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最新专利技术
  • 一种三维集成的交叉点阵铁电电容存储器的制备方法
    一种三维集成的交叉点阵铁电电容存储器的制备方法_北京大学_202410521332.8
    本发明公开了一种三维集成的交叉点阵铁电电容存储器的制备方法， 属于半导体存储器领域。本发明由多个平面交叉点阵铁电电容阵列在竖直方向上堆叠而成， 利用铁电介质层的尺寸微缩与三维堆叠能力， 将平面交叉点阵铁电电容阵列垂直堆叠， 使单位晶圆面积内...
    2025-11-22
  • 半导体结构及其制备方法、电子器件
    半导体结构及其制备方法、电子器件_北京超弦存储器研究院_202410527570.X
    一种半导体结构及其制备方法、电子器件， 其中， 半导体结构包括：衬底以及分布在衬底上的多个存储单元；至少一个存储单元包括：晶体管和磁性隧道结组， 磁性隧道结组包括：多个串联的磁性隧道结， 位于第m行的存储单元的晶体管的栅电极连接到第m条字线...
    2025-11-22
  • 存储器及其制作方法、电子设备
    存储器及其制作方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410500555.6
    本申请提供了一种存储器及其制作方法、电子设备。该存储器包括：衬底、晶体管、第一导电结构和存储单元；晶体管设置在衬底的一侧；晶体管包括沿远离衬底方向依次层叠的第一电极层、沟道层和第二电极层、以及环绕于沟道层外周的栅极层；第一导电结构设置于晶体...
    2025-11-22
  • 基于二硫化钼忆阻晶体管的三态内容寻址存储器及其读写方法
    基于二硫化钼忆阻晶体管的三态内容寻址存储器及其读写方法_上海交通大学_202510976793.9
    本发明公开了一种基于二硫化钼(MoS2)忆阻晶体管的三态内容寻址存储器及其读写方法， 包括分别与两个位线和单个行匹配线连接的三态内容寻址存储单元， 所述三态内容寻址存储单元包括：第一MoS2三端忆阻晶体管， 栅极与一条位线连接， 漏极与所述...
    2025-11-22
  • 半导体堆叠结构及其制备方法、高带宽存储器、电子设备
    半导体堆叠结构及其制备方法、高带宽存储器、电子设备_长江存储科技有限责任公司_202410519140.3
    本公开提供了一种半导体堆叠结构及其制备方法、高带宽存储器、电子设备， 涉及半导体芯片技术领域。该半导体堆叠结构包括多个叠置的半导体结构， 半导体结构包括存储单元层、互连层和多个连接部。其中， 互连层包括第一键合层和连接层， 连接层位于存储单...
    2025-11-22
  • 半导体封装件
    半导体封装件_三星电子株式会社_202510260189.6
    提供了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括：基体结构；第一半导体芯片， 在基体结构的上表面上， 并且直接接合到基体结构；第二半导体芯片， 在第一半导体芯片上；下密封层， 在基体结构的上表面上， 并且在第一半导体芯片的侧壁上；以及模制层， ...
    2025-11-22
  • 使用衬底的裸片到裸片链路及制造方法
    使用衬底的裸片到裸片链路及制造方法_安华高科技股份有限公司_202510422710.1
    本公开涉及使用衬底的裸片到裸片链路及制造方法。提供用于实施半导体封装或芯片封装的新颖工具及技术， 且更特定来说， 提供用于实施包含用于裸片到裸片互连的两个或更多个高密度层的半导体封装或芯片封装的方法、系统及设备。在各种实施例中， 一种半导体...
    2025-11-22
  • 一种片上磁芯功率电感器的制备方法
    一种片上磁芯功率电感器的制备方法_中国电子科技集团公司第二十四研究所_202510992947.3
    本发明涉及一种片上磁芯功率电感器的制备方法， 包括：在晶圆上表面利用光刻和深反应离子刻蚀电感器端头绕组的硅槽和电感器中间绕组的硅槽；依次在电感器端头绕组硅槽和电感器中间绕组硅槽的槽壁处形成绝缘薄膜层、钛阻挡层和铜籽晶层；并通过电镀在电感器端...
    2025-11-22
  • 封装横向半导体器件及其制造方法
    封装横向半导体器件及其制造方法_镓能国际有限公司_202510980156.9
    本发明涉及一种封装横向半导体器件及其制造方法， 其中， 封装横向半导体器件包括一个电阻器， 该电阻器连接于器件衬底与封装接地端之间。相较于传统封装结构， 该封装器件减轻了浮置衬底带来的不利影响， 减少了衬底漏电流并提高了击穿电压。此外， 通...
    2025-11-22
  • 铁电电容器结构
    铁电电容器结构_力晶积成电子制造股份有限公司_202410566623.9
    本发明公开一种铁电电容器结构， 包括第一电极、第二电极、第一铁电材料层与第一成核层。第二电极位于第一电极上。第一铁电材料层位于第一电极与第二电极之间。第一成核层接触第一铁电材料层。第一成核层的材料为β‑钨。
    2025-11-22
  • 铁电电容器及其制备方法
    铁电电容器及其制备方法_上海集成电路制造创新中心有限公司_202510996151.5
    本发明提供一种铁电电容器及其制备方法， 其中， 该铁电电容器包括从下至上依次设置的底电极、铁电层以及顶电极， 所述铁电层为通过原子层沉积方法制备的镧掺杂铪锆氧薄膜， 其中， 镧在所述镧掺杂铪锆氧薄膜中的掺杂浓度小于1at%。本发明能够解决现...
    2025-11-22
  • 一种铁电薄膜、铁电电容器及其制备方法
    一种铁电薄膜、铁电电容器及其制备方法_上海集成电路制造创新中心有限公司_202510996154.9
    本发明提供一种铁电薄膜、铁电电容器及其制备方法， 其中， 所述铁电薄膜为通过原子层沉积方法制备的镧掺杂铪锆氧薄膜， 且镧在所述镧掺杂铪锆氧薄膜中的掺杂浓度为1at%~5at%。本发明能够解决现有技术中HZO薄膜在电场循环中的高k值稳定性问题...
    2025-11-22
  • 使用背面连接的去耦电容器
    使用背面连接的去耦电容器_英特尔公司_202510356538.4
    本文提供了用于形成在背面功率轨之间的使用到所述背面功率轨的背面接触部的一个或多个电容器的技术。在一个示例中， 电容器包括与第二多个板状电极交替的第一多个板状电极。背面接触部用于接触所述第一多个板状电极的底表面和所述第二多个板状电极的底表面。...
    2025-11-22
  • 一种电容结构及其制备方法
    一种电容结构及其制备方法_物元半导体技术(青岛)有限公司_202510974269.8
    本发明提供一种电容结构及其制备方法， 制备方法包括步骤：形成第一电容器结构， 第一电容器结构包括第一衬底、第一沟槽型电容器、第一层间介质层及第一电极结构， 形成第二电容器结构， 第二电容器结构包括第二衬底、第一沟槽型电容器、第二层间介质层及...
    2025-11-22
  • 目标器件界面抗氧化方法、基于氮化物插层的抗氧化电容器及制造方法
    目标器件界面抗氧化方法、基于氮化物插层的抗氧化电容器及制造方法_中国科学技术大学_202511051857.0
    本发明公开了目标器件界面抗氧化方法、基于氮化物插层的抗氧化电容器及制造方法， 涉及微电子器件设计技术领域。本发明提供了对氮化物与氧化物的界面进行抗氧化的方式， 通过在界面处设置保护插层、并利用保护插层内的氮化物插层来阻隔氧原子从氧化物向氮化...
    2025-11-22
  • 一种铁电电容器及其制备方法、一种三维铁电存储器阵列
    一种铁电电容器及其制备方法、一种三维铁电存储器阵列_复旦大学_202511064139.7
    本发明属于微电子领域， 具体涉及一种铁电电容器及其制备方法、一种三维铁电存储器阵列， 铁电电容器包括由底至顶依次设置的衬底、底电极、铁电介质层、除氧层和顶电极；铁电介质层为Hf1‑xZrxO2层， 0
    2025-11-22
  • 一种离子二极管膜器件及制备方法
    一种离子二极管膜器件及制备方法_中国科学技术大学苏州高等研究院_202510858911.6
    本发明提供了一种离子二极管膜器件及制备方法该离子二极管膜器件包括：水凝胶层， 包括第一离子团；干态膜层， 位于水凝胶层上， 干态膜层包括第二离子团， 第二离子团能够解离出的离子浓度小于第一离子团能够解离出的离子浓度， 以在水凝胶层和干态膜层...
    2025-11-22
  • 一种基于SiC材料的半导体器件及其制造工艺
    一种基于SiC材料的半导体器件及其制造工艺_深圳辰达半导体有限公司_202511342156.2
    本发明涉及半导体器件技术领域， 具体地说， 涉及一种基于SiC材料的半导体器件及其制造工艺。其包括N+型SiC衬底、设置在衬底上且具有浓度梯度的N型复合缓冲层、位于缓冲层之上的N型漂移区、以及由第一导电类型区和第二导电类型离子注入区构成的有...
    2025-11-22
  • 一种高功率密度三极管及制备方法
    一种高功率密度三极管及制备方法_扬州扬杰电子科技股份有限公司_202511209188.5
    一种高功率密度三极管及制备方法。涉半导体技术领域。包括以下步骤：步骤S100， 在外延片内制备第一重掺杂薄基区， 在第一重掺杂薄基区区域制备第一重掺杂厚基区；步骤S200， 在第一重掺杂厚基区内制备第二重掺杂发射区；步骤S300， 在外延片...
    2025-11-22
  • 压接型IGBT电流自平衡的发射极信号回路结构和电路
    压接型IGBT电流自平衡的发射极信号回路结构和电路_华北电力大学_202510933518.9
    本发明提供了一种压接型IGBT电流自平衡的发射极信号回路结构和电路， 涉及压接型IGBT芯片技术领域， 该回路结构包括IGBT芯片， 设置第一位置、第二位置和两个接线孔的驱动信号PCB板和发射极底座， 栅极通过第一位置与其中一个接线孔电连接...
    2025-11-22
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