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最新专利技术
  • 一种用于晶圆储存的智能化追踪与异常预警方法
    一种用于晶圆储存的智能化追踪与异常预警方法_乐安博特半导体有限公司_202511018131.7
    本发明公开了一种用于晶圆储存的智能化追踪与异常预警方法，涉及晶圆追踪技术领域。该用于晶圆储存的智能化追踪与异常预警方法，包括以下步骤：晶圆盒存取颗粒物干扰监测；洁净度控制信号传输及时性监测；晶圆盒标识识别及时性监测。本发明通过晶圆盒存取颗粒...
    2025-11-19
  • 一种芯片清洗装置
    一种芯片清洗装置_江苏楚昂科技有限公司_202511015417.X
    本发明公开了一种芯片清洗装置，涉及芯片清洗领域，包括箱体，所述箱体的内部设置有两组去离子水箱，且箱体的内部还设置有废水箱，所述箱体的顶部活动安装有连接柱，且连接柱的端部安装有清洗盘，所述清洗盘的顶部开设有清洗槽，且清洗槽的内壁固定有多组限位...
    2025-11-19
  • 清洗设备及清洗环境调节方法
    清洗设备及清洗环境调节方法_上海新昇半导体科技有限公司_202511014362.0
    本发明涉及半导体技术领域，提供了一种清洗设备及清洗环境调节方法，所述清洗设备包括：设备主体、清洗槽、进气单元、出气单元、压力检测单元和风速检测单元；所述设备主体内具有清洗腔，所述清洗槽设置于所述清洗腔内，所述设备主体上设置有进气口、第一出气...
    2025-11-19
  • 一种气动晶圆片揭膜组件
    一种气动晶圆片揭膜组件_安徽积芯微电子科技有限公司_202511012147.7
    本发明公开了一种气动晶圆片揭膜组件，涉及半导体制造设备的技术领域，包括承载平台，承载平台上设置有夹持机构和揭膜机构，夹持机构包括活动夹块，活动夹块呈对称布置在承载平台的顶部，揭膜机构包括支撑架、活动板、活动架、转动辊、吸盘和气泵，支撑架与承...
    2025-11-19
  • 测试装置及探针卡位置的确认方法、晶圆的测试方法
    测试装置及探针卡位置的确认方法、晶圆的测试方法_芯联先锋集成电路制造(绍兴)有限公司_202511011515.6
    本申请涉及一种测试装置及探针卡位置的确认方法、晶圆的测试方法。其中，测试装置包括多个探针组，探针组包括：探针卡具有基板和探针；陪衬台连接于基板的一侧；陪衬针可活动插装于陪衬台，并与探针平行设置；标尺连接于陪衬台；光源连接于陪衬台，陪衬针位于...
    2025-11-19
  • 一种晶圆湿法腐蚀清洗装置
    一种晶圆湿法腐蚀清洗装置_苏州芯汇晶成半导体科技有限公司_202511002603.X
    本申请涉及晶圆加工技术领域，尤其为一种晶圆湿法腐蚀清洗装置，包括支撑板、盛放装置和清洗主体，所述支撑板顶部安装有盛放装置，所述盛放装置与支撑板外侧安装有清洗主体，所述支撑板顶部左右两侧均固定连接有液压伸缩主体，所述液压伸缩主体顶部安装有清洗...
    2025-11-19
  • 一种芯片分选用静电消除工位
    一种芯片分选用静电消除工位_无锡芯启博电子有限公司_202510992403.7
    本发明公开了一种芯片分选用静电消除工位，涉及芯片分选技术领域，包括立杆，所述立杆由上至下依次设置有：离子风机，设置在立杆上端；上料区，设置在离子风机斜下方，设置有多排，由上至下可依次转动；芯片翻面下料区，设置在离子风机正下方；所述芯片翻面下...
    2025-11-19
  • 退火机台退火温度的检测方法
    退火机台退火温度的检测方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202510992267.1
    本发明提供一种退火机台退火温度的检测方法，通过对Cu层进行退火，可使得细小的Cu晶粒生长为大的Cu小丘，随后沉积的NDC层沿着Cu小丘进行生长，粗糙度信号被再次放大，通过检测NDC层的粒径缺陷数量，建立退火温度与NDC层的粒径缺陷数量之间的...
    2025-11-19
  • 基于视觉模组的芯片外观检测分类剔除设备及方法
    基于视觉模组的芯片外观检测分类剔除设备及方法_苏州领威电子科技有限公司_202510975147.0
    本发明涉及芯片检测技术领域，公开了基于视觉模组的芯片外观检测分类剔除设备及方法，包括电动转环，所述电动转环转动连接在底座的顶端中部，所述电动转环的外部四周均转动连接有空心管二，所述底座的外侧顶部转动连接有转动环，所述转动环的内部四周均转动连...
    2025-11-19
  • 一种半导体多芯片自动封装成型设备及封装工艺
    一种半导体多芯片自动封装成型设备及封装工艺_芯创(天门)电子科技有限公司_202510954668.8
    本发明公开了一种半导体多芯片自动封装成型设备及封装工艺，涉及芯片封装领域，包括操作台，所述操作台的一侧设置有输送件，同时所述操作台的端部固定安装有调节组件，通过所述调节组件对芯片进行角度和位置调整；该半导体多芯片自动封装成型设备及封装工艺，...
    2025-11-19
  • 芯片贴装设备
    芯片贴装设备_珠海市硅酷科技有限公司_202510948533.0
    本申请涉及一种芯片贴装设备，芯片贴装设备包括点胶模组和贴合模组，点胶模组的第一输送机构用于沿第一方向输送基板，且用于将基板由点胶工位输送至第一下料工位。点胶模组的点胶组件用于对位于点胶工位的基板进行点胶，以在基板上形成胶体。贴合模组设于点胶...
    2025-11-19
  • 晶圆对准光学检测装置及晶圆对准检测系统
    晶圆对准光学检测装置及晶圆对准检测系统_清华大学_202510786325.5
    本发明涉及半导体加工技术领域，提供一种晶圆对准光学检测装置及晶圆对准检测系统，装置包括相干辐射光源、光波导结构、传输光纤和检测器，相干辐射光源用于发射单波长或多波长的相干辐射束，相干辐射束以垂直入射方向照射至晶圆的对准标记结构，其中，对准标...
    2025-11-19
  • 芯片压合装置、芯片热压键合机及方法
    芯片压合装置、芯片热压键合机及方法_长电科技管理有限公司_202510769213.9
    本申请提供一种芯片压合装置、芯片热压键合机及方法，芯片压合装置包括：具有容纳腔的气缸主体；包括多个按压柱的按压执行件，按压执行件滑动穿设在气缸主体上；当向容纳腔内通入气体时，容纳腔内的气体对按压执行件产生压力并驱动按压柱向远离气缸主体一侧移...
    2025-11-19
  • 基于线阵扫描与最小二乘下采样算法的晶圆圆心定位方法
    基于线阵扫描与最小二乘下采样算法的晶圆圆心定位方法_浙江科技大学_202510568760.0
    本发明涉及基于线阵扫描与最小二乘下采样算法的晶圆圆心定位方法，包括以下步骤：S1、通过线阵扫描获取晶圆包含圆弧段和缺口区域的离散采样点集；S2、通过下采样策略对所述离散采样点集进行自适应降采样，得到下采样后的采样点集；S3、构建线性方程组利...
    2025-11-19
  • 一种半导体晶圆的加工工艺
    一种半导体晶圆的加工工艺_无锡华瑛微电子技术有限公司_202410547599.4
    本发明提供一种半导体晶圆的加工工艺，包括如下步骤：S1，机械手从晶圆装载口取出晶圆；S2, 机械手将取出的晶圆放到校准器上，校准器对晶圆的角度进行校准；S3, 将晶圆放入执行加工工艺的腔室；S4, 晶圆在腔室内进行工艺处理；S5, 晶圆移动...
    2025-11-19
  • 一种退火装置及退火方法
    一种退火装置及退火方法_盛美半导体设备(上海)股份有限公司_202410545680.9
    本发明提供一种退火装置及退火方法。包括：腔体；罩体；罩体驱动机构；进气装置，包括腔体进气单元和罩体进气单元。腔体进气单元被配置为向腔体内部输送第一气体，使腔体内的压强为第一压强，罩体进气单元被配置为向罩体内输送第二气体。退火装置被配置为：当...
    2025-11-19
  • 遮挡装置及半导体清洗设备
    遮挡装置及半导体清洗设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202410543684.3
    本发明提供一种遮挡装置及半导体清洗设备，遮挡装置包括遮挡部，可相对于清洗模块运动以用于开闭传送口；遮挡部上设有通风道，在遮挡部打开传送口时，通风道吹出的气流形成风幕，风幕可覆盖传送口，以隔离相邻两个清洗模块的风场。采用本发明的遮挡装置，清洗...
    2025-11-19
  • 晶圆分片装置
    晶圆分片装置_上海光通信有限公司_202410461190.0
    一种晶圆分片装置，包括：晶圆放置区域，包括多个用于放置不同晶圆的晶圆放置子区域；晶圆识别模块，用于根据晶圆特征识别晶圆；晶圆检测模块，用于检测所述晶圆，并将检测结果与所述晶圆特征进行关联；晶圆传输组件，用于传输所述晶圆，并根据所述晶圆检测模...
    2025-11-19
  • 一种基于多轴协同控制的光学检测方法及系统
    一种基于多轴协同控制的光学检测方法及系统_杭州汇萃智能科技有限公司_202511035685.8
    本发明公开了一种基于多轴协同控制的光学检测方法及系统，属于光学检测技术领域，包括以下步骤：系统初始化；路径规划：采用螺旋路径规划函数得到路径点序列；之后进行多轴反解轨迹规划；控制器实时采样机械臂各关节的角度向量，并输入至控制律函数；视觉补偿...
    2025-11-19
  • 一种碳化硅器件的多应力耦合筛选方法和系统
    一种碳化硅器件的多应力耦合筛选方法和系统_安徽芯塔电子科技有限公司_202511005826.1
    本发明公开了一种碳化硅器件的多应力耦合筛选方法和系统，涉及半导体器件技术领域，包括以下具体步骤：S10：封装样品器件预测试，得到器件主要电气参数的预期值以及预期比值；S20：待测器件极限温度测试，得到待测封装器件在极限温度下的关键电气参数；...
    2025-11-19
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