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  • 本发明涉及一种二维材料光电探测器的制备方法,包括如下步骤:利用湿法转移将二维材料转移至包含栅极、源极和漏极的衬底上,再利用紫外光激发氧气生成臭氧对二维材料进行第一次图案化处理,得到包含图案化二维材料层的衬底;然后旋涂聚3‑己基噻吩P3HT/...
  • 本发明公开了一种双钙钛矿薄膜材料及其制备方法、双钙钛矿太阳能电池,涉及钙钛矿材料技术领域。该双钙钛矿薄膜材料包括:A2BCX6型双钙钛矿,其中,A为碱金属阳离子,B为一价金属阳离子,C为三价金属阳离子,X为卤素阴离子;添加剂,其为包括苯环以...
  • 本发明提供一种异质结太阳能电池及其制备方法和应用。制备方法包括:在n型硅片的相对两侧的表面分别沉积正面本征非晶硅层和背面本征非晶硅层;在背面本征非晶硅层上沉积第一硼掺杂p型微晶硅层、第二硼掺杂p型微晶硅层、第三硼掺杂微晶硅层和第四硼掺杂p型...
  • 本发明公开一种全无机CsPbBr3钙钛矿X射线探测器件制备中的缺陷锚定方法,其包括:包括以下步骤:S1、制备CsPbBr3粉末S2、配制有机溶剂S3、制备前驱浆料;S4、导电基底表面处理S5、浆料刮涂S6、退火成型S7、器件制备;该种全无机...
  • 本发明公开了一种无主栅电池片生产控制方法及其系统,涉及电池片生产控制技术领域。该无主栅电池片生产控制方法,在无主栅电池片各生产阶段结束时,获取对应的图像数据与工艺参数;基于预训练的人工智能识别模型,对图像数据进行识别分析,生成各生产阶段的生...
  • 本发明公开了一种简化的碲镉汞探测器芯片加工方法,属于半导体器件制造技术领域;本发明包括标记和注入工序,同步完成Mark标记制作与n型MCT层形成,嵌入全流程数据采集与实时分析;标记和注入工序,同步完成Mark标记制作与n型MCT层形成,嵌入...
  • 本发明涉及太阳能电池技术领域,具体公开了一种背接触电池及其制备方法、叠层电池、光伏组件。所述制备方法包括在硅衬底背面形成包含P型和N型区的背接触结构;在形成至少一个区时,先通过O3氧化法在硅衬底上形成第一氧化层,再通过PECVD法在第一氧化...
  • 本发明提供一种电池片成串方法及其成串设备,其中电池串制备方法包括如下步骤:沿着电池片成串方向间隔布置预设数量的电池片;将电池片串接件置于各所述电池片的顶面上以将各所述电池片串接形成电池串,所述电池片串接件包括焊带以及与各焊带位置一一对应的胶...
  • 本发明公开了一种组合化学法实现光伏电池poly层减薄的工艺方法,包括如下步骤:将Poly后硅片的背面的金属电极区进行图形化掩膜;采用酸刻蚀混合液对硅片非掩膜区的PSG层进行酸刻蚀,去除非掩膜区的PSG层、poly层;对于硅片使用溢流水清洗;...
  • 本发明公开了一种能够有效去除掩膜材料的制备光伏电池的工艺方法,包括如下步骤:将Poly后硅片的背面的金属电极区进行图形化掩膜;采用酸刻蚀混合液对硅片非掩膜区的PSG层进行酸刻蚀,去除非掩膜区的PSG层、poly层,接着使用溢流水清洗;使用低...
  • 本发明公开了一种图形化掩膜实现光伏电池poly层减薄的工艺方法,包括如下步骤:1、将Poly后硅片的背面的金属电极区进行图形化掩膜;2、采用酸刻蚀混合液对所述硅片非掩膜区的PSG层和poly层进行酸刻蚀,实现非金属电极区poly层的减薄或去...
  • 本申请提供了一种背接触电池的膜层制备方法以及系统,涉及半导体或光伏材料加工领域,解决了传统的背接触电池的膜层制备方法会导致硅片热损伤的技术问题。方法包括:在第一区域、第二区域和间隔区域依次制备隧穿氧化层和磷重掺杂层;在磷重掺杂层远离硅片的一...
  • 本发明属于红外焦平面传感器制造技术领域,特别涉及一种基于VHF润化驱动的氧化钒刻蚀后处理方法。包括:对完成氧化钒刻蚀的晶圆实施分级抽真空与程序升温预处理,向处理腔体内持续通入由无水氟化氢、乙醇蒸汽及惰性载气组成的VHF润化混合气体;通过精准...
  • 本发明涉及一种无主栅电池串制备装置,包括:上料机构,其包括切串组件以及连接于切串组件输出端输送归正组件;第一点胶机构,其包括:用于沿第一方向输送电池串的第一输送线,以及依次设置于第一输送线的第一点胶组件与第一检测组件,所述第一点胶组件设置于...
  • 本发明属于太阳能制造技术领域,具体涉及一种微纳米气泡辅助碱制绒的方法与系统,包括如下步骤:S1,取原硅片进行预清洗和水洗处理,配置碱制绒药液并加热至65~90℃;S2,启动微纳米气泡发生器,将气源与碱制绒药液在所述微纳米气泡发生器内混合,制...
  • 本发明公开了太阳能电池板自动旋转削边装置及其削边方法,涉及太阳能电池板加工领域,包括台体,台体上方按照太阳能电池板的移动加工方向依次设有四个工位,台体的上方中心位置安装有能够升降和旋转的旋转台,旋转台的外侧安装有对应四个工位的支架,每个支架...
  • 本发明涉及一种钝化设备,包括壳体,所述壳体形成有反应腔,并形成有与所述反应腔连通的开口;和电离组件,可通过所述开口进出所述反应腔,所述电离组件包括:载板,用于放置至少一排第一小舟;绝缘件,设置在载板上,和电极板,设置在绝缘件上,用于放置至少...
  • 本发明公开了一种激光光伏电池及其制作方法,涉及光伏电池的技术领域。一种激光光伏电池,包括衬底,所述衬底上表面设有808nm激光电池和第三电极,所述衬底下表面设有1064nm激光电池和第四电极;所述808nm激光电池表面设有第一电极和栅线;所...
  • 本发明公开了一种激光光伏电池及其制作方法,涉及光伏电池的技术领域。一种激光光伏电池,包括支撑衬底,所述支撑衬底的上表面依次设置第一缓冲层、1064nm激光电池、组分阶变缓冲层、电极接触层、808nm激光电池、电流扩展层、欧姆接触层,所述欧姆...
  • 本发明公开了一种在可见光波长具有低反射率的太阳电池及其制备工艺,制备工艺中:(1)电池减反射膜为采用蒸镀工艺制备的3层结构,由电池表面开始,分别为35.5 nm的TiOx膜、44 nm 的HfO2膜和52 nm Al2O3膜;(2)在电池上...
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