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最新专利技术
  • 电极组件的包覆设备和包覆方法
    电极组件的包覆设备和包覆方法_宁德时代新能源科技股份有限公司_202311641480.5
    本申请公开了电极组件的包覆设备和包覆方法，电极组件包括电极主体，电极主体具有彼此正交的第一方向、第二方向和第三方向，且包括两个主面、两个端面以及两个侧面，包覆设备包括放料组件、裁切组件和第一包覆组件。放料组件用于存放和释放料带，料带包括沿料...
    2025-08-12
  • 膜电极及其制备方法、燃料电池和水电解装置
    膜电极及其制备方法、燃料电池和水电解装置_华为技术有限公司_202311646272.4
    本申请提供了一种膜电极及其制备方法、燃料电池和水电解装置。该膜电极包括依次层叠设置的阳极气体扩散层、微孔层和阳极催化层，所述微孔层为由氮化钛纤维交织形成的微孔层，所述微孔层的平均孔径大于所述阳极催化层的平均孔径且小于所述阳极气体扩散层的平均...
    2025-08-12
  • 用于燃料电池系统的冷却液温度控制方法
    用于燃料电池系统的冷却液温度控制方法_罗伯特·博世有限公司_202311636874.1
    本申请涉及用于车辆燃料电池系统的冷却液温度控制的电子控制单元，包括：车辆模式确定模块，其基于车辆的功率请求确定燃料电池系统处于0kW怠速模式；温度检测模块，其检测燃料电池系统的冷却回路中的冷却液温度T；温度控制模块，其在检测到的冷却液温度T...
    2025-08-12
  • 用于评估动力供给系统的燃料电池组件的健康状态的方法
    用于评估动力供给系统的燃料电池组件的健康状态的方法_罗伯特·博世有限公司_202311627841.0
    本发明涉及一种用于评估动力供给系统(100)的燃料电池组件(130)的健康状态的方法，所述方法包括：获取针对所述燃料电池组件(130)的动力请求值以及与所述燃料电池组件(130)相关的环境参数；基于所述环境参数和所述动力请求值统计所述燃料电...
    2025-08-12
  • 一种液流电池组件和电堆
    一种液流电池组件和电堆_中国科学院大连化学物理研究所_202311630378.5
    本发明公开了一种液流电池组件和电堆。所述液流电池组件由流道框体、双极板和底板框体依次固定叠合为一整体组件；流道框体为中部区域开设第一通孔的板状框体，设有通孔A，流道框体的第一面框板设有凹槽，双极板上设有通孔B；底板框体为中部区域开设第二通孔...
    2025-08-12
  • 负极活性物质、电化学装置和电子设备
    负极活性物质、电化学装置和电子设备_远景睿泰动力技术(上海)有限公司_202311634225.8
    本发明提供了一种负极活性物质、电化学装置和电子设备。本发明的负极活性物质，其包括无定型碳，所述无定型碳包含硬碳，所述无定型碳包括开孔和闭孔，所述开孔的孔容占比为5‑20％，百分比为开孔的孔容占开孔和闭孔总孔容的百分比；所述无定型碳满足：Lc...
    2025-08-12
  • 正极活性材料及其制备方法、正极极片、电池和用电装置
    正极活性材料及其制备方法、正极极片、电池和用电装置_宁德时代新能源科技股份有限公司_202311644278.8
    本申请公开了一种正极活性材料及其制备方法、正极极片、电池和用电装置，所述正极活性材料包括内核和包覆层，所述内核包括过渡金属氧化物，所述包覆层形成在所述内核的表面上，所述包覆层包括含有硅氧键的聚合物，基于所述正极活性材料的总质量，所述聚合物中...
    2025-08-12
  • 正极活性材料及其制备方法、正极极片、电池、用电装置
    正极活性材料及其制备方法、正极极片、电池、用电装置_宁德时代新能源科技股份有限公司_202311644258.0
    本申请公开了正极活性材料及其制备方法、正极极片、电池、用电装置，正极活性材料，包括基体和包覆层，所述包覆层形成在所述基体的至少部分表面，所述包覆层包括表面改性剂和疏水保护剂，所述表面改性剂包括卤代烷基硅烷或烷基硅烷中的至少一种，所述疏水保护...
    2025-08-12
  • 正极材料组合物及其制备方法、正极、钠电池和用电装置
    正极材料组合物及其制备方法、正极、钠电池和用电装置_宁德时代新能源科技股份有限公司_202311641701.9
    本申请公开了一种正极材料组合物及其制备方法、正极，钠电池和用电装置。正极材料组合物包括至少两种镍铁锰基钠电正极活性材料，各镍铁锰基钠电正极活性材料物理混合，镍铁锰基钠电正极活性材料的混合物还含有Cu元素和Q元素。正极含有该正极材料组合物，钠...
    2025-08-12
  • 拼接装置和极片补锂系统
    拼接装置和极片补锂系统_宁德时代新能源科技股份有限公司_202311643513.X
    本申请提供一种拼接装置和极片补锂系统。拼接装置包括拼接组件和控制器，控制器与拼接组件电连接，且被配置为控制拼接组件将第一锂带的末端部与第二锂带的始端部连接；其中，第一锂带和第二锂带均具有始端部和末端部。这样一来，在更换锂带时，利用控制器控制...
    2025-08-12
  • 负极极片、二次电池及用电装置
    负极极片、二次电池及用电装置_宁德时代新能源科技股份有限公司_202311640889.5
    本申请提供了一种负极极片、二次电池及用电装置。负极极片包括负极集流体以及形成于负极集流体至少一个表面上的负极膜层，负极膜层具有远离负极集流体的第一表面以及与第一表面相对设置的第二表面，负极膜层的厚度记为H，从负极膜层的第一表面至0.3H的厚...
    2025-08-12
  • 负极极片及其制备方法、电池和用电装置
    负极极片及其制备方法、电池和用电装置_宁德时代新能源科技股份有限公司_202311640386.8
    本发明涉及电池技术领域，特别涉及一种负极极片及其制备方法、电池和用电装置。本申请的负极极片包括集流体和设于集流体至少一侧表面的涂层，涂层包括涂层非削薄区和涂层削薄区，涂层非削薄区设于集流体，涂层削薄区与涂层非削薄区设于集流体的同一表面，且涂...
    2025-08-12
  • 电池单体、二次电池和用电装置
    电池单体、二次电池和用电装置_宁德时代新能源科技股份有限公司_202311640327.0
    本申请提供了一种电池单体、二次电池和用电装置。该电池单体包括正极极片、负极极片、隔离膜和电解液，正极极片中的正极活性材料层包括第一正极活性物质和第二正极活性物质，电解液中的电解质盐包括第一阳离子盐；第一正极活性物质为包含Co元素和M1元素的...
    2025-08-12
  • 二次电池、制备方法及用电装置
    二次电池、制备方法及用电装置_宁德时代新能源科技股份有限公司_202311641487.7
    本申请涉及锂电池技术领域，尤其涉及二次电池、制备方法及用电装置，二次电池包括负极极片，集流体包括第一区域和第二区域，第二区域靠近极耳，第一活性物质层位于第一区域，第二活性物质层位于第二区域，硅基材料在第二活性物质层中的质量分数大于硅基材料在...
    2025-08-12
  • 极片、电池和车辆
    极片、电池和车辆_重庆弗迪电池研究院有限公司_202311641468.4
    一种极片、电池和车辆，包括集流体、活性物质层和极耳；其中，活性物质层覆盖在所述集流体上；极耳连接在所述集流体上；定义Y＝(Z×m)/(n×100000)；其中，Y为所述极片的倍率综合影响特性，Z为活性物质层中的电子流动到极耳的预设路径距离，...
    2025-08-12
  • 热压辊机构、压辊机构、贴胶装置和电池生产系统
    热压辊机构、压辊机构、贴胶装置和电池生产系统_宁德时代新能源科技股份有限公司_202311641527.8
    本申请公开了一种热压辊机构、压辊机构、贴胶装置和电池生产系统；热压辊机构包括热压辊和加热组件；加热组件与热压辊间隔设置；加热组件被配置为对热压辊进行非接触加热。采用非接触加热，热压辊表面没有引入结构件，可以改善热压辊对极片进行热压过程中在极...
    2025-08-12
  • 芯片封装结构及电子设备
    芯片封装结构及电子设备_华为技术有限公司_202311638487.1
    本申请提供一种芯片封装结构及电子设备，涉及芯片技术领域，能够将连接器与芯片(die)焊接在转接板的同一侧。该芯片封装结构中包括转接板、至少一个第一芯片、至少一个电子元件、连通器、第一连接器。其中，第一芯片设置在转接板的正面并与转接板的正面连...
    2025-08-12
  • 一种FCCSP结构以及芯片封装方法
    一种FCCSP结构以及芯片封装方法_鼎道智芯(上海)半导体有限公司_202311632061.5
    本申请公开了一种FCCSP结构以及芯片封装方法，FCCSP结构包括：封装基板；芯片，芯片的底部固定在封装基板的表面上；散热盖，散热盖与芯片的顶部热接触；塑封结构，散热盖至少部分嵌入在塑封结构内；塑封结构用于固定散热盖；塑封结构至少露出散热盖...
    2025-08-12
  • 封装体、装置、系统和方法
    封装体、装置、系统和方法_北京华为数字技术有限公司_202311630422.2
    本申请提供一种封装体。该封装体包括芯片和加热组件，通过加热组件释放热量，有利于使得芯片的环境温度高于封装体的环境温度，从而有利于使用商业级规格的芯片来制作应用于劣于商业级应用场景的其他工作场景的封装体，从而有利于降低封装体的成本。本申请还提...
    2025-08-12
  • 预埋牺牲层的半导体器件及其制造方法
    预埋牺牲层的半导体器件及其制造方法_上海集成电路制造创新中心有限公司_202311629445.1
    本发明提供一种预埋牺牲层的半导体器件及其制造方法，该方法包括：S1，提供一衬底；S2，在所述衬底的第一表面涂抹光刻胶，通过光刻在所述第一表面定义埋置式电源轨区域；S3，在所述埋置式电源轨区域内形成若干牺牲层；S4，在所述第一表面形成鳍部；S...
    2025-08-12
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