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最新专利技术
  • 一种定位限压双向晶闸管
    一种定位限压双向晶闸管_杭州西风半导体有限公司_202511846965.7
    本发明属于电力半导体技术领域，且公开了一种定位限压双向晶闸管，包括芯片，芯片正反两面均自中心向边缘依次设置的P型门极区及隔离区、N+放大门极区、P型短路点、P型放大门极区、N+阴极区、交替掺杂区；交替掺杂区环绕N+阴极区设置，交替掺杂区由多...
    2026-03-23
  • 半导体装置
    半导体装置_三菱电机株式会社_202511048393.8
    本公开的目的在于提供一种能够准确地测定温度感测部的电位的技术。半导体装置具备：发射极电极、与发射极电极邻接地设置的温度感测部、感测布线、和发射极电极与感测布线的连接部邻接地设置的第1引线接合部。感测布线包括第1感测布线部、第2感测布线部以及...
    2026-03-23
  • IGBT器件及其制造方法
    IGBT器件及其制造方法_上海鼎阳通半导体科技有限公司_202511863177.9
    本发明公开了一种IGBT器件，背面结构包括：形成于场截止层整个背面区域的第一P型背面注入层和形成于场截止层的部分背面区域的第二P型背面注入层。在第二P型背面注入层的形成区域中，第一和第二P型背面注入层和场截止层的杂质相叠加形成净掺杂为P型重...
    2026-03-23
  • 反向导通绝缘栅双极晶体管RC-IGBT的晶圆背面N+布局结构
    反向导通绝缘栅双极晶体管RC-IGBT的晶圆背面N+布局结构_文赉半导体电子科技(深圳)有限公司_202511814600.6
    本发明公开了一种反向导通绝缘栅双极晶体管(RC‑IGBT)的晶圆背面N+ 布局结构。晶圆背面设有N+ 掺杂区域，所述N+ 掺杂区域按照由多个正六边形单元构成的周期性六角形密堆积结构进行排布，各正六边形单元内部形成N+ 掺杂区，并在晶圆背面以...
    2026-03-23
  • 终端区集成温度传感器的功率半导体器件
    终端区集成温度传感器的功率半导体器件_江苏中科君芯科技有限公司_202511740812.4
    本发明涉及一种终端区集成温度传感器的功率半导体器件。按照本发明提供的技术方案，一种终端区集成温度传感器的功率半导体器件，所述功率半导体器件包括：半导体基板，呈第一导电类型；终端区，环绕包围半导体基板中心区的有源区，至少包括截止环以及集成在所...
    2026-03-23
  • 一种具有渐变P基区掺杂及复合缓冲层的IGBT元胞
    一种具有渐变P基区掺杂及复合缓冲层的IGBT元胞_北京卫星制造厂有限公司_202511656395.5
    本发明公开了一种具有渐变P基区掺杂及复合缓冲层的IGBT元胞，包括：发射极金属电极11、重掺杂的N型发射极3、重掺杂的P型欧姆接触区4、N型漂移区1、沟槽栅8、P型重掺杂集电极9、集电极金属电极10和P基区12；其中，发射极金属电极11、重...
    2026-03-23
  • 功率半导体器件、制造功率半导体器件的方法、单芯片半桥转换器、操作功率半导体器件的方法
    功率半导体器件、制造功率半导体器件的方法、单芯片半桥转换器、操作功率半导体器件的方法_英飞凌科技奥地利有限公司_202511267934.6
    本发明涉及功率半导体器件、制造功率半导体器件的方法、单芯片半桥转换器、操作功率半导体器件的方法。该功率半导体器件包括：半导体本体，其包括具有第一导电类型或第二导电类型的衬底区域，其中，半导体本体具有前侧；在前侧处的第一负载端子和第二负载端子...
    2026-03-23
  • 半导体装置
    半导体装置_三菱电机株式会社_202511108181.4
    本公开的目的在于提供能够抑制栅极信号的延迟的半导体装置。本公开所涉及的半导体装置具备：半导体基板，形成有第1沟槽；栅极焊盘，设置于半导体基板之上；第1栅极布线，与栅极焊盘电连接；第2栅极布线，与栅极焊盘电连接；指状布线，设置于第1栅极布线与...
    2026-03-23
  • 一种柔性复合钝化层的无铅GPP二极管芯片
    一种柔性复合钝化层的无铅GPP二极管芯片_济南晶恒电子有限责任公司_202511886167.7
    本申请涉及一种柔性复合钝化层的无铅GPP二极管芯片，属于半导体技术领域，具体包括：单晶硅芯片、玻璃层、聚酰亚胺膜层和镍金层，所述玻璃层钝化在单晶硅芯片的两侧，所述聚酰亚胺层钝化在玻璃层上，所述镍金层分别与单晶硅芯片的正面和背面连接。本申请采...
    2026-03-23
  • 电容器结构和包括电容器结构的电容器阵列和电子装置
    电容器结构和包括电容器结构的电容器阵列和电子装置_三星电子株式会社_202511108167.4
    提供了电容器结构、电容器阵列和电子装置。电容器结构包括半导体基底、第一阱、第二阱、第一电极、第二电极、第一扼流圈阻抗元件和第二扼流圈阻抗元件。半导体基底包括具有第一导电类型的外阱。第一阱设置在外阱中并且具有第二导电类型。第二阱设置在第一阱中...
    2026-03-23
  • 半导体结构、制备方法和晶圆
    半导体结构、制备方法和晶圆_北京电控集成电路制造有限责任公司_202511821574.X
    本发明涉及半导体器件制造领域，具体提供一种半导体结构、制备方法和晶圆，本发明半导体结构包括：衬底；外延层，位于所述衬底上并且具有第一掺杂类型；第一绝缘层，位于所述外延层上；第二绝缘层，位于所述外延层上；第一开槽和第二开槽，位于所述第二绝缘层...
    2026-03-23
  • 制备多晶硅电阻的方法和制备出的多晶硅电阻
    制备多晶硅电阻的方法和制备出的多晶硅电阻_成都新紫光半导体科技有限公司_202411261849.4
    本公开涉及制备多晶硅电阻的方法和制备出的多晶硅电阻，该方法包括以下步骤：S1、在衬底上形成多晶硅层；S2、对所述多晶硅层进行第一离子注入，注入离子为硼，得到第一离子注入的多晶硅层；S3、对所述第一离子注入的多晶硅层进行第二离子注入，注入离子...
    2026-03-23
  • 一种3D集成电路器件
    一种3D集成电路器件_IMEC非营利协会_202511237468.7
    在一方面，提供了一种3D IC器件，包括：包括全局VDD电压节点和全局VSS电压节点的封装布线平面；被布置在该封装布线平面上并包括堆叠在彼此之上的多个堆叠式管芯的管芯堆叠；被布置在该管芯堆叠中的顶部堆叠式管芯顶上的金属互连层；以及垂直延伸穿...
    2026-03-23
  • 半导体装置
    半导体装置_铠侠股份有限公司_202510788619.1
    提供一种防止用于堆叠多个半导体芯片的键合材料的意外突出并且具有高可靠性的半导体装置。根据一个实施方案，半导体装置包括基板，该基板包括第一表面和在第一表面中的凹部。第一半导体芯片布置在凹部的底表面上。第一绝缘材料填充在凹部中并且覆盖第一半导体...
    2026-03-23
  • 半导体封装及其形成方法
    半导体封装及其形成方法_三星电子株式会社_202510624697.8
    半导体封装包括衬底、设置在衬底上的第一半导体管芯、堆叠在第一半导体管芯上并在彼此垂直的第一方向和第二方向上从第一半导体管芯偏移的第二半导体管芯、以及堆叠在第一半导体管芯和第二半导体管芯上并在第一方向上从第一半导体管芯和第二半导体管芯偏移的第...
    2026-03-23
  • 堆叠式半导体装置及其操作方法
    堆叠式半导体装置及其操作方法_爱思开海力士有限公司_202510438856.5
    本公开涉及堆叠式半导体装置及其操作方法。一种堆叠式存储装置包括基础芯片、堆叠在基础芯片之上的第一分片芯片和堆叠在第一分片芯片之上的第二分片芯片。基础芯片包括分片控制电路，该分片控制电路被配置为控制第一分片芯片和第二分片芯片，使得当刷新第一分...
    2026-03-23
  • 存储器及其形成方法
    存储器及其形成方法_新存科技(武汉)有限责任公司_202511752514.7
    本申请公开了一种存储器及其形成方法，其中存储器包括第一导电层和第二导电，第一导电层包括至少一个第一导电结构，第一导电结构包括朝向第二导电层的第一端面和平行于第一端面的第一截面，第一端面的尺寸小于第一截面的尺寸；第二导电层包括多个第二导电结构...
    2026-03-23
  • 一种电化学随机存取存储器
    一种电化学随机存取存储器_伊诺菲(苏州)科技有限公司_202610027958.2
    本发明涉及存储器领域，提供一种电化学随机存取存储器，包括若干个存储器单元；若干个所述存储器单元均与读字线以及写字线连通；每个所述存储器单元包括一个NV‑FET晶体管和一个MOSFET晶体管，所述NV‑FET晶体管和所述MOSFET晶体管串联...
    2026-03-23
  • 半导体装置和包括该半导体装置的数据存储系统
    半导体装置和包括该半导体装置的数据存储系统_三星电子株式会社_202510720349.0
    提供了一种半导体装置和一种数据存储系统。该半导体装置包括：衬底；堆叠结构，其包括在衬底上在竖直方向上交替地堆叠的层间绝缘层和水平电极；竖直柱，其与衬底间隔开并且设置在穿过堆叠结构的孔中；以及突出部分，其设置在竖直柱与水平电极之间，并且在竖直...
    2026-03-23
  • 存储器及其制备方法
    存储器及其制备方法_深圳市章阁仪器有限公司_202511816698.9
    本公开提供了一种存储器及其制备方法，包括：步骤S1、提供基底，基底包括衬底、第一堆叠层以及第二堆叠层，第一堆叠层包括多层层叠的第一牺牲层和位于相邻两第一牺牲层之间的第一隔离层，第二堆叠层包括层叠的两层第二隔离层以及位于两第二隔离层之间的第二...
    2026-03-23
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