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最新专利技术
  • 正极复合材料、正极复合材料的制造方法及锂离子电池
    正极复合材料、正极复合材料的制造方法及锂离子电池_出光兴产株式会社_202480021735.4
    一种正极复合材料，包含：钛硫化物TiSx(2
    2025-11-21
  • 电化学元件用分散剂组合物、电化学元件用导电材料分散液、电化学元件电极用浆料、电化学元件用电极以及电化学元件
    电化学元件用分散剂组合物、电化学元件用导电材料分散液、电化学元件电极用浆料、电化学元件用电极以及电化学元件_日本瑞翁株式会社_202480025866.X
    本发明的目的在于提供一种能够形成电化学元件用电极的电化学元件用分散剂组合物，上述电化学元件用电极能够降低电化学元件的IV电阻。本发明的电化学元件用分散剂组合物包含聚合物A，上述聚合物A包含含腈基单体单元和碳原子数为4以上的亚烷基结构单元。将...
    2025-11-21
  • 负极、锂二次电池和包含其的电池组
    负极、锂二次电池和包含其的电池组_株式会社LG新能源_202480026379.5
    本说明书涉及负极(100)和锂二次电池以及包含其的电池组，所述负极包含设置在负极活性材料层(2)上的阻燃聚合物层(3)，其中所述阻燃聚合物层包含当在150℃以上的温度下燃烧时转化为烧焦物(后续形成氧阻断层(4))的阻燃剂。根据实施方式的负极...
    2025-11-21
  • 用于锂金属电池的负极、包括该负极的锂金属电池以及用于制造用于锂金属电池的负极的方法
    用于锂金属电池的负极、包括该负极的锂金属电池以及用于制造用于锂金属电池的负极的方法_三星SDI株式会社_202480021075.X
    提供了用于锂金属电池的负极、包括该负极的锂金属电池以及用于制造用于锂金属电池的负极的方法。负极包括：负极集流体；以及含第一金属涂覆层，其中，含第一金属涂覆层包括包含能够与锂形成合金或化合物的第一金属和有机类材料的材料，并且胺基存在于有机类材...
    2025-11-21
  • 电池单体、电池及用电设备
    电池单体、电池及用电设备_宁德时代新能源科技股份有限公司_202380096051.6
    本申请涉及锂电池技术领域，尤其涉及电池单体、电池及用电设备，电池单体的正极活性材料包括第一种锂镍钴锰氧化物和第二种锂镍钴锰氧化物，负极活性材料包括硅基材料和碳基材料，第二种锂镍钴锰氧化物的镍元素比第一种锂镍钴锰氧化物的镍元素在全部过渡金属元...
    2025-11-21
  • 二次电池用正极和二次电池
    二次电池用正极和二次电池_松下知识产权经营株式会社_202480026227.5
    作为实施方式的一例的正极(11)具备长条状的正极芯体(30)、以及配置于正极芯体(30)的两面的正极合剂层(31)。正极合剂层(31)包括第一区域(32)、以及厚度比第一区域(32)的厚度薄的作为第二区域的薄壁部(33)。薄壁部(33)的厚...
    2025-11-21
  • 负极和包括该负极的锂电池
    负极和包括该负极的锂电池_三星SDI株式会社_202480021653.X
    给出了一种负极和包括该负极的锂电池，该负极包括：负极集流体；保护层，设置在负极集流体的一个表面上；以及负极中间层，设置在负极集流体与保护层之间，其中，保护层包含第一聚合物和第二聚合物，第一聚合物包括高强度聚合物，第二聚合物包括离子导电聚合物...
    2025-11-21
  • 负极极片、电化学装置、电子设备
    负极极片、电化学装置、电子设备_宁德新能源科技有限公司_202480004520.1
    一种负极极片、电化学装置、电子设备。负极极片(100)包括：负极集流体(101)、第一膜层(110)以及第二膜层(120)。第一膜层(110)包括第一负极活性材料，第一负极活性材料为石墨；第二膜层(120)包括第二负极活性材料，第二负极活性...
    2025-11-21
  • 半导体装置及半导体装置的制造方法
    半导体装置及半导体装置的制造方法_株式会社力森诺科_202480024060.9
    半导体装置具备：基板；第一半导体芯片，配置于基板上且为矩形；多个间隔件，配置于基板上的第一半导体芯片的周围；第二半导体芯片，与基板对置以覆盖第一半导体芯片；及黏合层，设置于第二半导体芯片的第一半导体芯片侧的面上并黏合于第一半导体芯片及多个间...
    2025-11-21
  • 功率模块
    功率模块_三菱电机株式会社_202380097288.6
    功率模块具备第一导电图案(100)及第二导电图案(200)、包括所述第一导电图案(100)上的在第一方向上排列的多个电力变换用半导体元件的第一电力变换用半导体元件群、以及多个布线(40)，在所述第二导电图案(200)中形成狭缝(202)，所...
    2025-11-21
  • 堆叠半导体装置
    堆叠半导体装置_美光科技公司_202480016000.2
    提供一种半导体装置组合件。所述半导体装置组合件包含逻辑裸片、顶部存储器裸片及在所述顶部存储器裸片与所述逻辑裸片之间的一或多个中间存储器裸片。所述一或多个中间存储器裸片的安置有有源电路的前侧面向所述顶部存储器裸片的前侧。所述一或多个中间存储器...
    2025-11-21
  • 具有背面变压器的电压隔离集成电路封装件
    具有背面变压器的电压隔离集成电路封装件_阿莱戈微系统有限责任公司_202480018030.7
    本公开的多个方面包括提供具有设置或安装在引线框架的与芯片封装件的相关半导体裸片相反的一侧的变压器的集成电路(芯片)封装件或模块的系统、结构、电路和方法。变压器可以置于PCB结构上。在一些示例中，可以在封装件上布置绝缘涂层，以增加最终封装件的...
    2025-11-21
  • 半导体装置及其制造方法以及电力转换装置
    半导体装置及其制造方法以及电力转换装置_三菱电机株式会社_202480023393.X
    本公开的目的在于得到具有半导体模块的冷却功能、且实现了装置的小型化的半导体装置。在本公开中，多个散热翅片(61)包括分别相邻的四对变形散热翅片(61X)、(61X)和四对变形散热翅片(61X)、(61X)以外的多个通常散热翅片(61n)。四...
    2025-11-21
  • 多芯片模块基板
    多芯片模块基板_太阳控股株式会社_202480023349.9
    提供一种安装基板，具备：基板；多个半导体芯片，安装在所述基板的至少一个面上；以及密封层，覆盖安装有所述多个半导体芯片的基板面，安装基板的特征在于，在所述安装基板的厚度方向上，将所述密封层的厚度设为T，将从安装于所述基板的各半导体芯片的上表面...
    2025-11-21
  • 半导体装置制造用临时保护膜及半导体装置的制造方法
    半导体装置制造用临时保护膜及半导体装置的制造方法_株式会社力森诺科_202480026796.X
    一种半导体装置制造用临时保护膜，其具备：支撑膜；及设置于支撑膜上的黏合层，黏合层含有聚合物且不含有交联剂，所述聚合物包含(甲基)丙烯酸烷基酯及(甲基)丙烯酰吗啉作为单体单元。
    2025-11-21
  • 半导体装置以及半导体装置的制造方法
    半导体装置以及半导体装置的制造方法_罗姆股份有限公司_202480026359.8
    半导体装置具备支撑体、半导体元件以及密封体。上述半导体元件配置于上述支撑体的厚度方向的第一侧。上述密封体覆盖上述支撑体的一部分及上述半导体元件。上述支撑体具有朝向上述厚度方向的第二侧且从上述密封体露出的第一面。上述第一面具有第一凹凸区域。作...
    2025-11-21
  • 采用金属芯以改进电屏蔽和结构强度的用于集成电路(IC)封装件的基板以及相关IC封装件和制造方法
    采用金属芯以改进电屏蔽和结构强度的用于集成电路(IC)封装件的基板以及相关IC封装件和制造方法_高通股份有限公司_202480024661.X
    一种用于集成电路(IC)封装件的基板，该基板采用金属芯以用于实现改进的电屏蔽和结构强度。在一个方面，基板包括芯层。该芯层包括金属芯，该金属芯具有第一表面和与该第一表面相对的第二表面。芯层还包括位于第一表面上的第一绝缘层和位于第二表面上的第二...
    2025-11-21
  • 半导体元件搭载用基板
    半导体元件搭载用基板_日本特殊陶业株式会社_202480021448.3
    半导体元件搭载用基板具备：基材，其由金属构成；电极，其与半导体元件连接；以及绝缘层，其配置于基材与电极之间，该绝缘层的基材侧的表面的由ISO 25178规定的最大高度Sz(μm)为绝缘层自身的厚度以下。
    2025-11-21
  • 布线基板、电子模块以及布线基板的制造方法
    布线基板、电子模块以及布线基板的制造方法_株式会社村田制作所_202480020692.8
    在第1绝缘膜设有在厚度方向上贯通的贯通孔。在作为第1绝缘膜的一个面的第1面配置有第1导体图案。第1导体图案堵塞贯通孔的第1面侧的开口部。在贯通孔中配置有第1连接导体。第1连接导体与第1导体图案连接，第1连接导体的厚度方向的尺寸比第1绝缘膜的...
    2025-11-21
  • 包括偏移互连的集成器件
    包括偏移互连的集成器件_高通股份有限公司_202480025799.1
    一种器件包括集成器件。该集成器件包括至少部分地被封装的管芯。管芯包括导电焊盘。该器件还包括耦合到管芯的第一表面的第一钝化层。该器件包括偏移互连，该偏移互连沿着第一钝化层的表面延伸并且包括延伸穿过第一钝化层中的开口以接触导电焊盘的部分。该器件...
    2025-11-21
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