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一种上铰轴焊接机及上铰轴焊接方法
本发明提供了一种上铰轴焊接机及上铰轴焊接方法,包括:安装架;涨紧单元,包括主轴,设置在主轴中的顶杆和多个涨紧块,顶杆与主轴同轴设置,顶杆的侧壁设置有多个锥形支撑部,涨紧块设置在通孔中,周向贴合在支撑部的外周,主轴的底部设置有第一驱动缸,涨紧...
一种平板闸门生产用智能焊接装置及其使用方法
本发明属于闸门焊接技术领域,具体的说是一种平板闸门生产用智能焊接装置及其使用方法,包括底座,所述底座的上端固定安装有四组立柱,四组所述立柱的上端固定安装有横梁,所述横梁的上侧滑动安装有纵向滑架,所述横梁的上侧左右对称安装有第一导轨,所述纵向...
一种人工智能计算机硬件辅助生产装置
本发明公开了一种人工智能计算机硬件辅助生产装置,涉及激光束加工技术领域。该人工智能计算机硬件辅助生产装置,包括底座,所述底座的顶部活动连接有横向移动装置,所述横向移动装置的外壁活动连接有竖向移动装置,所述竖向移动装置的外壁活动连接有激光装置...
一种陶瓷涂料喷涂系统
本发明涉及喷涂技术领域,具体的说是一种陶瓷涂料喷涂系统,包括:机架,机架上端设置外罩,外罩外端面向内凹陷形成进口以及出口;驱动件,与外罩上端中部连接,驱动件贯穿外罩并与机架连接;转板,五个转板等距安装在驱动件外端;安装板,五个安装板均位于外...
一种以退役动力电池正极金属和负极石墨为原料制备催化剂的方法及其应用
本发明涉及环境保护与资源循环利用技术领域,尤其是一种以退役动力电池正极金属和负极石墨为原料制备催化剂的方法及其应用。该制备方法将废电池正极粉末通过过硫酸铵处理后得到NiCoMnOx粉末,其脱锂后仍然维持二维结构,然后利用超声处理电池负极石墨...
一种可促进胶原蛋白再生的凝胶填充剂及其制备方法和应用
本发明公开了一种可促进胶原蛋白再生的凝胶填充剂及其制备方法和应用,所述凝胶填充剂包含聚己内酯微球,交联透明质酸钠,多核苷酸,水溶性氨基酸和磷酸盐缓冲溶液。本发明的凝胶填充剂具有良好的生物相容性,具有良好的弹性和机械强度,且形状维持性佳;同时...
人C1orf186基因或人C1orf186蛋白在制备卵巢癌靶向治疗药物中的应用
本发明提供一种人C1orf186基因或人C1orf186蛋白在制备卵巢癌靶向治疗药物中的应用,涉及生物医药工程技术领域。人C1orf186基因或人C1orf186蛋白在制备卵巢癌靶向治疗药物中的应用。本发明通过实验证明:C1orf186是卵...
一种骨科手术用牵引装置
本发明涉及骨科牵引技术领域,具体公开了一种骨科手术用牵引装置,包括:支撑架和固定套,支撑架用于支撑患者的腿部,固定套固定在患者腿部,当患者手术后,固定套套设在患者腿部,支撑架对患者腿部支撑,方便患者恢复,牵引组件与固定套相连接,且牵引组件与...
一种自动洗脱鼻咽拭子
本发明提供一种自动洗脱鼻咽拭子,属于医疗器具技术领域。所述自动洗脱鼻咽拭子包括拭子杆和洗脱装置,拭子杆的一端设置有采样头,洗脱装置包括壳体,壳体的内部设有洗脱腔,洗脱腔内设有洗脱液,洗脱腔的中部设置有洗脱机构,壳体的两端均开设有与洗脱腔相连...
洗碗机及其控制方法
本申请实施例属于家用电器技术,提供一种洗碗机及其控制方法,洗碗机包括:内胆,形成有用于容纳待清洗的餐具和洗涤水的洗涤腔;喷淋组件,被配置为对餐具喷淋洗涤水;光谱传感器,被配置为对餐具进行材质识别;浊度传感器,被配置为采集洗涤水的浊度;超声波...
一种化肥搅拌喷洒与轮胎脱附一体化势能再利用装置
本发明涉及农业机械技术领域,具体为一种化肥搅拌喷洒与轮胎脱附一体化势能再利用装置,包括拖拉机和连载车,所述连载车的上方安装有搅拌筒,所述搅拌筒的底面固定连通有第一管道,所述第一管道上安装有阀门,且第一管道的一端固定连通有抽水泵,通过势能转换...
钙钛矿太阳能电池及其制备方法、叠层电池、光伏组件和用电设备
本发明提供一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法、叠层电池、光伏组件和用电设备,所述钙钛矿太阳能电池包括钙钛矿层、位于所述钙钛矿层的一侧的第一钝化层、以及位于所述钙钛矿层的另一侧的第二钝化层;所述第一钝化层和所述第二钝化层各自独立地包括所述钙钛矿...
生成集成电路布局图的方法、集成电路器件及其制造方法
IC器件包括有源区,在半导体衬底的前侧中在第一方向上延伸,第一栅电极,置于所述有源区上面并且在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸,类金属限定(MD)段,在所述第二方向上邻近所述第一栅电极延伸并且置于所述有源区上面,以及第一馈通通孔(FTV)...
半导体器件及其制作方法、电子设备、车辆
本申请提供一种半导体器件及其制作方法、电子设备、车辆。该半导体器件包括:基体,以及设置在基体上的第一电极,基体具有沿垂直于基体厚度的方向邻接的晶体管区和二极管区,基体包括:终止层,位于晶体管区和二极管区,并具有第一导电类型;隔离结构,至少位...
半导体结构及其形成方法
本公开实施例提供了方法,方法包括:在衬底上方形成包括第一半导体层和第二半导体层的堆叠件,第一半导体层和第二半导体层彼此交替;在堆叠件上方形成伪栅极结构;选择性去除堆叠件的第二半导体层,在第一半导体层之间产生第一间隙;沉积第一介电材料以填充在...
半导体器件及其形成方法
在实施例中,方法可以包括:在衬底上方形成多层堆叠件,多层堆叠件具有第一半导体层和第二半导体层的交替层。方法也可以包括图案化多层堆叠件以形成第一鳍。方法也可以包括图案化第一鳍以形成两个子鳍。方法可以额外包括在两个子鳍中形成凹槽。方法也可以包括...
器件结构和制造半导体器件的方法
方法包括例如通过在源极/漏极上形成无氮低k介电层;在无氮低k介电层上形成氧处理的低k介电层;以及在氧处理的低k介电层上形成介电层来在源极/漏极上方形成三层蚀刻停止层。无氮介电层具有第一介电常数,氧处理的低k介电层具有大于第一介电常数的第二介...
半导体器件和用于形成半导体器件结构的方法
提供了用于形成半导体器件结构的方法。该方法包括形成以交替方式布置的多个牺牲层和多个半导体层。该方法还包括部分地去除半导体层和牺牲层以暴露半导体层和牺牲层的侧边缘,以及从它们的侧边缘部分地去除牺牲层以形成多个第二凹槽。该方法还包括引入改性元素...
半导体器件及其形成方法
本公开实施例描述了具有带空隙的源极/漏极(S/D)底部隔离层的半导体器件。半导体器件包括:半导体层堆叠件,位于衬底上;栅极结构,围绕半导体层堆叠件;S/D结构,位于衬底上并且与栅极结构相邻;以及隔离层,位于S/D结构和衬底之间。隔离层包围S...
半导体器件及其形成方法
提供了半导体器件结构。半导体器件结构包括衬底。半导体器件结构包括位于衬底上方的沟道纳米结构和介电纳米结构。介电纳米结构位于衬底与沟道纳米结构之间。半导体器件结构包括穿过沟道纳米结构和介电纳米结构的栅极切割结构。半导体器件结构包括位于衬底上方...
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