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最新专利技术
  • 一种改善耐久性的阻变场效应晶体管及其制备方法
    一种改善耐久性的阻变场效应晶体管及其制备方法_浙江大学_202510971928.2
    本发明公开了一种改善耐久性的阻变场效应晶体管及其制备方法， 该阻变场效应晶体管包括：衬底， 所述衬底包含绝缘层、氧化层和半导体层， 所述半导体层采用轻掺的p型半导体材料， 所述半导体层的两侧为源漏区域；界面层， 所述界面层的下表面与半导体层...
    2025-11-20
  • 一种相变材料、相变存储器及其制备方法
    一种相变材料、相变存储器及其制备方法_中国科学院上海微系统与信息技术研究所_202510816186.6
    本发明涉及一种相变材料、相变存储器及其制备方法， 所述相变材料包括In2Te3组分、Sb2Te3组分及掺杂元素M， 所述相变材料的化学通式为(In2Te3)x(Sb2Te3)yMz， 其中， x、y、z满足0≤x≤5， 15≤y<20， 0...
    2025-11-20
  • 易失型阻变器件的制备方法及易失型阻变器件
    易失型阻变器件的制备方法及易失型阻变器件_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202510730325.3
    本发明提供一种易失型阻变器件的制备方法及易失型阻变器件， 涉及易失型阻变器件技术领域。该方法包括：在衬底上， 自下而上依次形成图形化的粘附层和第一电极层；在第一电极层的表面和裸露的衬底上， 自下而上依次形成图形化的介质层、界面层和第二电极层...
    2025-11-20
  • 一种扭转WS2/MoS2滑移铁电器件及其制备方法和应用
    一种扭转WS2/MoS2滑移铁电器件及其制备方法和应用_中国地质大学(武汉)_202510669200.4
    本发明涉及滑移铁电技术领域， 尤其涉及一种扭转WS2/MoS2滑移铁电器件及其制备方法和应用。滑移铁电器件包括金属电极、MoS2、WS2及目标衬底；所述MoS2和WS2生长在目标衬底表面， WS2通过转移部分覆盖在MoS2表面；所述金属电极...
    2025-11-20
  • 一种基于晶圆级集成与磁路优化的霍尔传感器制备工艺
    一种基于晶圆级集成与磁路优化的霍尔传感器制备工艺_威海精讯畅通电子科技有限公司_202510708603.5
    本申请公开了一种基于晶圆级集成与磁路优化的霍尔传感器制备工艺， 其属于半导体传感技术领域， 包括以下步骤：磁芯预沉积、霍尔元件制备、低温键合封装、后端集成与测试；本申请创新性的首次提出磁芯原位集成与闭环磁路设计， 巧妙的将磁芯与霍尔元件兼容...
    2025-11-20
  • 一种磁性器件及其制备方法和磁畴调控方法
    一种磁性器件及其制备方法和磁畴调控方法_天津工业大学_202510728740.5
    本发明公开了一种磁性器件及其制备方法和磁畴调控方法， 该磁性器件包括衬底、铁磁层和防氧化保护层， 铁磁层设于衬底的表面， 防氧化保护层设于铁磁层上背离衬底的表面， 铁磁层具有磁畴结构， 铁磁层上至少部分区域的磁畴结构能在驱动力作用的诱导下消...
    2025-11-20
  • 图案化柔性FeRh薄膜的制备方法
    图案化柔性FeRh薄膜的制备方法_中国科学院宁波材料技术与工程研究所_202510737217.9
    本发明提供了一种图案化柔性FeRh薄膜的制备方法， 在预设的衬底上外延生长出刚性FeRh薄膜；通过光刻技术对所述刚性FeRh薄膜进行处理， 以生成图案化刚性FeRh薄膜；通过旋转涂胶的方式在所述图案化刚性FeRh薄膜上形成支撑层， 并对所述...
    2025-11-20
  • 一种压电器件及压电扬声器
    一种压电器件及压电扬声器_武汉敏声新技术有限公司_202510990361.3
    本发明公开了一种压电器件及压电扬声器， 压电器件包括压电叠层单元和支撑单元；压电叠层单元包括电极叠层分部、阻尼调节分部和至少一条狭缝， 阻尼调节分部位于电极叠层分部的一侧， 狭缝贯穿电极叠层分部和阻尼调节分部；电极叠层分部包括第一电极层、压...
    2025-11-20
  • 一种掺钪氮化铝薄膜的制备方法及掺钪氮化铝薄膜
    一种掺钪氮化铝薄膜的制备方法及掺钪氮化铝薄膜_赛莱克斯微系统科技(北京)有限公司_202510971666.X
    本申请公开一种掺钪氮化铝薄膜的制备方法及掺钪氮化铝薄膜， 涉及半导体材料制备领域， 能够提高膜层厚度均匀性， 提高压电器件的性能。掺钪氮化铝薄膜的制备方法包括：对测试晶圆进行预清洁处理；在测试晶圆表面沉积厚度大于目标厚度的掺钪氮化铝薄膜；检...
    2025-11-20
  • 溶液法数字打印仿生高韧压电结构的方法及压电结构
    溶液法数字打印仿生高韧压电结构的方法及压电结构_齐鲁工业大学(山东省科学院)_202510914053.2
    本发明提供一种溶液法数字打印仿生高韧压电结构的方法及压电结构， 涉及智能电子材料领域， 方法包括以下步骤：S1、制备压电分散系墨水；S2、制备液态预聚物基底；S3、制备嵌入式压电结构， 通过液态预聚物基材表面对墨滴的动态限阈包裹作用， 墨滴...
    2025-11-20
  • 能激发横纵波的高压电性能高耐温耐磨ZnCrO压电材料及其制备和应用
    能激发横纵波的高压电性能高耐温耐磨ZnCrO压电材料及其制备和应用_武汉大学_202510925199.7
    本发明公开了一种能激发横纵波的高压电性能高耐温耐磨ZnCrO压电材料及其制备和应用， 涉及压电薄膜材料技术领域。本发明提供ZnCrO压电材料的制备方法， 是将ZnCr合金靶材磁控溅射至基体的表面后形成ZnCrO压电涂层。其中， Zn的掺杂原...
    2025-11-20
  • 一种具备精准定位的压电陶瓷叠层制备设备
    一种具备精准定位的压电陶瓷叠层制备设备_邦瓷电子科技(盐城)有限责任公司_202511038858.1
    本发明提供一种具备精准定位的压电陶瓷叠层制备设备， 涉及压电陶瓷叠层制备设备技术领域， 本发明包括设备主体， 所述设备主体的一侧设置有控制箱， 所述设备主体的一侧铰接有连接盖， 所述设备主体内壁的底部设置有操作板， 所述设备主体的一侧设置有...
    2025-11-20
  • 一种小型散热器及应用在散热器上的新型半导体芯片
    一种小型散热器及应用在散热器上的新型半导体芯片_河南鸿昌电子有限公司_202511031213.5
    本发明涉及半导体技术领域， 尤其是涉及一种小型散热器及应用在散热器上的新型半导体芯片， 针对现有的芯片在安装时导线会弯折， 会导致接触不良、影响正常工作及使用寿命， 提供一种新型半导体芯片， 包括冷端面板和热端面板， 所述冷端面板和热端面板...
    2025-11-20
  • 一种室温立方相GeTe基热电材料及其制备方法及应用
    一种室温立方相GeTe基热电材料及其制备方法及应用_齐鲁中科电工先进电磁驱动技术研究院_202511010389.2
    本发明涉及一种室温立方相GeTe基热电材料及其制备方法及应用， 属于热电材料技术领域， 其化学式为， Y=Ag、Pb、Sb；该热电材料的制备方法为：按上述化学式中的化学计量比， 将高纯度(99.999%)单质元素Ge、Te、Sb真空封装、高...
    2025-11-20
  • 一种含有孔洞结构的AgInTe2半导体热电材料及其制备方法和应用
    一种含有孔洞结构的AgInTe2半导体热电材料及其制备方法和应用_中国人民解放军空军军医大学_202510981528.X
    本发明公开了一种含有孔洞结构的AgInTe2半导体热电材料及其制备方法与应用， 属于新能源材料制备技术领域。通过调节机械合金化的工艺流程和放电等离子体烧结的具体参数， 可精确控制孔洞的尺寸(纳米级)、数量(孔隙率约8%～12%)和分布， 实...
    2025-11-20
  • 一种SnSe基同质热电器件及其制备方法
    一种SnSe基同质热电器件及其制备方法_北京航空航天大学_202510970383.3
    本发明涉及能源转换技术领域， 具体涉及一种SnSe基同质热电器件及其制备方法， 其中制备方法包括以下步骤：S1、采用布里奇曼法生长n型SnSe基晶体材料和p型SnSe基晶体材料；S2、根据材料性能参数， 采用有限元方法计算最佳的单臂尺寸；S...
    2025-11-20
  • 一种晶体PbSe基同质热电器件及其制备方法
    一种晶体PbSe基同质热电器件及其制备方法_北京航空航天大学_202510970380.X
    本发明涉及热电转换技术领域， 具体涉及一种晶体PbSe基同质热电器件及其制备方法。其中制备方法包括以下步骤：S1、采用物理气相沉积(PVD)法生长n型PbSe基晶体材料和p型PbSe基晶体材料；S2、根据材料性能参数， 采用有限元方法计算最...
    2025-11-20
  • 一种基于添加剂材料提升钙钛矿太阳能电池性能的方法
    一种基于添加剂材料提升钙钛矿太阳能电池性能的方法_湖北万度光能有限责任公司_202511029238.1
    本发明涉及一种基于添加剂材料提升钙钛矿太阳能电池性能的方法， 属于钙钛矿太阳能电池技术领域， 解决了当前领域内大面积钙钛矿太阳能电池其钙钛矿结晶以及稳定性较差等问题。本发明的方法中引入一种钙钛矿溶液添加剂材料， 该钙钛矿溶液添加剂材料由氢键...
    2025-11-20
  • 一种多晶钙钛矿复合膜及制备方法
    一种多晶钙钛矿复合膜及制备方法_上虞半导体材料研究中心_202510706618.8
    本发明一种多晶钙钛矿复合膜及制备方法， 该多晶钙钛矿复合膜由湿法制备的钙钛矿薄膜和干法制备的钙钛矿厚膜组合而成， 其制备方法解决了单一成膜工艺中， 湿法工艺难以制备高质量钙钛矿厚膜和干法工艺制备的膜层与衬底附着性差的问题。同时， 湿法工艺提...
    2025-11-20
  • 图案化组合物、图案化膜、图案化基底、半导体器件及其制备方法
    图案化组合物、图案化膜、图案化基底、半导体器件及其制备方法_珠海基石科技有限公司_202510827990.4
    本申请提供了一种图案化组合物、图案化膜、图案化基底、半导体器件及其制备方法， 所述图案化组合物包括有机金属团簇和溶剂， 所述有机金属团簇包括至少两个金属团簇核心、配位连接于所述金属团簇核心的多元醇配体、以及配位连接于所述金属团簇核心的非醇配...
    2025-11-20
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