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最新专利技术
  • 一种用于真空镀膜设备的离子源控制方法
    一种用于真空镀膜设备的离子源控制方法_诚联恺达(河北)科技股份有限公司_202511735960.7
    本申请公开了一种用于真空镀膜设备的离子源控制方法，涉及真空镀膜设备技术领域，该方法包括：获取镀膜关键参数，并基于镀膜关键参数，得到等离子体能量偏差与等离子体浓度偏差；镀膜关键参数至少包括：等离子体状态参数、环境干扰参数和真空镀膜设备运行参数...
    2026-03-07
  • 微通道板转运结构及方法以及微通道板的镀膜结构及方法
    微通道板转运结构及方法以及微通道板的镀膜结构及方法_东莞市中科原子精密制造科技有限公司_202511435477.7
    本发明公开一种微通道板转运结构，包括中转夹具以及目标底座，中转夹具包括盘状主体部，盘状主体部包括第一表面以及与第一表面相对的第二表面，第一表面向内凹陷形成有第一凹槽，距离第一凹槽的底部一定距离设有用于搭接微通道板边缘的第一承载台阶，第一凹槽...
    2026-03-07
  • 用于真空镀膜设备轴向输送的传样杆
    用于真空镀膜设备轴向输送的传样杆_东莞市中科原子精密制造科技有限公司_202511465869.8
    本发明公开一种用于真空镀膜设备轴向输送的传样杆，包括外固定管、伸缩杆及导向滑套，伸缩杆穿设于外固定管中，伸缩杆的外表面连接有限位杆；导向滑套设于外固定管的一端，且导向滑套套设于伸缩杆以及限位杆上并与伸缩杆以及限位杆间隙配合，导向滑套上对应伸...
    2026-03-07
  • 自旋轨道矩增强的单层铁磁薄膜的制备方法
    自旋轨道矩增强的单层铁磁薄膜的制备方法_同济大学_202511668503.0
    本发明提出了一种自旋轨道矩增强的单层铁磁薄膜的制备方法，包括：步骤1、在衬底上沉积单层铁磁薄膜；步骤2、对单层铁磁薄膜进行离子束刻蚀，以将其厚度减薄至设定值。本发明可提高电流翻转磁矩的比例，并实现自翻转。
    2026-03-07
  • 一种高疲劳强度B4C/Al复合材料及其制备方法
    一种高疲劳强度B4C/Al复合材料及其制备方法_太原理工大学_202610066011.2
    本发明属于高含量陶瓷/金属复合材料制备技术领域，具体涉及一种高疲劳强度B44C/Al复合材料及其制备方法。本发明采用化学气相沉积法在微纳尺度的B44C颗粒表面原位生成CNTs，将其与铝合金粉末充分混合均匀，使用SPS等离子放电烧结设备制备坯...
    2026-03-07
  • 一种梯度型碳化硅涂层制备方法及梯度型碳化硅涂层
    一种梯度型碳化硅涂层制备方法及梯度型碳化硅涂层_湖南顶立科技股份有限公司_202511752767.4
    本发明公开了一种梯度型碳化硅涂层制备方法及梯度型碳化硅涂层，具体涉及涂层加工技术领域。所述方法包括以下步骤：将预处理后的石墨基体置于CVD反应腔中，通过周期性交替向反应阶段和吹扫阶段通气进行脉冲式沉积，进而在基体表面依次连续沉积形成富碳Si...
    2026-03-07
  • 一种复合金属氧化物薄膜及其制备方法
    一种复合金属氧化物薄膜及其制备方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202511841487.0
    本发明公开一种复合金属氧化物薄膜及其制备方法，涉及半导体材料生长技术领域，以解决现有制备铪锆氧化物薄膜的方法存在组分控制不精确和界面缺陷多等问题。方法包括提供一衬底，并对衬底进行等离子体活化处理，在衬底上形成活性表面；在活性表面上根据预设的...
    2026-03-07
  • 沉积腔体及沉积设备
    沉积腔体及沉积设备_江苏首芯半导体科技有限公司_202511658315.X
    本公开涉及半导体领域，提供一种沉积腔体及沉积设备，至少可以提高沉积腔体的排气效率。沉积腔体包括腔体结构、进气孔、匀气板、基座和排气孔。腔体结构的内部设置有腔室；进气孔设置在腔体结构上，进气孔与腔室相连通，还用于连通提供气体的进气管；匀气板位...
    2026-03-07
  • 一种半连续生产硅碳材料的流化床装置
    一种半连续生产硅碳材料的流化床装置_湖北宜硅新材料有限公司_202511657640.4
    本申请公开了一种半连续生产硅碳材料的流化床装置，该半连续生产硅碳材料的流化床装置包括沉积装置、包覆装置、进料罐和冷却料罐。沉积装置被配置为在原料上进行硅沉积。包覆装置的进料端连通于沉积装置的出料端，并且被配置为进行碳包覆。进料罐的出料端连通...
    2026-03-07
  • 一种进气排气装置、炉管设备和炉管成膜工艺方法
    一种进气排气装置、炉管设备和炉管成膜工艺方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202411087272.X
    本发明公开了一种进气排气装置、炉管设备和炉管成膜工艺方法，装置包括进气模块和排气模块，进气模块包括设于炉管内管底部上的第一进气口和设于炉管外管底部上的第二进气口，排气模块包括设于外管底部上的第一排气口和设于内管底部上的第二排气口；第一进气口...
    2026-03-07
  • 一种用于钙钛矿ALD的炉门结构
    一种用于钙钛矿ALD的炉门结构_无锡松煜科技有限公司_202511639890.5
    一种用于钙钛矿ALD的炉门结构，包括炉门本体和支撑架，所述支撑架上设有驱动机构，用于驱动炉门本体沿水平和/或竖向方向移动；所述支撑架上设有用于支撑炉门本体的支撑板，炉门本体上设有连接支撑板的轴承和环绕轴承设置的若干弹性结构，用于浮动调节炉门...
    2026-03-07
  • 一种晶圆镀膜工艺炉
    一种晶圆镀膜工艺炉_湖南艾科威半导体装备有限公司_202511675474.0
    本申请涉及晶圆生产装置技术领域，具体的说是一种晶圆镀膜工艺炉，包括支撑板，所述支撑板上连接有供料机构，供料机构的一侧设置有与支撑板固定连接的支撑架，所述支撑架上连接有驱动组件，驱动组件的执行端连接有镀晶箱，所述镀晶箱内设置有夹持机构，所述夹...
    2026-03-07
  • 一种半导体wafer化学沉积工艺
    一种半导体wafer化学沉积工艺_大连皓宇电子科技有限公司_202511738550.8
    本发明提供一种半导体wafer化学沉积工艺，步骤为：S0，调试陶瓷环，S1，调整传送腔和工艺腔处于底压状态，将待沉积晶圆传入工艺腔中，S2，通入气体，开启射频，开始沉积薄膜；S3，停止通入沉积气体，保留射频消耗未反应气体；S4，通入氮气，吹...
    2026-03-07
  • 一种线圈装置以及气相沉积设备
    一种线圈装置以及气相沉积设备_盛吉盛半导体科技(无锡)有限公司_202511957563.4
    本发明公开了一种线圈装置以及气相沉积设备，涉及半导体技术领域。该线圈装置包括顶板和第一线圈机构。第一线圈机构包括第一定心转动组件、第一安装板、第一线圈和第一调节组件，第一安装板通过第一定心转动组件与顶板活动连接，第一定心转动组件具有第一转动...
    2026-03-07
  • 一种工艺腔室及工艺腔室气体浓度的控制方法
    一种工艺腔室及工艺腔室气体浓度的控制方法_拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司_202511813064.8
    本发明提供了一种工艺腔室、一种工艺腔室气体浓度的控制方法，以及一种计算机可读存储介质。所述工艺腔室包括：侧壁，其上设有晶圆的传片口；以及吹扫机构，集成于所述侧壁，并包括多个匀气通道，其中，所述吹扫机构的第一匀气通道在所述侧壁中沿所述工艺腔室...
    2026-03-07
  • 一种应用于金属表面优化钝化屏障防锈的方法
    一种应用于金属表面优化钝化屏障防锈的方法_杭州芙尧科技有限公司_202511433038.2
    本发明涉及金属改性技术领域，尤其涉及一种应用于金属表面优化钝化屏障防锈的方法。本发明针对现有技术中不锈钢自带的防锈能力较差的问题，提供一种应用于金属表面优化钝化屏障防锈的方法，包括对不锈钢基材进行表面清洁的前处理步骤；去除不锈钢基材表面部分...
    2026-03-07
  • 基于钝化池的精密无缝钢管自动钝化处理方法
    基于钝化池的精密无缝钢管自动钝化处理方法_张家港嘉园钢铁制品有限公司_202610057244.6
    本发明涉及金属钝化控制技术领域，具体涉及一种基于钝化池的精密无缝钢管自动钝化处理方法。本发明根据每根钢管的电导数据的波动剧烈特征，结合每根钢管两端的流量数据的相关性和幅值差异，并分析脉冲作用结束后电导数据的恢复情况，获取每根钢管的稳定性指数...
    2026-03-07
  • 一种镁合金表面耐蚀强韧双尺度氮化钛增强铝基复合涂层的冷喷涂制备方法
    一种镁合金表面耐蚀强韧双尺度氮化钛增强铝基复合涂层的冷喷涂制备方法_哈尔滨工业大学_202511707814.3
    一种镁合金表面耐蚀强韧双尺度氮化钛增强铝基复合涂层的冷喷涂制备方法，涉及一种镁合金表面铝基复合涂层的冷喷涂制备方法。本发明为了解决现有的纯铝涂层冷喷涂耐磨性、致密性和硬度差的问题，本发明使用球磨法把纳米颗粒作为增强相附着在微米级的核心颗粒上...
    2026-03-07
  • 一种激光熔覆同轴送粉喷嘴
    一种激光熔覆同轴送粉喷嘴_淮北矿业股份有限公司_202511557647.9
    本发明涉及激光熔覆喷嘴技术领域，公开了一种激光熔覆同轴送粉喷嘴，包括喷嘴主体，还包括激光通道，同轴开设在喷嘴主体的中部；多个粉末通道，均匀开设在喷嘴主体的内部；锥形保护气通腔，同轴开设在喷嘴主体的内部且位于粉末通道的外部，锥形保护气通腔的外...
    2026-03-07
  • 层流气载送粉高速沉积装置、高速激光熔覆沉积装置及方法
    层流气载送粉高速沉积装置、高速激光熔覆沉积装置及方法_中国航空制造技术研究院_202511665992.4
    本发明提供了一种层流气载送粉高速沉积装置、高速激光沉积装置及方法，层流气载送粉高速沉积装置包括输出头主体，开设有中心送粉管、中心喷嘴、第一鞘气输送通道以及第二鞘气输送通道，中心喷嘴沿输出头主体的中心轴线设置，中心送粉管与中心喷嘴相连通且同轴...
    2026-03-07
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