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最新专利技术
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_株式会社东芝_202411784550.7
    根据一个实施方式，半导体装置具备：第一电极；半导体部，设置于所述第一电极之上，形成有沿着第一方向延伸的沟槽，所述半导体部具有：与所述第一电极连接的第一导电型的第一半导体层、设置于所述第一半导体层之上的第二导电型的第二半导体层、设置于所述第二...
    2026-03-22
  • MOS器件及其制备方法
    MOS器件及其制备方法_珠海格力电子元器件有限公司_202511810997.1
    本申请涉及半导体技术领域，提供了一种MOS器件及其制备方法，其中，MOS器件包括：有源区、环绕有源区的分压区和环绕分压区的截止区；其中截止区包括间隔设置的多个截止环，每个截止环包括沟槽和位于沟槽的底部的注入区；多个截止环中的任意两个截止环中...
    2026-03-22
  • 一种金属氧化物半导体晶体管
    一种金属氧化物半导体晶体管_伊诺菲(苏州)科技有限公司_202610028088.0
    本发明涉及半导体领域，提供一种金属氧化物半导体晶体管，包括：衬底层；沟道层，设置于所述衬底层顶部；源极层，用于电流的输入；漏极层，用于电流的输出；所述源极层和所述漏极层分别设置于所述沟道层的两端头；栅介质层，设置于所述沟道层顶部的中心位置；...
    2026-03-22
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610164440.3
    本申请提供了一种半导体器件及其制备方法，属于半导体技术领域，该半导体器件包括：衬底，衬底内具有有源区和沟槽，有源区从衬底的表面延伸至衬底内，沟槽从有源区的表面延伸至有源区内；栅极结构，包括栅极氧化层、栅极导电层及栅极侧墙，栅极导电层位于栅极...
    2026-03-22
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610164443.7
    本申请提供了一种半导体器件及其制备方法，属于半导体技术领域，该半导体器件，包括：衬底，衬底上具有有源区，有源区内具有侧壁倾斜的沟槽；栅极结构，包括栅极氧化层和栅极导电层，栅极氧化层覆盖沟槽相对的两个倾斜侧壁，且暴露沟槽的至少部分底壁，栅极导...
    2026-03-22
  • 半导体器件及其制作方法、集成电路及电子设备
    半导体器件及其制作方法、集成电路及电子设备_华为技术有限公司_202411220447.X
    本申请提供了一种半导体器件及其制作方法、集成电路及电子设备。半导体器件包括垂直晶体管，垂直晶体管包括第一极、沟道、第二极、栅极、第一隔离结构与第二隔离结构。沟道包括相背设置的第一端面与第二端面，第一极设置于第一端面，第二极设置于第二端面，第...
    2026-03-22
  • 一种沟槽栅MOSFET及其制备方法、芯片
    一种沟槽栅MOSFET及其制备方法、芯片_深圳方正微电子有限公司_202511697037.9
    本申请属于功率器件技术领域，提供了一种沟槽栅MOSFET及其制备方法、芯片，通过在具有凹形沟槽的栅氧化层的底部形成于P型屏蔽区上，并在P型屏蔽区内形成N型点掺杂区，栅极材料层形成于栅氧化层的凹槽内，场氧化层与栅氧化层形成包裹栅极材料层的封闭...
    2026-03-22
  • 一种沟槽栅MOSFET及其制备方法、芯片
    一种沟槽栅MOSFET及其制备方法、芯片_深圳方正微电子有限公司_202511697038.3
    本申请属于功率器件技术领域，提供了一种沟槽栅MOSFET及其制备方法、芯片，通过在具有凹形沟槽的栅氧化层的底部形成P型屏蔽区，并在P型屏蔽区与栅氧化层的底部之间形成N型注入区，且P型屏蔽区的两端分别与栅氧化层的底部边缘区域接触，栅极材料层形...
    2026-03-22
  • 沟槽栅场效应管的制备方法、电子设备及可读存储介质
    沟槽栅场效应管的制备方法、电子设备及可读存储介质_深圳方正微电子有限公司_202511697040.0
    一种沟槽栅场效应管的制备方法、电子设备及可读存储介质，沟槽栅场效应管的制备方法包括依次构造层叠设置的衬底、漂移层、第一离子掺杂层和第二离子掺杂层；对第二离子掺杂层、第一离子掺杂层和漂移层进行刻蚀，形成贯穿第二离子掺杂层和第一离子掺杂层的第一...
    2026-03-22
  • 一种半导体器件及其制备方法
    一种半导体器件及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610181967.7
    本申请公开了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括半导体层，所述半导体层中具有从其表面向其内部延伸的凹槽；外延层，位于所述半导体层的表面，所述凹槽围绕所述外延层设置；栅介质层，环绕所述外延层的下部；栅极导体，在所述栅介质层远离所述外延层...
    2026-03-22
  • 半导体器件
    半导体器件_电子科技大学_202411227310.7
    本发明涉及一种半导体器件，包括：源极区；漏极区，所述漏极区与所述源极区的导电类型相同；场氧层，位于所述源极区与漏极区之间；栅极，位于所述源极区和漏极区之间，且从所述源极区边缘延伸至所述场氧层上；阻性场板，位于所述场氧层上，所述阻性场板形成有...
    2026-03-22
  • 横向器件
    横向器件_电子科技大学_202411230437.4
    本发明涉及一种横向器件，包括：源极区，具有第一导电类型；漏极区，具有第一导电类型；漂移区，具有第一导电类型，且至少部分位于所述源极区和漏极区之间；第二导电类型埋藏区，位于所述源极区和漏极区之间的漂移区中；场氧层，位于所述漂移区上；顶部掺杂，...
    2026-03-22
  • 减少光致抗蚀剂毒化
    减少光致抗蚀剂毒化_德州仪器公司_202511137089.0
    本公开大体上涉及减少光致抗蚀剂毒化。在一实例中，半导体装置包含半导体衬底(202)、氮化物结构(302)和氧化物层(402)。所述氮化物结构(302)在所述半导体衬底(202)上方。所述氧化物层(402)在所述氮化物结构(302)上。所述半...
    2026-03-22
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202411776967.9
    本发明的半导体装置具备：第一电极；第一电极的上方的第二电极；第一电极与第二电极之间的半导体层，有第一导电型的第一半导体区域、第一半导体区域之上的第二导电型的第二半导体区域、及设于第二半导体区域之上且与第二电极电连接的第一导电型的第三半导体区...
    2026-03-22
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202411797768.6
    本发明的实施方式一般来说涉及一种半导体装置。实施方式的半导体装置具备第一电极、第二电极、半导体层、第一导电型的第一半导体区域、第二导电型的第二半导体区域、第三电极、及第一导电型的第三半导体区域。半导体层设于第一电极与第二电极之间。第一半导体...
    2026-03-22
  • 包括沟槽结构的绝缘栅场效应晶体管
    包括沟槽结构的绝缘栅场效应晶体管_英飞凌科技奥地利有限公司_202511224868.4
    提出了一种绝缘栅场效应晶体管IGFET(100)。IGFET(100)包括从宽带隙半导体主体(104)的第一表面(1061)沿着垂直方向(y)延伸到宽带隙半导体主体(104)中的沟槽结构(102)。IGFET还包括第一导电类型的主体区(10...
    2026-03-22
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_无锡博通微电子技术有限公司_202511602743.0
    本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，其中，半导体器件包括衬底、N型漂移层、源极层以及栅极层，衬底为N型掺杂，衬底的一侧为漏极层；N型漂移层设于衬底另一侧上，N型漂移层内设置有至少两个间隔设置的P型区，P型区沿垂直于衬...
    2026-03-22
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_无锡博通微电子技术有限公司_202511602746.4
    本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，其中半导体器件包括衬底、N型漂移层、源极层以及栅极层；衬底的一侧为漏极层；N型漂移层设于衬底另一侧，N型漂移层内设有两个间隔设置的P型区，P型区沿垂直于衬底的方向延伸，并与衬底接触...
    2026-03-22
  • 碳化硅半导体器件及其制备方法
    碳化硅半导体器件及其制备方法_珠海格力电子元器件有限公司_202511859858.8
    本申请提供了一种碳化硅半导体器件及其制备方法，器件包括：基底，包括衬底和外延层，外延层位于衬底的一侧，外延层背离衬底的一侧表面为第一表面；多个源区结构，间隔的位于外延层中，且源区结构背离衬底一侧的表面位于第一表面中；JFET区，位于外延层中...
    2026-03-22
  • 基于垂直辅助栅的嵌入式闪存结构及其动态编程方法
    基于垂直辅助栅的嵌入式闪存结构及其动态编程方法_重庆芯联微电子有限公司_202511520957.3
    本发明公开了一种基于垂直辅助栅的嵌入式闪存结构及其动态编程方法，属于存储器技术领域，该基于垂直辅助栅的嵌入式闪存结构，包括衬底，所述衬底的顶面覆盖有沟道氧化层，在所述沟道氧化层上还分布有浮栅，所述浮栅上还设置有控制栅，所述沟道氧化层和所述浮...
    2026-03-22
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