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  • 本申请适用于太阳能电池技术领域,提供了一种背接触电池、电池组件和光伏系统。背接触电池包括硅基底、若干第一极性细栅和若干第二极性细栅,第一极性细栅和第二极性细栅间隔,设于硅基底,沿第一方向排列;硅基底包括沿第一方向排列的若干第一极性掺杂区和若...
  • 本申请公开了一种光伏组件,包括:导电背板和设于导电背板上的电池层;电池层包括多个沿第一方向间隔排布的电池串,电池串包括多个沿第二方向间隔排布的电池片,第一方向垂直于第二方向,电池片包括中间区以及沿第一方向位于中间区两侧的边缘区;电池片上设有...
  • 本发明公开了一种防断栅TBC光伏电池、光伏组件和系统,涉及光伏电池制造技术领域,包括硅基底及其正面的第一钝化层、减反层,背面的隧穿层、掺杂层、第二钝化层和金属电极,所述金属电极包括主栅PAD、细栅电极和细栅防断栅,所述主栅PAD包括N区主栅...
  • 本申请涉及太阳能电池技术领域,特别是涉及异质结太阳能电池及其制作方法、光伏组件和光伏系统。本申请实施例中将背光面设置为抛光面,且采用导电过渡层和金属层来代替相关技术中的透明导电层,在降低了成本的同时能够从整体上提高短路电流,进而提高了太阳能...
  • 本发明提供一种防止铜扩散的柔性太阳能电池及其制备方法,该太阳能电池的制备方法包括:在半导体衬底上生长倒装外延层,接着在外延层上生长金属层,所述金属层的结构为Cr/Ti/Pt/Pd/Ni/Au,其中,Cr/Ti/Pt/Pd/Ni为金属渐变缓冲...
  • 本发明公开一种光学感测结构、光学感测膜及光学显示系统,其中光学感测结构包含光学感测件以及至少一第一反射体。光学感测件具有感光面,且感光面可用以感测环境光强度。所述至少一第一反射体位于光学感测件的一侧。所述至少一第一反射体具有第一正面、第一背...
  • 本申请提供一种太阳能电池及光伏组件,属于太阳能电池技术领域。上述太阳能电池包括:半导体基底,半导体基底具有相对的第一表面和第二表面,以及邻接于第一表面和第二表面之间的多个第一侧面;钝化接触结构,至少位于半导体基底的部分第一表面上,钝化接触结...
  • 本发明涉及发电玻璃技术领域,公开了一种VO2碲化镉复合智能发电玻璃及其制备方法。所述发电玻璃包括:透明玻璃基板;沉积于玻璃基板上的FTO前电极层;形成于FTO前电极层上的VO2纳米点阵列;沉积于VO2纳米点阵列上的CdSe窗口层;沉积于Cd...
  • 本发明涉及一种基于GaN/TiO2纳米阵列的等离子增强光电探测器及其制备方法,首先在N型Si衬底上制备TiO2纳米柱阵列,将其倒置浸泡在金属Ga中,使TiO2纳米柱被Ga2O3薄膜覆盖。经氧气退火提升Ga2O3薄膜质量后,放入NH3氛围中退...
  • 本发明提供一种三结太阳电池的外延结构及其制备方法,所述外延结构包括依次层叠设置的Ge子电池、第一隧穿结、InGaAs子电池、第二隧穿结和GaInP子电池,其中,所述InGaAs子电池包含有多组量子阱层,每组量子阱层均由InGaAs阱层和Ga...
  • 本发明提供一种GaAs太阳电池的外延结构及其生长方法,包括从下至上依次层叠设置的衬底、第一隧穿结、DBR层、中电池、第二隧穿结和顶电池,所述衬底作为底电池;所述DBR层由AlxGa1‑xAs层和InyGa1‑yAs层交替生长而成,其中,所述...
  • 本发明涉及光电子器件领域,公开了光电子器件防尘防水密封罩,包括密封罩本体,所述密封罩本体的下表面设置有底座,所述密封罩本体的内部设置有复位弹簧一,所述复位弹簧一的外壁设置有缓冲组件,所述缓冲组件与底座连接,所述密封罩本体的下表面设置有限位组...
  • 本申请公开一种太阳能电池及其制造方法、光伏组件,涉及光伏技术领域。太阳能电池包括:半导体基底,半导体基底的第一表面包括第一区域和与第一切割侧面相邻的第二区域;第二区域包括台阶结构,台阶结构的侧壁与半导体基底的厚度方向之间具有夹角,第一区域设...
  • 本发明提供了一种太阳能电池及其制备方法和光伏组件,涉及光伏技术领域。太阳能电池包括:电池本体,包括:沿其厚度方向相对的第一面和第二面,以及连接所述第一面和第二面的多个侧面;多个侧面中的至少一个侧面上设置有朝向电池本体内部凹陷的一个或多个凹坑...
  • 本发明公开一种太阳能电池、光伏组件和半导体基片,涉及光伏技术领域,以使钝化层对半导体基片具有良好的钝化效果,并改善掺杂半导体层与电极的接触性能、以及电极的塑形。太阳能电池包括半导体基片和钝化层。半导体基片的第一面和第二面中的至少一者为目标面...
  • 本申请提供一种太阳能电池及光伏组件,太阳能电池包括:半导体基底,具有相对的第一面和第二面;掺杂半导体层,设置在所述半导体基底的所述第一面;介质层,设置在所述掺杂半导体层背离所述半导体基底的一侧;所述介质层包括多个开口,所述开口露出所述掺杂半...
  • 本发明涉及LED灯珠检测技术领域,公开了一种LED灯珠光效提升工艺控制方法及装置。该方法:监测LED芯片的电流变化率和温度变化率,并触发瞬态控制切换信号,启动光谱分析仪监测荧光粉发射光谱的红移量和强度变化,得到瞬态性能衰减数据;将瞬态性能衰...
  • 本发明公开了一种发光二极管及其形成方法,在本发明的发光二极管的形成方法中,通过对P型接触层进行图案化处理,以形成多个平行排列的第一凸起,在第一凸起的侧表面形成随机排列的多个第一锥形凹槽,然后通过喷墨打印工艺将含有C8‑BTBT有机小分子的溶...
  • 本发明提供一种微型发光元件显示装置,包括多个微型发光元件。每一微型发光元件包括第一发光层及第二发光层。第一发光层包括第一外延结构,用以发出第一波长的光。第二发光层以金属层键合堆叠设置于第一发光层上。第二发光层包括第二外延结构及第三外延结构,...
  • 本发明公开了一种多波段LED外延结构及其制备方法,涉及半导体技术领域。本发明多波段LED外延结构的多量子阱发光层包括依次层叠的第一长波蓝光多量子阱发光层、第二中波蓝光多量子阱发光层、第三短波蓝光多量子阱发光层和第四短波蓝光末量子阱发光层,通...
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