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最新专利技术
  • 一种OE模组合封方法及产品
    一种OE模组合封方法及产品_珠海天成先进半导体科技有限公司_202511931330.7
    本发明涉及光电子器件封装技术领域，具体为一种OE模组合封方法，该方法包括：S1，获取待用硅基底和活化的待用PIC基板，清洗并活化PIC基板，获得待用PIC基板；S2，在待用PIC基板的感光区域处，将待用硅基底的清洗面和待用PIC基板的活化面...
    2026-03-24
  • 一种芯片封装结构和芯片的封装方法
    一种芯片封装结构和芯片的封装方法_重庆恒诺电子有限责任公司_202511898500.6
    本发明涉及一种芯片封装结构，包括工作台，工作台顶面固定安装有第一支撑座、第一夹持构件、第二夹持构件、用于传输芯片的第一传输构件与用于传输基板的第二传输构件；基板上固定安装有多个与芯片上开设的定位孔相对应的定位柱，定位柱呈阵列分布在基板上，定...
    2026-03-24
  • 一种DFN封装器件的制造方法
    一种DFN封装器件的制造方法_强茂电子(无锡)有限公司_202511894931.5
    本发明公开了一种DFN封装器件的制造方法，包括将晶圆切割得到芯片；将芯片焊接在矩阵式金属框架上；采用导电材料连接芯片和汇流片；采用金属焊线连接芯片和金属片；用塑封材料塑封焊接好芯片的矩阵式金属框架；通过挂镀制程，对矩阵式金属框架露出的部分镀...
    2026-03-24
  • 一种集成芯片焊盘的制备方法及其焊盘
    一种集成芯片焊盘的制备方法及其焊盘_中山大学_202511836247.1
    本发明涉及芯片制备的技术领域，更具体地，涉及一种集成芯片焊盘的制备方法及其焊盘，制备方法包括如下步骤：S1.取铝焊盘层并对其进行除污清洗；S2.对铝焊盘层使用溶液浸泡法依次进行一次沉锌、硝酸退锌、二次沉锌，然后得到锌层；S3.对锌层使用溶液...
    2026-03-24
  • 基于蚀刻技术的车规芯片一体化封装制造工艺
    基于蚀刻技术的车规芯片一体化封装制造工艺_湖北汽车工业学院_202511812463.2
    本发明公开了基于蚀刻技术的车规芯片一体化封装制造工艺，包括步骤一，设计与基板准备；步骤二，芯片预处理；步骤三，芯片贴装与互连；步骤四，塑封与成型；步骤五，散热与加固；步骤六，图像旋转校正与缺陷检测；步骤七，后工序与测试；本发明利用蚀刻技术实...
    2026-03-24
  • 一种基于多排芯片串焊技术的三相功率桥制备工艺
    一种基于多排芯片串焊技术的三相功率桥制备工艺_常州银河世纪微电子股份有限公司_202511774104.2
    本发明涉及芯片串焊技术领域，公开了一种基于多排芯片串焊技术的三相功率桥制备工艺，其制备工艺包括以下步骤：S1、设计与布局，S2、多拍芯片贴装，S3、回流焊接与银烧结，S4、壳体组装与灌封，S5、测试与筛选。本发明通过设计覆铜陶瓷基板的布线图...
    2026-03-24
  • 具有选择性表面粗糙化的半导体封装
    具有选择性表面粗糙化的半导体封装_英飞凌科技奥地利有限公司_202511215813.7
    一种形成半导体封装的方法，包括：提供包括管芯焊盘和多个引线的金属引线框架；将高电压管芯安装在管芯焊盘的上表面上，使得高电压管芯的负载端子电连接到管芯焊盘；将电隔离焊盘安装在管芯焊盘上；以及将低电压管芯安装在电隔离焊盘上，其中安装高电压管芯、...
    2026-03-24
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511174317.1
    一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括相对于多个晶体管垂直设置并电性耦接这些晶体管的多个金属化层。各该金属化层包括金属线和金属穿孔。各该金属线和各该金属穿孔耦接至阻障层。金属线和金属穿孔各自基本上由包含铜(Cu)、银(Ag)和碳(C)的...
    2026-03-24
  • 用于形成金属顶(METTOP)集成电路的势垒层的制造工艺
    用于形成金属顶(METTOP)集成电路的势垒层的制造工艺_德州仪器公司_202511165625.8
    本申请涉及一种用于形成金属顶METTOP集成电路的势垒层的制造工艺。一个实例包含一种用于制造集成电路IC装置(100)的方法。所述方法包含制造包括METTOP结构(102)的半导体裸片，以及在所述METTOP结构上方形成势垒层(108)以覆...
    2026-03-24
  • 用于在基座上烧结结构的系统和方法
    用于在基座上烧结结构的系统和方法_益纳利科技私人有限公司_202510469300.2
    本发明涉及一种用于在基座(10)上烧结一个或多个结构的系统和方法。所述系统包括至少一个烧结单元(50)，被配置为在基座(10)上烧结结构。烧结单元(50)还被配置为将至少一个薄膜层(522)设置在基座(10)上的结构附近，并对薄膜层(522...
    2026-03-24
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_力晶积成电子制造股份有限公司_202411305744.4
    本发明公开一种半导体结构及其制造方法，其中半导体结构包括基底、深沟槽隔离结构与基底穿孔。基底包括元件区。深沟槽隔离结构穿过基底。深沟槽隔离结构围绕元件区。基底穿孔位于深沟槽隔离结构中。基底穿孔直接接触深沟槽隔离结构。基底穿孔穿过基底。
    2026-03-24
  • 晶圆接合方法
    晶圆接合方法_力晶积成电子制造股份有限公司_202411267032.8
    本发明公开一种晶圆接合方法，包括：将元件晶圆设置于载体晶圆上，以形成元件晶圆与载体晶圆的界面，以及相对于界面的元件晶圆的背表面；形成台阶结构于元件晶圆的背表面的上部边角处，以使元件晶圆的背表面具有外部高于内部的轮廓；以及利用蚀刻液对元件晶圆...
    2026-03-24
  • 芯基板及其制造方法、以及布线基板
    芯基板及其制造方法、以及布线基板_揖斐电株式会社_202511198604.6
    本发明提供芯基板及其制造方法、以及布线基板，提供用于抑制在玻璃制的芯基板产生的裂纹对包含该芯基板的布线基板整体造成的影响的技术。在本发明的芯基板中，该芯基板为玻璃制，具有多个贯通孔和填充于该多个贯通孔的多个贯通导体，其中，所述多个贯通孔包含...
    2026-03-24
  • 一种可提升COF载带抗弯折的结构与制备工艺
    一种可提升COF载带抗弯折的结构与制备工艺_浙江晶引电子科技有限公司_202511520467.3
    本发明公开了一种可提升COF载带抗弯折的结构与制备工艺，涉及COF载带技术领域，包括PI基层、化锡层和油墨层，所述PI基层的表面设置有铜电路层，所述化锡层之间设置有弯折区，所述油墨层其于弯折区上表面的高度低于其位于化锡层上表面的高度，即所述...
    2026-03-24
  • 一种集成无源器件的扇出封装结构及封装方法
    一种集成无源器件的扇出封装结构及封装方法_厦门云天半导体科技有限公司_202511474802.0
    本发明公开了一种集成无源器件的扇出封装结构及封装方法，封装结构包括玻璃基板、金属层、芯片、重布线结构层、无源器件和保护层。玻璃基板具有相对的第一表面和第二表面，玻璃基板上设置有贯穿第一表面和第二表面的通槽；金属层连续覆盖通槽的侧壁和底部，形...
    2026-03-24
  • 一种封装基板及制作方法
    一种封装基板及制作方法_浙江创豪半导体有限公司_202610156920.5
    本申请提供一种封装基板及制作方法，其中，所述封装基板包括：主体区和边缘区，所述边缘区环绕设于所述主体区的外围；所述封装基板包括：芯板层；至少两个线路层，沿第一方向设置于所述芯板层的至少一侧，所述第一方向垂直于所述芯板层；连接部，设置于所述边...
    2026-03-24
  • 可弯曲电子结构及电子器件
    可弯曲电子结构及电子器件_浙江清华柔性电子技术研究院_202511821885.6
    本申请涉及柔性电子产品技术领域，尤其涉及一种可弯曲电子结构及电子器件，该可弯曲电子结构包括基板组件、电子元件组件和导电胶层；基板组件包括系统基板和第一引脚，第一引脚设于系统基板的表层；电子元件组件包括元件基板、电子元件、第二引脚和封装层，第...
    2026-03-24
  • 具有无源元件的玻璃中介层堆叠基板及半导体封装结构
    具有无源元件的玻璃中介层堆叠基板及半导体封装结构_厦门云天半导体科技有限公司_202512054439.3
    本发明公开一种具有无源元件的玻璃中介层堆叠基板及半导体封装结构，该玻璃中介层堆叠基板，将传统玻璃封装基板拆分为至少两个独立玻璃子基板，每个子基板包含带导电通孔的玻璃芯板、两侧重布线结构(含层间无源元件)及金属键合层，通过金属键合堆叠并填充导...
    2026-03-24
  • 半导体装置
    半导体装置_联发科技股份有限公司_202511291248.2
    提供了包含具有横向偏移接地通孔和金属球的基板结构的半导体装置。半导体装置可以包括基板、多个第一接地通孔和多个第一金属球。多个第一接地通孔可以形成在基板内并围绕多个信号通孔。多个第一金属球可以设置在基板上并电连接到多个第一接地通孔。一个第一金...
    2026-03-24
  • 半导体装置
    半导体装置_铠侠股份有限公司_202510215536.3
    能抑制因热应力产生裂缝的半导体装置，其具备衬底。衬底具有：第1外表面；第2外表面；焊垫；四层或五层导电层；多个绝缘层，分别介置在导电层中相邻两层间；多个通孔，分别连接导电层的至少两层；导电层数量分别为四层、五层时，第1外表面与第2外表面之间...
    2026-03-24
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