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最新专利技术
  • 一种功率半导体器件结构及其生长方法
    一种功率半导体器件结构及其生长方法_福建兆元光电有限公司_202511263076.8
    本发明涉及半导体器件技术领域， 具体涉及一种功率半导体器件结构及其生长方法。该生长方法包括以下步骤：在Si衬底上依次生长多晶层、AlN层、AlGaN层、GaN层和势垒层；或者， 在Si衬底上依次生长非晶层、AlN层、AlGaN层、GaN层和...
    2025-11-16
  • 集成电子器件及其制造方法
    集成电子器件及其制造方法_株式会社村田制作所_202510514806.0
    提供了一种集成电子器件及其制造方法。集成电子器件包括储能部件， 该部件包括：在支承件(100， 101， 103)上方的底部电极层(105)、在底部电极层上方的包括电介质层或离子导体层的中间层(107)、以及在中间层上方和中间层上的顶部电极...
    2025-11-16
  • 形成具有包含贵金属的电极的电容器或离子电容器的方法
    形成具有包含贵金属的电极的电容器或离子电容器的方法_株式会社村田制作所_202510514712.3
    本申请公开了形成具有包含贵金属的电极的电容器或离子电容器的方法。形成诸如电容器或离子电容器的集成部件的方法包括：在衬底(400， 405， AAO)上形成堆叠结构， 该堆叠结构包括底部电极、包括电介质材料层或离子导体层的中间层(420)、以...
    2025-11-16
  • 包括去耦电容器的半导体装置
    包括去耦电容器的半导体装置_爱思开海力士有限公司_202411524207.9
    本公开的实施例涉及一种半导体装置， 包括：衬底；至少一个下互连层， 设置在衬底上；第一上互连层， 位于至少一个下互连层上；第二上互连层， 位于第一上互连层上；外部连接焊盘， 被包括在第二上互连层中；以及金属氧化物半导体(MOS)电容器， 设...
    2025-11-16
  • 微电子装置及相关方法及存储器装置
    微电子装置及相关方法及存储器装置_美光科技公司_202510498053.9
    本申请案涉及微电子装置及相关方法及存储器装置。一种微电子装置包含第一微电子装置结构及上覆于所述第一微电子装置结构的第二微电子装置结构。所述第一微电子装置结构包含第一基底结构及上覆于所述第一基底结构的第一介电碳氧化物材料。所述第二微电子装置结...
    2025-11-16
  • 直接线显露封装件
    直接线显露封装件_苹果公司_202510422493.6
    本公开涉及直接线显露封装件。描述了电子封装件和封装外堆叠封装结构。在实施方案中， 一种电子封装件包括由模塑层包封的多个阶梯状管芯和多个竖直引线键合部， 其中多个竖直引线键合部从模塑层的顶表面突出， 使得竖直引线键合部直立凸出于模塑层的顶表面...
    2025-11-16
  • 半导体堆叠结构及其制备方法、高带宽存储器、电子设备
    半导体堆叠结构及其制备方法、高带宽存储器、电子设备_长江存储科技有限责任公司_202410501854.1
    本公开提供了一种半导体堆叠结构及其制备方法、高带宽存储器、电子设备， 涉及半导体芯片技术领域。该半导体堆叠结构包括多个叠置的半导体结构， 半导体结构包括存储单元层和键合层， 存储单元层朝向相邻的半导体结构的表面设置有键合层， 且键合层耦接于...
    2025-11-16
  • 管理高带宽存储器器件
    管理高带宽存储器器件_长江存储科技有限责任公司_202410480275.3
    本公开涉及用于管理高带宽存储器(HBM)的方法、装置、系统和技术。示例半导体器件包括控制管芯和沿第一方向堆叠在一起的晶圆。晶圆中的每一个晶圆包括沿垂直于第一方向的第二方向延伸的半导体衬底以及在半导体衬底的一侧上的半导体结构。控制管芯通过沿第...
    2025-11-16
  • 包括磁性隧道结的磁性存储器件
    包括磁性隧道结的磁性存储器件_三星电子株式会社_202510100167.3
    一种磁性存储器件包括：固定磁性图案和自由磁性图案， 堆叠在衬底上；隧道势垒图案， 设置在固定磁性图案与自由磁性图案之间；封盖图案， 设置在自由磁性图案上；以及金属氧化物图案， 设置在自由磁性图案与封盖图案之间， 其中， 封盖图案包括第一封盖...
    2025-11-16
  • 包括磁隧道结结构的磁存储器装置
    包括磁隧道结结构的磁存储器装置_三星电子株式会社_202510079127.5
    提供了包括磁隧道结结构的磁存储器装置。该磁存储器装置包括：多条位线；布置在与多条位线不同垂直高度处的多条源极线；和多个存储单元， 所述多个存储单元连接在位线与源极线之间并且各自包括存储器件和选择晶体管， 其中， 多个存储单元包括第一存储单元...
    2025-11-16
  • 磁性存储结构、磁性存储器和电子设备
    磁性存储结构、磁性存储器和电子设备_北京超弦存储器研究院_202410469414.2
    一种磁性存储结构、磁性存储器和电子设备， 涉及半导体技术领域， 所述磁性存储结构包括：磁性隧道结、轨道霍尔层和轨道‑自旋转换层， 所述磁性隧道结包括自由层；其中， 所述轨道霍尔层和/或所述自由层共用为所述轨道‑自旋转换层；所述轨道‑自旋转换...
    2025-11-16
  • 一种三维堆叠NOR型铁电场效应晶体管及其制备方法
    一种三维堆叠NOR型铁电场效应晶体管及其制备方法_北京大学_202510941402.X
    本发明提供一种三维堆叠NOR型铁电场效应晶体管及其制备方法， 属于微纳电子学技术领域。该3D FeNOR器件结构中， 栅金属电极和隔离层交替堆叠形成叠层结构的字线叠层， 位于二氧化硅层上方；垂直沟槽位于字线叠层的叠层结构内部， 垂直贯穿整个...
    2025-11-16
  • 存储器设备、存储器设备的制造方法和操作存储器设备的方法
    存储器设备、存储器设备的制造方法和操作存储器设备的方法_爱思开海力士有限公司_202510137077.1
    本公开涉及存储器设备、制造存储器设备的方法和操作存储器设备的方法。该存储器设备包括沟道层、围绕沟道层的阻挡层、彼此间隔开并且沿着阻挡层的表面布置的多个电荷阱层、多个隧道绝缘层和多个栅极线， 多个隧道绝缘层中的每个隧道绝缘层接触多个电荷阱层中...
    2025-11-16
  • 存储器元件及其制造方法
    存储器元件及其制造方法_旺宏电子股份有限公司_202410516256.1
    本发明提供一种存储器元件及其制造方法。该存储器元件包括堆叠结构、通道柱、电荷储存结构以及分隔墙。堆叠结构位于基底上方， 包括相互交替的多个导体层与多个绝缘层。通道柱穿过所述堆叠结构。电荷储存结构， 位于所述通道柱与所述导体层之间。分隔墙穿过...
    2025-11-16
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510216547.3
    一种半导体装置包括：位线结构；电荷俘获结构， 其在位线结构上；字线结构， 其在第一方向上与电荷俘获结构交替地布置， 字线结构中的每一个包括在第一方向上彼此间隔开的第一字线和第二字线；有源图案， 其布置在位线结构上， 布置在电荷俘获结构和字线...
    2025-11-16
  • 存储器元件及其制造方法
    存储器元件及其制造方法_旺宏电子股份有限公司_202410533212.X
    本发明提供一种存储器元件及其制造方法。该存储器元件包括复合堆叠结构、通道柱、多个电荷储存单元、隧穿层、以及至少一阻挡层。复合堆叠结构包括第一堆叠结构以及第二堆叠结构。第一堆叠结构包括交替堆叠的多个绝缘层与多个导体层， 在第一区上方。第二堆叠...
    2025-11-16
  • 半导体结构及其制备方法、三维存储器、存储系统
    半导体结构及其制备方法、三维存储器、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202410469842.5
    本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、三维存储器、存储系统， 涉及半导体芯片技术领域， 旨在解决栅极层发生弯曲的问题。所述半导体结构包括堆叠结构、第一阻挡层和导电结构。堆叠结构包括层叠设置的多层栅极层， 多层栅极层间隔分布；堆叠结构具有核...
    2025-11-16
  • 半导体器件、制备方法及存储器系统
    半导体器件、制备方法及存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202410488443.3
    本申请提供一种半导体器件、制备方法及存储器系统， 半导体器件包括叠层结构、栅线隔离结构、第一间隔结构和第二间隔结构。叠层结构包括沿第一方向交替堆叠的栅极层和第一介质层。栅线隔离结构沿与第一方向相交的第二方向在叠层结构中延伸， 并包括在第二方...
    2025-11-16
  • 闪存器件及其制备方法
    闪存器件及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511331588.3
    本发明提供了一种闪存器件及其制备方法， 属于半导体领域， 闪存器件的制备方法包括：提供衬底， 所述衬底包括有源区；在所述有源区上形成隧穿氧化层；在所述隧穿氧化层上形成多条字线方向间隔排列且沿位线方向延伸的伪栅条；在相邻所述伪栅条之间填充隔离...
    2025-11-16
  • 嵌入式闪存及其制作方法
    嵌入式闪存及其制作方法_存踵科技(上海)有限公司_202510996330.9
    本发明提供一种嵌入式闪存及其制作方法， 将遂穿氧化层和浮栅层嵌入式闪存的宽度设置为大于所述栅介质层以及控制栅层的宽度， 以使所述遂穿氧化层和浮栅层凸出于所述栅介质层以及控制栅层的两侧， 字线栅沿所述遂穿氧化层和浮栅层凸出而朝所述字线栅内部内...
    2025-11-16
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