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  • 本发明提供了一种导电背板制作方法,用于制作导电背板,导电背板包括玻璃、胶膜、金属箔和绝缘层,制作方法包括:将玻璃与胶膜相覆合;将经过图案镂空的金属箔覆合于胶膜上;将绝缘层覆合于金属箔上。本发明能够避免导电背板渗透水气,提高导电背板的可靠性。...
  • 本发明涉及一种室温稳定的黑相全无机钙钛矿柔性厚膜及制备方法和应用,包括以下步骤:将PbI2、CsI以及有机铵盐在有机溶剂中混合均匀,得到钙钛矿前驱体溶液;将钙钛矿前驱体溶液通过真空抽滤法填充于聚合物滤膜中,得到湿润的柔性厚膜;聚合物滤膜经过...
  • 本发明关于一种封边修复装置,涉及光伏制造领域。本技术方案的封边修复装置与待封边的太阳能电池硅片沿第一方向作相对运动,封边修复装置包括封边轮,其外侧面上的绝缘材料与太阳能电池硅片的侧边部相接触;以及挡料块,其设置于封边轮不接触太阳能电池硅片的...
  • 本发明实施例公开了一种电池的切片保护方法、电池和系统。电池的切片保护方法包括:对目标电池进行性能测试,以获取性能参数;向目标电池喷墨打印保护涂层和信息码,性能参数与信息码关联存储;对目标电池进行切片处理,使目标电池分为至少两个子片,信息码与...
  • 本发明提供了一种激光辅助TOPCon电池双面加工系统及方法,系统包括双波长激光源模块、三维振镜系统和真空反应腔,双波长激光源模块同时发射不同波长的激光用于电片正面栅线烧结和背面刻蚀,三维振镜系统设于真空反应腔内;真空反应腔上设有光学窗口,三...
  • 本申请公开一种光电探测器的制备方法,涉及光电转换技术领域。制备方法包括利用快速热氧化方式在第一炉管中进行硅衬底的预氧化处理,以在硅衬底表面形成第一氧化层;利用管式热氧化方式在第二炉管中进行硅衬底的热氧化处理,制备获得热氧化硅衬底,热氧化硅衬...
  • 本发明提供了一种改善TOPCon电池磷扩推结的方法,包括以下步骤:磷源沉积、扩散推进和降温退火;其中,在源磷沉积过程中,低温通源温度为795~805℃;高温通源时间为120s~160s;降温退火时,温度为840℃~870℃。本发明提供的这种...
  • 本发明提供了一种BC太阳能电池电镀方法及其应用,涉及太阳能电池的技术领域,所述BC太阳能电池电镀方法包括:(a)在待电镀电池片的正面氮化硅层和背面氮化硅层上开槽;(b)在待电镀电池片的背面开槽区制备金属镀层,其中,待电镀电池片的正面与电源阴...
  • 本申请涉及太阳能电池技术领域。具体涉及一种异质结太阳能电池的制造方法和异质结太阳能电池。方法包括:提供半导体衬底;在半导体衬底表面形成本征钝化层;在本征钝化层表面形成掺杂层;其中形成掺杂层的步骤采用CVD工艺,包括:将硅源气体、氧源气体和掺...
  • 本发明提供了一种改善TOPCON电池效率的方法,包括制绒和硼扩推结;制绒包括预制绒处理和绒面二次修饰,绒面二次修饰采用修饰液对预制绒后的硅片绒面金字塔形貌进行结构优化;二次修饰后进行硼掺杂:硅片进入硼扩炉管,先通入高纯度氧气进行氧化反应,然...
  • 本申请实施例提供一种防积灰光伏组件的制程工艺及制程产线,涉及光伏组件的生产技术领域。本申请实施例的防积灰光伏组件的制程工艺,防积灰光伏组件包括层压件和设置于层压件周围的边框,边框包括至少一条防积灰框边,防积灰框边无A面,制程工艺包括以下步骤...
  • 本发明公开了一种硼、磷掺杂Poly层的钝化接触结构及其电池。该钝化接触结构先采用低温低压氧化、高温常压氧化、低温常压氧化相结合的方式,在硅片表面生长出两侧薄且致密、中间厚且疏松的隧穿氧化层。本发明通过不同致密性氧化层的叠加,提升了隧穿氧化层...
  • 本发明公开了一种光伏电池金属栅线的制备方法及光伏电池,其中方法包括以下步骤:在电池片基体的一面上拟形成金属栅线的区域上形成种子层,所述种子层的覆盖区域包含且大于拟形成金属栅线的区域,所述种子层不完全覆盖所述电池片基体的一面;在种子层上形成金...
  • 一种电池片的制备方法、电池片和光伏组件,电池片的制备方法至少包括以下步骤:提供整片电池,在整片电池的表面定位至少一个切割线,在整片电池的表面沿靠近至少一个切割线的两侧制备隔离部,沿至少一个切割线对整片电池进行激光切割,以形成至少两个分片电池...
  • 本申请涉及一种光伏组件的制备方法及光伏组件,制备方法包括:对叠层铺设后的光伏层叠件进行层压封装,得到光伏层压件;对光伏层压件进行激光烧结处理;激光烧结处理包括:向光伏层压件施加偏置电压,同时采用激光扫描光伏层压件中电池片表面的栅线结构。在层...
  • 本发明提供一种光感产品键合封装结构及方法,涉及半导体封装技术领域。该光感产品键合封装结构包括:基板,基板上设置有金手指;芯片,芯片通过胶粘在基板上,芯片上具有发光区域,芯片上具有焊盘;底部垫球,底部垫球设置在金手指上;顶部叠球,顶部叠球设置...
  • 本发明涉及一种直立石墨烯异质结及其制备方法、光电探测器及其使用方法和应用,包括:将衬底放置于石英管中,然后抽真空;向石英管中通入保护气体并加热至设定温度;关闭保护气体并再次抽真空;先将甲烷通入乙醇溶液中,然后使含有乙醇蒸汽的甲烷气体通入石英...
  • 本发明公开了一种新型中波高温红外探测器,其整体结构为nBp结构,采用InAs/InAsSb超晶格结构作为吸收层,采用AlAsSb/InAsSb超晶格结构作为势垒层,采用InAs/InAsSb超晶格结构作为接触层,其中所述接触层包括上接触层和...
  • 本发明公开一种光电器件结构和光电器件漏电测试方法,涉及半导体光电技术领域,以解决现有技术中半导体光电器件漏电的解决效率低的问题。光电器衬底,所述衬底包括衬底正面和衬底背面;形成于所述衬底正面的有源区;形成于所述衬底背面的中心区域;以及设置于...
  • 本申请适用于太阳能电池技术领域,提供了一种背接触电池、电池组件和光伏系统。背接触电池包括硅基底、若干第一极性细栅和若干第二极性细栅,第一极性细栅和第二极性细栅间隔,设于硅基底,沿第一方向排列;硅基底包括沿第一方向排列的若干第一极性掺杂区和若...
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