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最新专利技术
  • 芯片贴装设备及其检测方法
    芯片贴装设备及其检测方法_华润润安科技(重庆)有限公司_202311641390.6
    本申请提供了一种芯片贴装设备及其检测方法。芯片贴装设备包括支撑部、焊头、驱动件、辅助结构、位移传感器及处理器。支撑部朝向焊头的表面的至少部分为平面。焊头朝向支撑部的表面为第一平面。辅助结构与焊头相连。驱动件带动焊头在与支撑部的平面平行的第一...
    2025-08-12
  • 热介质供给装置及包括其的基板处理装置
    热介质供给装置及包括其的基板处理装置_圆益IPS股份有限公司_202311631478.X
    本发明涉及热介质供给装置及包括其的基板处理装置，更详细地说，涉及一种通过供给热介质来调节温度的热介质供给装置及包括其的基板处理装置。本发明公开一种热介质供给装置，作为向内部形成用于基板处理的处理空间的工艺腔室(10)供给热介质的热介质供给装...
    2025-08-12
  • 用于监测刻蚀工艺腔漏气的监控系统以及监控方法
    用于监测刻蚀工艺腔漏气的监控系统以及监控方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202311631144.2
    本发明提供一种用于监测刻蚀工艺腔漏气的监控系统以及监控方法，该监控系统包括晶圆刻蚀机台、探测装置及处理单元，其中晶圆刻蚀机台包括刻蚀工艺腔以及报警装置，刻蚀工艺腔用于晶圆刻蚀；探测装置设置于刻蚀工艺腔上，探测装置用于对刻蚀工艺腔内的待测气体...
    2025-08-12
  • 半导体量测装置
    半导体量测装置_上海微电子装备(集团)股份有限公司_202311629713.X
    本发明涉及半导体技术领域，提供了一种半导体量测装置，包括：工件台，其用于承载被测基板；多个摄像头部，能够移动至被测基板的指定部分的上方对该指定部分进行摄像，并取得测量图像；图像处理部，能够对所述测量图像进行处理；多个背光源部，能够移动至被测...
    2025-08-12
  • 假片更换方法、系统、装置和计算机可读存储介质
    假片更换方法、系统、装置和计算机可读存储介质_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202311623630.X
    本发明提供了一种假片更换方法、系统、装置和计算机可读存储介质，所述假片更换方法包括获取机台的假片报警数据，据假片报警数据筛选可用假片，对机台派工所述可用假片，无需对整个晶圆传送盒的假片进行更换，仅更换部分假片，减少了假片的浪费。
    2025-08-12
  • 应用于微影制程的机台及应用于微影制程的机台搜零方法
    应用于微影制程的机台及应用于微影制程的机台搜零方法_上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司_202311629750.0
    本发明涉及晶圆微影技术领域，特别是涉及一种应用于微影制程的机台及应用于微影制程的机台搜零方法，包括晶圆工件台及测量位光栅平面；所述晶圆工件台的至少三个角上设置有读头；所述测量位光栅平面包括相位差分光栅及多组零位光栅；每个所述读头对应一组所述...
    2025-08-12
  • 半导体的后段制造方法
    半导体的后段制造方法_成都紫光半导体科技有限公司_202311639531.0
    本公开涉及一种半导体的后段制造方法，包括：在顶部金属层上设置第一氮化物层；采用化学气相沉积的方式在第一氮化物层上沉积第一介电质层，并通过调整低频能量参数使第一介电质层的压应力为第一压应力值；对第一介电质层和第一氮化物层进行刻蚀以形成第一刻蚀...
    2025-08-12
  • 半导体器件和用于制造半导体器件的方法
    半导体器件和用于制造半导体器件的方法_星科金朋私人有限公司_202311626341.5
    一种用于制造半导体器件的方法，包括：提供一个或多个封装，其中所述一个或多个封装中的每一个包括：第一基底，所述第一基底包括第一表面和第二表面、附接到所述第一基底的第一表面上的保护带、安装在所述第一基底的第二表面上的一个或多个电子元件、以及安装...
    2025-08-12
  • 半导体晶体的修复方法
    半导体晶体的修复方法_东莞新科技术研究开发有限公司_202311622876.5
    本发明的半导体晶体的修复方法，包括：在半导体晶体具有裂缝的表面上施加氧化剂以在所述裂缝处形成氧化物层；氧化后，在所述裂缝的所述氧化物层上填充绝缘体；向所述绝缘体施加填充压力，并保持所述填充压力预定时长以在所述裂缝中形成填充物；以及固化所述填...
    2025-08-12
  • 芯片粘接方法
    芯片粘接方法_东莞新科技术研究开发有限公司_202311628174.8
    本发明公开了一种芯片粘接方法，通过在芯片的背面以外的区域上形成第一光刻胶层，并将形成有第一光刻胶层的芯片放入处理室进行离子束蚀刻，以对芯片的背面进行粗糙化；还通过在引线框架的待粘接部分以外的区域上形成第二光刻胶层，并将形成有第二光刻胶层的引...
    2025-08-12
  • 半导体基材的表面处理方法
    半导体基材的表面处理方法_东莞新科技术研究开发有限公司_202311621632.5
    本发明的半导体基材的表面处理方法包括：在所述半导体基材的表面进行类金刚石碳层的多次沉积以及多次蚀刻，所述沉积和所述蚀刻交替进行，具体包括：对所述半导体基材的表面进行预清洗；在所述表面进行第一次沉积形成第一类金刚石碳层；在所述第一类金刚石碳层...
    2025-08-12
  • 电极引入装置和半导体工艺设备
    电极引入装置和半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202311635148.8
    本发明公开一种电极引入装置和半导体工艺设备，所公开的电极引入装置应用于半导体工艺设备，半导体工艺设备包括承载舟，电极引入装置包括第一电极组件和第二电极组件，其中，第一电极组件包括第一电极引入件和第一输气管，第二电极组件包括第二电极引入件和第...
    2025-08-12
  • 一种断路器、变压器及箱变
    一种断路器、变压器及箱变_河南森源电气股份有限公司_202311627711.7
    本发明涉及变电站技术领域，尤其涉及一种断路器、变压器及箱变。一种箱变，包括箱体，箱体内设置有高压室、变压器和低压侧器件，低压侧器件包括断路器，变压器设置在高压室的旁侧，断路器包括壳体，壳体上设置有触头，壳体上还设置有安装结构，变压器包括外壳...
    2025-08-12
  • 一种辅助触点结构及继电器
    一种辅助触点结构及继电器_上海良信电器股份有限公司_202311633958.X
    本发明提供了一种辅助触点结构及继电器，涉及电器设备技术领域。辅助触点结构包括安装罩、静触头组件、动触头组件以及辅助触头组件；静触头组件设置于安装罩；动触头组件可活动地设置于安装罩，并能够与静触头组件接触以形成多组回路；辅助触头组件包括辅助动...
    2025-08-12
  • 一种串联断口真空接地开关装置及环网柜
    一种串联断口真空接地开关装置及环网柜_河南森源电气股份有限公司_202311627713.6
    本发明涉及气体绝缘开关装置技术领域，尤其涉及一种串联断口真空接地开关装置及环网柜。一种串联断口真空接地开关装置，包括进线端和出线端，进线端和出线端之间依次串接有断路器和三工位隔离接地开关，所述三工位隔离接地开关包括隔离开关静触头座、触刀组件...
    2025-08-12
  • 一种线圈绕制压线装置及绕线机
    一种线圈绕制压线装置及绕线机_许继变压器有限公司_202311627768.7
    本发明涉及一种线圈绕制压线装置及绕线机，属于变压器技术领域，现有技术变压器线圈导线在绕制到直线处，不能贴紧模具，形成向外凸起，本发明包括支承座，支承座用于与绕线机固定，还包括向绕线机的绕线模具施加压力的压线设备,压线设备包括压线头；压线头能...
    2025-08-12
  • 电路板线圈的制造方法
    电路板线圈的制造方法_东莞新科技术研究开发有限公司_202311628881.7
    本发明公开了一种电路板线圈的制造方法，通过在铜板上标记出目标线圈的轮廓，并在所述铜板上形成轮廓与标记出的目标线圈的轮廓相匹配的掩膜，再对形成有所述掩膜的铜板进行离子蚀刻，以基于所述目标线圈的轮廓分离所述铜板，并除去所述掩膜，得到电路板线圈，...
    2025-08-12
  • 带有膨胀涂层的磁性材料及其制备方法
    带有膨胀涂层的磁性材料及其制备方法_浙江东阳东磁稀土有限公司_202311633406.9
    本发明提供了一种带有膨胀涂层的磁性材料及其制备方法，该制备方法包括步骤S1，准备光固化发泡胶水，光固化发泡胶水中含有发泡微珠；步骤S2，采用丝网印刷工艺将光固化发泡胶水印刷在永磁体表面，经光固化后得到带有膨胀涂层的磁性材料。上述制备方法通过...
    2025-08-12
  • 烧结钕铁硼扩散磁体及其改性方法
    烧结钕铁硼扩散磁体及其改性方法_浙江东阳东磁稀土有限公司_202311627625.6
    本发明提供了一种烧结钕铁硼扩散磁体及其改性方法。该改性方法包括：步骤S1，在烧结钕铁硼磁体的表面覆盖稀土合金粉末，得到表面包覆有稀土合金粉末层的复合烧结钕铁硼磁体；步骤S2，对复合烧结钕铁硼磁体依次进行扩散热处理步骤，得到烧结钕铁硼扩散磁体...
    2025-08-12
  • 一种软磁非晶纳米晶及其控制制备方法和电子器件
    一种软磁非晶纳米晶及其控制制备方法和电子器件_松山湖材料实验室_202311620164.X
    本发明提供一种软磁非晶纳米晶及其控制制备方法和电子器件，所述控制制备方法包括：采用脉冲电流处理软磁铁基非晶合金，得到软磁非晶纳米晶。本发明能够使非晶态合金在较短时间内发生晶化，使饱和磁感应强度大幅提升；同时具有优秀的内应力及钉扎位点去除效果...
    2025-08-12
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