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最新专利技术
  • 晶片及半导体装置
    晶片及半导体装置_株式会社东芝_202510153943.6
    本发明提供能够得到稳定的特性的晶片以及半导体装置。根据实施方式， 晶片包含基体和第一层。所述第一层包含Alz1Ga1‑z1N(0＜z1≤1)。所述第一层包含第一区域及第二区域。所述第一区域位于所述基体与所述第二区域之间。所述第一区域中的第一...
    2025-11-16
  • 功率半导体器件和包括其的功率转换器以及功率半导体器件的制造方法
    功率半导体器件和包括其的功率转换器以及功率半导体器件的制造方法_LX半导体科技有限公司_202510116269.4
    实施例涉及功率半导体器件、功率半导体模块、功率转换器及其制造方法。根据实施例的功率半导体器件可以包括衬底， 设置在衬底上的第一导电类型第一外延层， 设置在第一导电类型第一外延层上的第一导电类型第2‑1外延层， 设置在第一导电类型第2‑1外延...
    2025-11-16
  • 三维半导体装置和制造该三维半导体装置的方法
    三维半导体装置和制造该三维半导体装置的方法_三星电子株式会社_202411636970.0
    一种三维半导体装置可包括：下有源区， 其位于衬底上， 包括下沟道图案和连接到下沟道图案的下源极/漏极图案；上有源区， 其位于下有源区上， 包括上沟道图案和连接到上沟道图案的上源极/漏极图案；栅电极， 其设置在下沟道图案和上沟道图案上， 并在...
    2025-11-16
  • 一种二维材料或二维异质结构的洁净转移方法
    一种二维材料或二维异质结构的洁净转移方法_中国科学院上海微系统与信息技术研究所_202510879047.8
    本发明涉及一种二维材料或二维异质结构的洁净转移方法， 包括以下步骤：S1.提供表面附带氧化层的衬底， 在衬底表面生长有目标材料， 所述目标材料包括二维材料或二维异质结构；S2.使用光学显微镜确定目标材料的位置， 将带有碳膜的透射电镜金属网对...
    2025-11-16
  • 薄膜晶体管和辐射传感器
    薄膜晶体管和辐射传感器_天马日本株式会社_202510399746.2
    本发明涉及薄膜晶体管和辐射传感器。公开了一种用于辐射传感器的薄膜晶体管。该薄膜晶体管包括栅极电极、氧化物半导体层、和位于所述氧化物半导体层与所述栅极电极之间的栅极绝缘膜。所述栅极绝缘膜包括氮化硅层、和位于所述氮化硅层与所述氧化物半导体层之间...
    2025-11-16
  • 一种碳化硅沟槽MOSFET器件及制备方法
    一种碳化硅沟槽MOSFET器件及制备方法_江苏索力德普半导体科技有限公司_202510991099.4
    本发明属于半导体器件设计技术领域， 公开了一种碳化硅沟槽MOSFET器件及制备方法， MOSFET器件包括多个栅极沟槽和源极接触层， 源极接触层设置于相邻的两个栅极沟槽之间， 源极接触层的深度低于栅极沟槽的深度， 各个栅极沟槽的底端设有第一...
    2025-11-16
  • 沟槽栅MOSFET结构
    沟槽栅MOSFET结构_芯迈半导体技术(杭州)股份有限公司_202510951764.7
    本发明提供一种沟槽栅MOSFET结构， 第一屏蔽区和第二屏蔽区能够降低栅沟槽结构底部栅氧内的最大电场， 提高器件的可靠性， 同时， 第一栅沟槽结构的至少一侧壁存在沟道可以导通电流， 第二栅沟槽结构的至少一侧壁存在沟道可以导通电流， 增加了器...
    2025-11-16
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510485843.3
    本文的实施例公开了的半导体结构及其制造方法。示例性源极/漏极结构包括具有第一组成的基底半导体层、绝缘体层、具有第二组成的第一半导体层和具有第三组成的第二半导体层。基底半导体层设置在衬底中。绝缘体层设置在基底半导体层上， 并且绝缘体层中包括至...
    2025-11-16
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510204137.7
    一种半导体装置包括：下层间绝缘层；绝缘图案， 在下层间绝缘层的上表面上在第一水平方向上延伸；多个纳米片， 在绝缘图案上并且在竖直方向上间隔开；有源切口， 包括第一部分和第二部分， 其中， 第二部分的下表面在绝缘图案的上表面上；第一源极/漏极...
    2025-11-16
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510027637.8
    具有提高的装置性能和可靠性的半导体装置包括：基底；有源图案， 包括设置在基底上并且彼此垂直地间隔开的多个沟道图案；栅电极， 围绕所述多个沟道图案；下源极/漏极图案， 设置在基底上， 并且设置在所述多个沟道图案的一侧；上源极/漏极图案， 与下...
    2025-11-16
  • 一种铁电半导体结型场效应晶体管、制备方法及应用
    一种铁电半导体结型场效应晶体管、制备方法及应用_浙江大学_202511326255.1
    本发明公开了一种铁电半导体结型场效应晶体管、制备方法及应用， 该晶体管可以利用自身的物理特性在单个器件中同时实现光传感器、存储、突触、逻辑。其结构自上而下包括源极及漏极、控制栅极、沟道层、铁电栅层、氧化层、衬底。沟道层采用二维过渡金属硫化物...
    2025-11-16
  • 一种氮化镓基外延结构及制备方法
    一种氮化镓基外延结构及制备方法_中科(深圳)无线半导体有限公司_202511332268.X
    本发明涉及半导体器件技术领域， 提供了一种氮化镓基外延结构及制备方法。所述氮化镓基外延结构包括：表面具有金字塔形纳米结构的Si衬底、石墨烯层、高温AlN起始层、阶梯式AlxGa1‑xN缓冲层、N型GaN有源层、阶梯式AlyGaN势垒层、电子...
    2025-11-16
  • 半导体结构的制备方法及半导体结构
    半导体结构的制备方法及半导体结构_上海新微半导体有限公司_202510937263.3
    本发明提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构， 通过提供基底， 基底的一面具有依次层叠的沟道层、第一势垒层和插入层， 于插入层上方形成帽层， 于帽层、插入层上方形成钝化保护层， 刻蚀去除部分钝化保护层， 保留包覆帽层的钝化保护层， 并暴露...
    2025-11-16
  • 一种双向可控硅芯片及其制备方法、半导体器件
    一种双向可控硅芯片及其制备方法、半导体器件_深圳市奥伦德元器件有限公司_202511027797.9
    本申请公开了一种双向可控硅芯片及其制备方法、半导体器件， 制备方法包括：选用N型气掺材料片作为衬底， 基于化学气相沉积法对衬底进行N型外延层生长处理， 得到包括有N型外延层的衬底结构；对衬底结构进行多步扩散掺杂处理， 形成相互隔离的多阱结构...
    2025-11-16
  • 半导体结构及其制备方法
    半导体结构及其制备方法_武汉大学_202510910583.X
    本申请提供了一种半导体结构及其制备方法， 属于半导体领域。该半导体结构包括：依次层叠的集电极层、P+注入层、梯度过渡层、漂移区、P型基区和N+发射层；其中， 所述梯度过渡层被配置为用于提升生长过程中注入层与漂移区的晶格适配度及进行生长过程中...
    2025-11-16
  • 基于P型金刚石的绝缘栅双极型晶体管及其制备方法
    基于P型金刚石的绝缘栅双极型晶体管及其制备方法_武汉大学_202510910578.9
    本公开实施例提供了一种基于P型金刚石的绝缘栅双极型晶体管及其制备方法， 属于半导体技术领域。该绝缘栅双极型晶体管包括依次叠设的集电极层、P型金刚石注入层、梯度过渡层、N型缓冲层、N‑漂移层、P型基区和N+发射层， P型金刚石注入层用于注入空...
    2025-11-16
  • 半导体装置
    半导体装置_三菱电机株式会社_202510356079.X
    本发明涉及防止半导体装置的短路耐量降低以及栅极信号延迟的半导体装置。半导体装置具备：发射极电极(6)， 其配置在单元区域上；栅极布线(51)， 其配置在发射极电极(6)的外侧；以及栅指布线(61)， 其一端连接于栅极布线(51)， 并在单元...
    2025-11-16
  • 一种三极晶体管及其制备方法
    一种三极晶体管及其制备方法_无锡沧海云帆电子科技有限公司_202510946857.0
    本发明涉及三极晶体管技术领域， 公开了一种三极晶体管及其制备方法， 三极晶体管包括：半导体衬底， 包括集电极区和多个间隔设置的浅沟槽隔离结构， 集电极区位于浅沟槽隔离结构下方， 相邻的两个浅沟槽隔离结构在相互靠近的一侧均设置有凹槽， 凹槽内...
    2025-11-16
  • 一种抗辐射高压BJT器件及其制作方法
    一种抗辐射高压BJT器件及其制作方法_电子科技大学_202510891986.4
    本发明公开了一种抗辐射高压BJT器件及其制作方法， 属于半导体功率器件技术领域。本发明器件包括P型衬底、N型埋层、N型深阱、P型深阱、浅槽隔离氧化层、N型阱区、N型发射区、P型阱区、P型高掺杂区、N型集电极注入区、N型发射极注入区、P型基极...
    2025-11-16
  • 半导体结构及其制备方法
    半导体结构及其制备方法_武汉大学_202510901820.6
    本申请提供了一种半导体结构及其制备方法， 包括：提供衬底；在衬底表面制备第一半导体层， 所述第一半导体层为具备第一掺杂类型的金刚石层；在第一半导体层表面制备第二半导体层， 所述第二半导体层为具备第二掺杂类型的金刚石层；所述第一掺杂类型和所述...
    2025-11-16
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