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最新专利技术
  • 半导体装置
    半导体装置_海信家电集团股份有限公司_202510402856.X
    本申请公开一种半导体装置， 其包括：半导体基板， 具有第一主面和与第一主面相对的第二主面， 第一导电型的漂移层设置于第一主面和第二主面之间；MOS区， 设置于半导体基板；过渡区， 设置于半导体基板， 过渡区在第一方向的投影沿周向包围MOS区...
    2025-11-21
  • 半导体装置
    半导体装置_海信家电集团股份有限公司_202510402639.0
    本申请公开一种半导体装置， 具有IGBT区域、过渡区和MOS区域， 半导体装置包括：半导体衬底， 在半导体衬底内设置有漂移层， 设置于半导体衬底内的基极层；IGBT区域、过渡区以及MOS区域各自包括贯穿基极层并部分位于漂移层的导电结构， 在...
    2025-11-21
  • 半导体装置
    半导体装置_海信家电集团股份有限公司_202510402126.X
    本申请公开一种半导体装置， 具有IGBT区域、过渡区和MOS区域， 半导体装置包括：半导体衬底， 在半导体衬底内设置有漂移层， 设置于半导体衬底内的基极层；IGBT区域、过渡区以及MOS区域各自包括贯穿基极层并部分位于漂移层的导电结构， 在...
    2025-11-21
  • 一种集成无源器件的功率模块及制备方法
    一种集成无源器件的功率模块及制备方法_乐山希尔电子股份有限公司_202511072291.X
    本发明公开了一种集成无源器件的功率模块及制备方法， 涉及半导体技术领域， 模块包括衬底层和外延层， 外延层上有相互隔离的SBD有源区、HEMT有源区和无源区， SBD有源区内有SBD器件， HEMT有源区内有HEMT器件， 无源区内固定有多...
    2025-11-21
  • 一种多沟道氮化镓单片集成半桥芯片及制作方法
    一种多沟道氮化镓单片集成半桥芯片及制作方法_东南大学_202510964401.7
    本发明涉及一种多沟道氮化镓单片集成半桥芯片及制造方法， 基于P型低掺硅基衬底层(1)与N型低掺硅基体区(2)形成PN结， 以高阻区结构(9)划分低侧功率区与高侧功率区， 分别由底部向上依次堆叠设置铝氮成核层(3)、至少两组氮化镓结构组、以及...
    2025-11-21
  • 包括SiC半导体主体的半导体器件
    包括SiC半导体主体的半导体器件_英飞凌科技股份有限公司_202510513995.X
    提出了一种包括SiC半导体主体的半导体器件。SiC半导体主体包括在沟槽栅极结构之间的台面。台面包括单侧沟道区。单侧沟道区邻接相对的第一和第二台面侧壁中的第一台面侧壁。台面进一步包括邻接第一台面侧壁和台面的顶表面的第一导电类型的第一区。台面进...
    2025-11-21
  • BCD器件及制备方法
    BCD器件及制备方法_粤芯半导体技术股份有限公司_202511337549.4
    本申请提供了一种BCD器件及制备方法， 涉及半导体技术领域， 解决了相关技术中BCD器件不满足行业测试要求的问题， 本方案提供的BCD器件在金属层上沉积第一富硅氧化硅层、氮氧化硅层以及氧化物层， 氮氧化硅层相比于氧化物层具有更高的介电强度，...
    2025-11-21
  • 半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及电子设备
    半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及电子设备_北京知识产权运营管理有限公司_202511033756.0
    本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及电子设备， 该方法包括：在衬底上形成有源结构；对正面有源结构进行减薄处理；基于减薄后的正面有源结构， 形成正面晶体管；倒片并减薄衬底；在背面有源结构上沉积掩模材料， 以形成硬掩模；在硬掩...
    2025-11-21
  • 环绕栅极晶体管的形成方法
    环绕栅极晶体管的形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410488910.2
    一种环绕栅极晶体管的形成方法， 方法包括：提供基底， 基底包括多个相邻的器件区， 器件区包括NMOS区和PMOS区， 器件区的基底顶部凸立有叠层结构， 且NMOS区和PMOS区的叠层结构之间形成有第一开口， NMOS区和PMOS区交界处的叠...
    2025-11-21
  • 半导体结构的形成方法
    半导体结构的形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410453757.X
    一种半导体结构的形成方法， 包括：提供基底， 基底上形成有沟道凸起结构， 同一沟道凸起结构沿其延伸方向包括相邻接的第一区和第二区， 沟道凸起结构包括位于基底上的第一牺牲层和沟道凸起部；去除第一区的第一牺牲层， 形成第一通槽；在第一通槽中形成...
    2025-11-21
  • 一种制作半导体元件的方法
    一种制作半导体元件的方法_联芯集成电路制造(厦门)有限公司_202311017844.2
    本发明公开一种制作半导体元件的方法， 其主要先提供一基底包含一第一晶体管区以及一第二晶体管区， 然后形成一第一栅极结构于该第一晶体管区以及一第二栅极结构于该第二晶体管区， 其中第一栅极结构包含一第一硬掩模， 第二栅极结构包含一第二硬掩模， ...
    2025-11-21
  • 改善NMOS和PMOS高度差方法、半导体结构及器件
    改善NMOS和PMOS高度差方法、半导体结构及器件_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511373979.1
    本发明属于半导体技术领域， 具体涉及改善NMOS和PMOS高度差方法、半导体结构及器件， 包括：提供一中间制品， 包括PMOS区域和NMOS区域， PMOS区域和NMOS区域上均形成有多晶硅栅极结构及覆盖在多晶硅栅极结构外的第一氧化物层， ...
    2025-11-21
  • 半导体器件及其制备方法、电子设备
    半导体器件及其制备方法、电子设备_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511368949.1
    本申请涉及一种半导体器件及其制备方法、电子设备， 包括：提供衬底， 衬底上包括沿平行于衬底的第一表面的第一方向间隔分布的栅极， 以及位于相邻栅极之间， 且朝向衬底内延伸的初始沟槽；于初始沟槽的预设位置处形成牺牲氧化层后， 形成覆盖初始沟槽剩...
    2025-11-21
  • 一种改善开关效率的SBR-SGT MOSFET集成器件的制作方法
    一种改善开关效率的SBR-SGT MOSFET集成器件的制作方法_中晶新源(上海)半导体有限公司_202510990598.1
    本发明公开了一种改善开关效率的SBR‑SGT MOSFET集成器件的制作方法， 包括以下步骤：在衬底上制作外延层和沟槽；在所述沟槽内形成第一氧化层后再填充第一多晶硅；通过蚀刻形成场氧化层和屏蔽栅多晶硅；第二氧化层和氮化硅层；在所述沟槽内填充...
    2025-11-21
  • 一种半导体结构及其制备方法
    一种半导体结构及其制备方法_芯迈半导体技术(杭州)股份有限公司_202510958833.7
    本发明提供一种半导体结构及其制备方法， 外延层内JFET区域两侧的第一导电类型阱区内为第二导电类型重掺杂区， 第二导电类型重掺杂区远离JFET区域的一侧为第一导电类型重掺杂区；外延层远离衬底层的表面为沟槽结构。本发明利用沟槽结构对半导体结构...
    2025-11-21
  • 半导体元件及用以制造其的方法
    半导体元件及用以制造其的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510874533.0
    本揭露提供半导体元件及用以制造其的方法。一种方法包含在基板上形成鳍；在鳍上形成栅极， 其中侧壁间隔物与栅极横向相邻；移除侧壁间隔物的上部；通过移除栅极的选定区段及移除位于选定区段下方的选定鳍形成空腔；以及在空腔中形成绝缘特征。
    2025-11-21
  • 半导体装置及制造半导体装置的方法
    半导体装置及制造半导体装置的方法_安靠科技新加坡控股私人有限公司_202510518222.0
    半导体装置及制造半导体装置的方法。一种制造电子装置的实例方法可包含设置装置晶片， 所述装置晶片包含有源区， 所述有源区包括与后段工艺(BEOL)区相对的前段工艺(FEOL)区。所述FEOL区可包含埋入式电力轨， 且所述BEOL区可包含具有从...
    2025-11-21
  • 一种MOS器件及其制作方法
    一种MOS器件及其制作方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202410491401.5
    本发明提供一种MOS器件及其制作方法， 该方法采用快速热氧化法在半导体衬底表面形成基础氧化层， 并在基础氧化层中引入氮直至其中的平均氮浓度达到预设值， 且氮离子浓度最大处远离基础氧化层/半导体衬底的界面分布， 然后进行氮化后退火处理并制作P...
    2025-11-21
  • 一种功率半导体器件封装结构和芯片
    一种功率半导体器件封装结构和芯片_珠海零边界集成电路有限公司_202511031859.3
    本发明实施例提供了一种功率半导体器件封装结构和芯片， 该功率半导体器件封装结构， 包括：多个功率半导体器件模组；各个功率半导体器件模组依次包括：下层金属板、绝缘基板、上层金属板和功率半导体器件；多个功率半导体器件模组依次叠加， 相邻的功率半...
    2025-11-21
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社电装_202510993537.0
    本说明书公开的半导体装置具备第1半导体元件、第1导体板、第1绝缘层和导体电路图案。第1半导体元件具有设有第1电极及第2电极的一个表面和位于一个表面的相反侧的另一表面。第1导体板具有与第1半导体元件的一个表面对置的第1表面， 在第1表面中与第...
    2025-11-21
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