及一种质谱仪,尤其是一种MALDI‑TOF质谱仪,其包括根据本发明的离子光学件和/或根据本发...
  • 本发明属于质谱分析仪技术领域,具体地说是一种径向进样磁增强光电子电离源装置,电离源腔体的一侧设有进样接口、相对的另一侧安装有孔电极,电离源腔体内设有磁增强光电子电离区及离子漏斗传输区;推斥电极位于聚焦电极一侧与进样接口之间,聚焦电极的另一侧...
  • 本发明提供一种电子束离子阱系统及高离化态离子提取方法,涉及离子提取技术领域,该系统包括:电子束离子阱装置本体、真空腔室、永磁体模组、真空模组和注气模组;电子束离子阱装置本体设置于真空腔室内部;永磁体模组围绕真空腔室设置,用于为电子束离子阱装...
  • 本发明提供一种空心阴极、空心阴极灯及其制备方法,属于分析测试仪器的放电灯技术领域。空心阴极由单质阴极材料粉末压制成型,孔隙率为10%‑20%。空心阴极制备方法包括如下步骤:1)将块状阴极材料研磨为粉状材料;2)对粉状阴极材料进行压铸;3)对...
  • 本申请提供了一种蜂窝整流结构、装置、等离子体光源及半导体设备,蜂窝整流结构应用于激光维持等离子体光源,所述蜂窝整流结构包括:相邻设置的多个蜂窝单元,所述蜂窝单元形成用于使气流通过的通道结构,所述多个蜂窝单元的轴向延伸方向平行;设置于相邻的所...
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