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最新专利技术
  • 太阳能电池及其制备方法
    太阳能电池及其制备方法_云南润阳世纪光伏科技有限公司_202510764242.6
    本公开提供太阳能电池及其制备方法， 太阳能电池的制备方法包括：使用第一浆料在硅片上形成副栅接触短线；使用第二浆料在硅片上形成主栅连接线和副栅， 其中， 副栅与相应的副栅接触短线垂直且电连接， 主栅连接线和副栅垂直且电连接， 第一浆料中的银的...
    2025-11-14
  • 隧穿氧化层及其制备方法和在制备TOPCon电池中的应用
    隧穿氧化层及其制备方法和在制备TOPCon电池中的应用_环晟光伏(江苏)有限公司_202411324650.1
    本发明提供了一种隧穿氧化层及其制备方法和在制备TOPCon电池中的应用， 涉及太阳能电池的技术领域， 所述隧穿氧化层的制备方法包括以下步骤：通入TEOS和O2， 在硅基体上沉积隧穿氧化层；其中， 所述隧穿氧化层的沉积时间为3‑10s。本发明...
    2025-11-14
  • TBC电池制备方法及TBC电池
    TBC电池制备方法及TBC电池_环晟光伏(江苏)有限公司_202411131850.5
    本发明提供了一种TBC电池制备方法及TBC电池， 涉及太阳能电池的技术领域， TBC电池制备方法包括以下步骤：在硅基体背面依次制备第一隧穿氧化层和第一多晶硅层， 在第一多晶硅层的预设正电极区域制备掩膜层， 之后去除硅基体背面预设负电极区域中...
    2025-11-14
  • TOPCon电池的制备工艺和TOPCon电池
    TOPCon电池的制备工艺和TOPCon电池_环晟光伏(江苏)有限公司_202411037397.1
    本发明提供了一种TOPCon电池的制备工艺和TOPCon电池， 具体涉及太阳能电池制备技术领域。该制备工艺是将TOPCon蓝膜片依次进行激光开槽、激光退火、酸洗、电镀栅线和光注入得到所述TOPCon电池。本发明提供的TOPCon电池的制备工...
    2025-11-14
  • Topcon电池隧穿氧化层的制备方法、Topcon电池
    Topcon电池隧穿氧化层的制备方法、Topcon电池_环晟光伏(江苏)有限公司_202410963415.2
    本发明提供了一种Topcon电池隧穿氧化层的制备方法、Topcon电池， 涉及太阳能电池技术领域， 包括以下步骤：电池片生长隧穿氧化层后， 通过H2和N2对该隧穿氧化层进行修补处理， 得到修补后的隧穿氧化层；其中， 修补处理的温度为600℃...
    2025-11-14
  • 图像传感器
    图像传感器_三星电子株式会社_202510522717.0
    一种图像传感器包括：包括像素的像素阵列、以及连接到像素的外围电路。每个像素包括第一光电二极管、具有比第一光电二极管的光接收面积小的光接收面积的第二光电二极管、以及将第一光电二极管和第二光电二极管连接到外围电路的像素电路。外围电路通过在第一曝...
    2025-11-14
  • 图像传感器
    图像传感器_三星电子株式会社_202510095212.0
    一种图像传感器包括：衬底， 包括多个像素， 所述多个像素分别包括光电转换区域；电容器结构， 位于衬底上；电容器绝缘层， 位于电容器结构之间的间隔中；以及外部通路结构， 位于电容器结构之间的间隔中并且穿透电容器绝缘层。电容器结构包括：导电板层...
    2025-11-14
  • 电子设备
    电子设备_意法半导体国际公司_202510475832.7
    本公开涉及电子设备。一种电子设备包括像素。该像素包括：光电二极管；包括第一半导体区域和第二半导体区域的电荷转移通道， 其中第二区域通过第一区域与光电二极管分开；以及围绕通道的沟槽， 其中沟槽包括第一导电芯和第二导电芯以及绝缘护套。第一芯横向...
    2025-11-14
  • 具有光吸收材料阵列的光检测器
    具有光吸收材料阵列的光检测器_德州仪器公司_202510388259.6
    本申请涉及一种具有光吸收材料阵列的光检测器。装置(200)包含具有表面(102a)的半导体衬底(102)。所述装置(200)包含：在所述衬底(102)中的第一区(121)， 其具有第一掺杂剂；在所述衬底(102)中的第二区(122)， 其具...
    2025-11-14
  • 一种图像传感器及其制备方法
    一种图像传感器及其制备方法_荣芯半导体(宁波)有限公司_202511264451.0
    本申请提供一种图像传感器及其制备方法， 包括：提供器件衬底， 在器件衬底上形成第一牺牲层、第一外延层、第二牺牲层和第二外延层；形成贯穿第二外延层、第二牺牲层、第一外延层、第一牺牲层并延伸至器件衬底中的多个支撑柱；形成释放沟槽；去除第一牺牲层...
    2025-11-14
  • 一种电子探测器及其制备方法
    一种电子探测器及其制备方法_上海新微技术研发中心有限公司_202510959323.1
    本发明提供了一种电子探测器及其制备方法， 属于半导体技术领域。该电子探测器包括阵列布置的多个像元单元， 所述像元单元包括依次层叠布置的衬底层、吸收层和导电功能层， 所述吸收层远离所述衬底层的一侧设有探测结构和保护环结构， 所述保护环结构围绕...
    2025-11-14
  • 嵌套式多孔多层结构的半绝缘砷化镓光电导开关及方法
    嵌套式多孔多层结构的半绝缘砷化镓光电导开关及方法_内江师范学院_202511041811.0
    本发明公开嵌套式多孔多层结构的半绝缘砷化镓光电导开关， 包括有由下至上依次设置的底层单元及GaAs层；GaAs层上表面开设有组合孔单元；GaAs层上表面铺设有复合镀膜层， 复合镀膜层用于填充组合孔单元；复合镀膜层内嵌有正极及负极， 正极及负...
    2025-11-14
  • 一种高强度不锈钢边框与背板的光伏组件产品结构
    一种高强度不锈钢边框与背板的光伏组件产品结构_远东光伏科技(广东)有限公司_202511342540.2
    本申请涉及光伏发电技术领域， 提供了一种高强度不锈钢边框与背板的光伏组件产品结构， 包括玻璃组件、设置于所述玻璃组件下方的电池片层、设置于电池片层下方的不锈钢瓦楞背板， 以及分别设置于所述玻璃组件两侧长边外侧的不锈钢边框；不锈钢瓦楞背板的两...
    2025-11-14
  • 光伏组件
    光伏组件_晶科能源股份有限公司_202510977519.3
    本申请实施例涉及光伏领域， 提供一种光伏组件， 该光伏组件包括：层压件， 层压件包括电池串、玻璃以及位于电池串和玻璃之间的胶膜；标签， 标签位于电池串上；和/或， 标签位于玻璃靠近电池串的一侧表面上；标签的材质为透明油墨， 且透明油墨的成分...
    2025-11-14
  • 背接触电池、光伏组件及制备方法
    背接触电池、光伏组件及制备方法_晶科能源(海宁)有限公司_202511313118.4
    本申请涉及一种背接触电池、光伏组件及制备方法， 涉及光伏技术领域。背接触电池包括基底、第一掺杂层、第二掺杂层和导电层。基底包括相对设置的受光面和背光面， 背光面包括至少一个第一区域和至少一个第二区域， 第二区域邻近第一区域的边部设有交叠区；...
    2025-11-14
  • TBC电池及其制备方法
    TBC电池及其制备方法_环晟光伏(江苏)有限公司_202411132650.1
    本发明提供了一种TBC电池及其制备方法， 涉及太阳能电池的技术领域， 该TBC电池在硅基底背面形成PN结， PN结仅形成在硅基底背面P区；硅基底背面P区和背面N区互相隔离。同时， 本发明通过掩膜技术隔离硅基底背面的P区和N区。本发明解决了现...
    2025-11-14
  • 高压静电放电装置
    高压静电放电装置_格芯新加坡私人有限公司_202510202900.2
    本公开涉及半导体结构， 更具体地说， 涉及高压静电放电装置和制造方法。该结构包括：半导体材料， 其包括发射极区、基极区和集电极区；热生长绝缘体区， 其位于半导体材料上且在基极区和集电极区的结上方延伸；第一场板， 其位于热生长绝缘体区上， 第...
    2025-11-14
  • 显示面板和包括该显示面板的显示装置
    显示面板和包括该显示面板的显示装置_三星显示有限公司_202510935517.8
    公开了一种显示面板和包括该显示面板的显示装置。所述显示面板包括：基底；晶体管， 位于基底上；存储电容器， 位于基底上并且电连接到晶体管；金属层， 位于基底与晶体管之间；第一绝缘层， 位于金属层上并且具有第一接触孔；以及布线， 通过第一接触孔...
    2025-11-14
  • 一种阵列基板、显示面板及显示装置
    一种阵列基板、显示面板及显示装置_南京京东方显示技术有限公司_202410445194.X
    本发明公开了一种阵列基板、显示面板及显示装置， 该阵列基板包括：衬底基板；薄膜晶体管， 位于所述衬底基板的一侧；保护层， 位于所述薄膜晶体管远离所述衬底基板的一侧， 所述保护层在所述衬底基板的正投影至少覆盖所述薄膜晶体管在所述衬底基板的正投...
    2025-11-14
  • 基于ITZO薄膜晶体管与碳基晶体管的CMOS反相器及双温双气氛制备方法
    基于ITZO薄膜晶体管与碳基晶体管的CMOS反相器及双温双气氛制备方法_华南理工大学_202511317280.3
    本发明公开了一种基于ITZO薄膜晶体管与碳基晶体管的CMOS反相器及双温双气氛制备方法。本发明利用双温双气氛集成法解决了ITZO薄膜晶体管与碳基晶体管单片集成时工艺不兼容的问题， 将整个器件先在空气或氧气环境中240‑260 ℃退火20‑4...
    2025-11-14
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