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最新专利技术
  • 音频播放方法、音频播放系统及车辆
    音频播放方法、音频播放系统及车辆_东风汽车有限公司东风日产乘用车公司_202510708469.9
    本发明提供了一种音频播放方法、音频播放系统及车辆，所述音频播放方法包括检测音频信号的音频类型；在所述音频类型为第一音频类型时，确定驱动策略为混合驱动策略；所述第一音频类型对应的所述音频信号包括低频频率；利用所述混合驱动策略驱动所述低频音响以...
    2025-12-26
  • 一种基于低频高能超声的排水窨井管网检测系统及方法
    一种基于低频高能超声的排水窨井管网检测系统及方法_福建理工大学_202510709075.5
    本发明公开了一种基于低频高能超声的排水窨井管网检测系统及方法，其中系统包括主控制器、主控模块、Mesh主路由以及多个检测终端；检测终端包括从控模块、Mesh节点路由以及超声换能器；主控制器分别与主控模块以及Mesh主路由电连接；从控模块分别...
    2025-12-26
  • 一种基于蓝牙的无线耳机音频传输方法
    一种基于蓝牙的无线耳机音频传输方法_深圳兰奇创发科技有限公司_202510709036.5
    本发明公开了一种基于蓝牙的无线耳机音频传输方法，通过无线耳机中的传感器组获取环境音频矩阵数据；利用改进的CNN卷积神经网络提取环境音频矩阵数据中的噪声频谱特征，通过自适应滤波算法消除矩阵数据中的运动摩擦噪声，得到双通道降噪数据；将双通道降噪...
    2025-12-26
  • 一种基于数据预处理的室分信号智慧监测系统及方法
    一种基于数据预处理的室分信号智慧监测系统及方法_浙江依网科技信息工程有限公司_202510709059.6
    本申请涉及信号监测的技术领域，公开一种基于数据预处理的室分信号智慧监测系统及方法，本发明通过对存在多个信号放大器的总空间进行分区划讨论，得到了每个分区的单独控制方法，能够实现基于倾向系数控制该通信区内的信号放大器的运行状态在启动状态、待机状...
    2025-12-26
  • 测量报告数据的经纬度回填方法、装置、设备及存储介质
    测量报告数据的经纬度回填方法、装置、设备及存储介质_浪潮通信信息系统有限公司_202510707420.1
    本发明提供一种测量报告数据的经纬度回填方法、装置、设备及存储介质，该测量报告数据的经纬度回填方法，包括：获取待回填的测量报告数据，并确定所述测量报告数据的目标小区数据；其中，所述目标小区数据包括小区标识和小区合并指纹数据，所述小区合并指纹数...
    2025-12-26
  • 液冷系统的补液装置及其补液控制方法
    液冷系统的补液装置及其补液控制方法_科华数据股份有限公司_202510706705.3
    本申请提供了一种液冷系统的补液装置及其补液控制方法；液冷系统的补液装置包括控制模组、第一箱体、第二箱体、水泵模组、液位传感器以及开关模组；所述液位传感器，用于检测所述第一箱体中冷却工质的液位；所述控制模组，与所述液位传感器及所述开关模组连接...
    2025-12-26
  • 形成快闪存储器中ONO介电层的方法
    形成快闪存储器中ONO介电层的方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202510708164.8
    本发明公开了一种形成快闪存储器中氧化物‑氮化物‑氧化物(ONO)介电层的方法，旨在改善Flash读取干扰问题。该方法包括：提供一衬底，并在衬底上(优选在预形成的浮栅上)形成第一氧化物层；在第一氧化物层上形成氮氧化硅(SiON)层，该形成过程...
    2025-12-26
  • 改善闪存读干扰的器件及其制造方法
    改善闪存读干扰的器件及其制造方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202510708187.9
    本发明提供一种改善闪存读干扰的器件，包括在浮栅多晶硅层上形成的第一氧化硅层；在第一氧化硅层形成的渗氮二氧化硅层；在渗氮二氧化硅层上形成的氮化硅层；在氮化硅层上形成的第二氧化硅层；在第二氧化硅层上形成的控制栅多晶硅层。本发明渗氮后的氧化层介电...
    2025-12-26
  • 改善存储器件中ONO叠层电学厚度稳定性的方法
    改善存储器件中ONO叠层电学厚度稳定性的方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202510709439.X
    本发明提供一种改善存储器件中ONO叠层电学厚度稳定性的方法，包括：获取第一氧化层、氮化硅层及沉积后第二氧化层的实测厚度；将氮化硅层实测厚度乘以一转换系数得到其等效氧化物厚度；根据目标电学厚度、第一氧化层实测厚度和氮化硅层等效氧化物厚度，计算...
    2025-12-26
  • 沟槽型电容及其制作方法
    沟槽型电容及其制作方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202510706222.3
    本申请公开了一种沟槽型电容及其制作方法，该沟槽型电容包括：衬底，衬底中形成有凹槽，凹槽的深度和宽度的比值大于6；衬底和凹槽表面以下的预定深度的区域内形成有掺杂区，衬底和凹槽的表面形成有介质层，凹槽内填充有多晶硅层，掺杂区为沟槽型电容的第一电...
    2025-12-26
  • 降低高密度深沟槽电容应力的设计方法及结构
    降低高密度深沟槽电容应力的设计方法及结构_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202510717199.8
    本申请公开了一种降低高密度深沟槽电容应力的设计方法及深沟槽电容结构。该方法包括：在沟槽阵列的预定位置，将至少一个第一沟槽设计为断开结构；通过该断开结构，在第一沟槽原始位置形成至少两个第二沟槽及两者间的间隙，间隙用于应力释放。可选地，在间隙内...
    2025-12-26
  • 无背面光刻的深沟槽逆导型IGBT的工艺制作方法
    无背面光刻的深沟槽逆导型IGBT的工艺制作方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202510706218.7
    本发明公开了一种无背面光刻的深沟槽逆导型IGBT的工艺制作方法，旨在解决现有技术工艺复杂、需背面对准及成本高等问题。该方法包括：在第一导电类型外延层的正面形成深沟槽；对深沟槽底部进行第一离子注入形成第二导电类型环形区域；回填深沟槽；完成正面...
    2025-12-26
  • LDMOS器件及其制作方法
    LDMOS器件及其制作方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202510708490.9
    本申请公开了一种LDMOS器件及其制作方法，该器件包括：SOI衬底，其包括硅衬底和形成于硅衬底中的绝缘层，绝缘层将硅衬底隔离为位于上方的顶层衬底和位于下方的底层衬底；栅介质层，栅介质层形成于顶层衬底上；栅极，栅极形成于栅介质层上；其中，顶层...
    2025-12-26
  • 沟槽型外延结构及其制备方法
    沟槽型外延结构及其制备方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202510709451.0
    本申请提供一种沟槽型外延结构及其制备方法，在制备方法中，通过在第一外延层中的深沟槽内依次生长第一本征硅层、掺碳硅层和第二本征硅层，随后再在深沟槽内填充第二外延层，在第一外延层和第二外延层的交界面中引入第一本征硅层、掺碳硅层和第二本征硅层的组...
    2025-12-26
  • 用于场效应管的场板制作工艺
    用于场效应管的场板制作工艺_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202510705936.2
    本申请公开了一种用于场效应管的场板制作工艺，包括：提供一半导体器件，半导体器件的外延层中形成有第一导电类型深阱区和第二导电类型高压阱区，第一导电类型深阱区表层形成有第一导电类型阱区，第二导电类型高压阱区表层形成有第一浅沟槽隔离结构；通过光刻...
    2025-12-26
  • 金属格栅及其形成方法和背照式图像传感器芯片
    金属格栅及其形成方法和背照式图像传感器芯片_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202510708179.4
    本发明公开了一种金属格栅及其形成方法，旨在解决光学串扰问题。该金属格栅包括形成外层结构的介质层，以及被其至少在侧壁包覆并填充内部的金属层。其形成方法包括：在衬底上形成掩模层并在其中形成沟槽；在沟槽内壁沉积介质层；沉积金属层填充沟槽剩余空间并...
    2025-12-26
  • 一种基于等离子体-金属氧化物耦合发光的方法
    一种基于等离子体-金属氧化物耦合发光的方法_武汉大学_202510711604.5
    本发明涉及新型光源技术领域，尤其是公开了一种基于等离子体‑金属氧化物耦合发光的方法，包括以下步骤：S1、选择金属氧化物作为发光载体；S2、搭建包含高压电极、接地电极、发光载体，直流可调电源、限流电阻和导线的放电装置；S3、将所述金属氧化物放...
    2025-12-26
  • 外延结构及制作方法、厚度设计方法、LED芯片和显示装置
    外延结构及制作方法、厚度设计方法、LED芯片和显示装置_厦门乾照光电股份有限公司_202510704058.2
    本申请提供外延结构及制作方法、厚度设计方法、LED芯片和显示装置。外延结构包括衬底、应力补偿层和外延叠层，衬底包括蓝宝石衬底、硅衬底和碳化硅衬底中的一种，应力补偿层设于衬底的一侧表面，外延叠层包括GaN材料层和I nGaN材料层，外延叠层和...
    2025-12-26
  • 钙钛矿电池及其制备方法、叠层电池以及光伏组件
    钙钛矿电池及其制备方法、叠层电池以及光伏组件_晶科能源股份有限公司_202510713149.2
    本申请涉及钙钛矿电池技术领域，提供一种钙钛矿电池及其制备方法、叠层电池以及光伏组件，至少可以实现低成本和高性能的稳定反式PSCs应用。钙钛矿电池包括空穴传输层、钙钛矿吸收层、电子传输层和电极，其中，空穴传输层包括空穴传输材料，空穴传输材料的...
    2025-12-26
  • 一种气相沉积原位合成钙钛矿量子点及电致蓝光器件的制备方法
    一种气相沉积原位合成钙钛矿量子点及电致蓝光器件的制备方法_华中科技大学_202510710972.8
    本发明属于光电器件领域，公开了一种气相沉积原位合成钙钛矿量子点及电致蓝光器件的制备方法，其中钙钛矿电致蓝光器件的发光层是基于CsPbBr3量子点发光体系，是以CsBr、PbBr2和MBABr三者独...
    2025-12-26
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