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最新专利技术
  • 一种用于工程机械换电框架的电泳防腐方法
    一种用于工程机械换电框架的电泳防腐方法_柳州市龙杰汽车配件有限责任公司_202511247129.7
    一种用于工程机械换电框架的电泳防腐方法，涉及金属表面处理技术领域，包括步骤：S1.预处理：将工件依次进行脱脂、水洗、表调、无铬锆化处理、硅烷处理、纯水洗；S2.电泳：将工件浸入电泳槽的厚膜阴极电泳漆槽液中，通电进行电泳沉积；S3.固化：将电...
    2026-03-18
  • 一种冲压件表面清理设备
    一种冲压件表面清理设备_九江新恒机械制造有限公司_202511254867.4
    本发明涉及汽车零部件加工技术领域，且公开了一种冲压件表面清理设备，包括电泳槽本体，所述电泳槽本体顶部两侧均固定连接有支撑弧板，两个所述支撑弧板的顶部共同固定连接有顶盖，所述顶盖的底部设置有两个夹板，所述电泳槽本体的内部设置有承接板，所述支撑...
    2026-03-18
  • 一种全自动电泳涂装装置及方法
    一种全自动电泳涂装装置及方法_重庆利普科技股份有限公司_202511214784.2
    本发明涉及电泳涂装技术领域，具体涉及一种全自动电泳涂装装置及方法；包括电泳槽、龙门送料架和清理连接单元，清理连接单元包括V型收料座、螺旋轴、驱动电机、排料阀、过滤箱、循环泵、排液管、过滤组件和封闭组件，使用时龙门送料架夹持加工件移动并送入电...
    2026-03-18
  • 一种用于汽车板簧的电泳系统控制方法及装置
    一种用于汽车板簧的电泳系统控制方法及装置_陕西八钢板簧有限公司_202511366959.1
    本申请涉及电泳镀覆技术领域，具体涉及一种用于汽车板簧的电泳系统控制方法及装置，该方法预设初始电压和目标电压，对汽车板簧进行电泳涂装，采集电泳涂装过程中的电压、电流和不同种类的电泳环境数据，以及涂装完成的汽车板簧的不同测量点的膜厚；确定电泳质...
    2026-03-18
  • 一种基于钣金表面处理的智能电镀装置
    一种基于钣金表面处理的智能电镀装置_苏州嘿林精密钣金有限公司_202511310900.0
    本发明公开了一种基于钣金表面处理的智能电镀装置，涉及智能电镀装置技术领域，包括：传感检测模块，包括设置于各槽体内的温度传感器、pH传感器和液位传感器，用于实时采集工艺参数；电源模块，与所述电镀槽体电性连接，为电镀反应提供可控直流电；中央控制...
    2026-03-18
  • 晶圆保持装置的夹盘及晶圆保持装置
    晶圆保持装置的夹盘及晶圆保持装置_盛美半导体设备(上海)股份有限公司_202410545960.X
    本发明提出晶圆保持装置的夹盘及晶圆保持装置。包括：一夹盘骨架；多个接触件，多个接触件均匀分布于夹盘骨架上，接触件包括固定部、连接部和接触部，固定部的一端连接连接部的上端，连接部的下端连接接触部；限位件，固定于夹盘骨架上，限位件用于限位接触件...
    2026-03-18
  • 装片机构、工件处理方法、工件处理装置及镀膜设备
    装片机构、工件处理方法、工件处理装置及镀膜设备_吉姆西半导体科技(无锡)股份有限公司_202511095831.6
    本申请涉及一种装片机构、工件处理方法、工件处理装置及镀膜设备，包括挂具、机架和设于机架的驱动组件。挂具包括沿第一方向依次布置的承挂结构和压接结构，压接结构围绕第一方向形成第一窗口，并包括位于第一窗口且一端悬空的第一压条，多个第一压条沿第一窗...
    2026-03-18
  • 一种钛合金表面电镀控制方法
    一种钛合金表面电镀控制方法_宝鸡拓普达钛业有限公司_202511376789.5
    本发明属于电镀工艺优化技术领域，具体公开提供的一种钛合金表面电镀控制方法，该方法包括：基于实时采集的工件三维轮廓数据动态生成挂具姿态配置方案；同步采集气泡分布图像和电镀液流场数据，经多模态融合生成气泡‑流场耦合特征集；根据耦合特征集实时联动...
    2026-03-18
  • 提高铝电解电容器用电极箔腐蚀容量的微波辅助电解方法
    提高铝电解电容器用电极箔腐蚀容量的微波辅助电解方法_恒扬(韶关)工业有限公司_202511048563.2
    本发明公开提高铝电解电容器用电极箔腐蚀容量的微波辅助电解方法，涉及铝电解电容器领域，开启双频微波辐射源，对电解槽内的电解液中的电极箔进行双频微波交替辐射，同时启动直流电源，对铝箔施加直流电场，形成交替微波辅助电解环境；控制微波功率和电解电流...
    2026-03-18
  • 腐蚀箔及其制备方法
    腐蚀箔及其制备方法_南通海星电子股份有限公司_202511395983.8
    本公开提供腐蚀箔及其制备方法，制备方法包括：将铝箔在含有锌离子的第一碱溶液中进行第一处理；在第一处理之后，对铝箔进行第一蚀刻，以形成主隧道；在含有铜离子的蚀刻溶液中对铝箔进行第二蚀刻，以在主隧道上形成分支隧道。通过采用添加锌离子和铜离子的多...
    2026-03-18
  • 一种由锂电三元混合废料制备富镍单晶正极材料的方法
    一种由锂电三元混合废料制备富镍单晶正极材料的方法_中国科学院青海盐湖研究所_202511020717.7
    本发明公开了一种由锂电三元混合废料制备富镍单晶正极材料的方法。所述方法包括：对NCM523混合废料进行预处理，获得预处理废料；对所述预处理废料进行湿法研磨处理，获得研磨处理废料；将所述研磨处理废料与镍盐、钴盐、锂盐混合进行一次烧结处理，制得...
    2026-03-18
  • 一种多元掺杂的能谱级FAPbBr3单晶及其制备方法
    一种多元掺杂的能谱级FAPbBr3单晶及其制备方法_华中科技大学_202510974730.X
    本发明公开了一种多元掺杂的能谱级FAPbBr3单晶及其制备方法。该多元掺杂的能谱级FAPbBr3单晶的制备方法，包括以下步骤：将甲脒源、铅源、镉源、钡源、溴源、氯源、碘源和有机溶剂混合反应，得到前驱体溶液；将前驱体溶液过滤，随后加入晶种，密...
    2026-03-18
  • 一种碲锌镉单晶VGF生长装置的热电偶固定结构
    一种碲锌镉单晶VGF生长装置的热电偶固定结构_浙江柚芯微电子有限公司_202510872031.4
    本发明涉及碲锌镉单晶长晶工艺技术领域，具体涉及一种碲锌镉单晶VGF生长装置的测温热电偶固定结构，包括：石英管沿竖直方向设置在长晶坩埚与炉膛的内壁之间的位置；通过测温石英管上小孔实现沿高度方向固定测温热电偶，竖直方向、水平方向(角度)可放置多...
    2026-03-18
  • 布里奇曼晶体生长炉及晶体生长方法
    布里奇曼晶体生长炉及晶体生长方法_深圳大学_202510945680.2
    本发明涉及晶体生长技术领域，公开了一种布里奇曼晶体生长炉及晶体生长方法，布里奇曼晶体生长炉包括加热炉和保温稳定装置；所述加热炉内设有结晶腔，所述结晶腔为圆柱形腔，所述保温稳定装置设在所述结晶腔内的一端，所述保温稳定装置为圆管形，所述保温稳定...
    2026-03-18
  • 一种碘化钠晶体的生长装置及晶体生长方法
    一种碘化钠晶体的生长装置及晶体生长方法_扬州佰烁晶体科技有限公司_202511009586.2
    本发明公开了一种碘化钠晶体的生长装置及晶体生长方法，涉及晶体生长技术领域，具体的碘化钠晶体的生长装置包括真空装置、晶体炉、加热装置、保温装置和坩埚，其中加热装置包括主加热器、上加热器和下加热器，从单温区修改为多温区，在晶体生长的过程中，根据...
    2026-03-18
  • 一种氟化炉用热场结构
    一种氟化炉用热场结构_上海汉虹精密机械有限公司_202511196066.7
    本发明涉及机械技术领域。一种氟化炉用热场结构，包括保温结构、加热器结构以及坩埚结构，保温结构包括内外设置的石墨层以及保温毡外层；石墨层内设置有用于容纳加热器结构以及坩埚结构的宝塔状的空腔；保温结构的底部开设有上下贯穿的第一通孔；加热器结构包...
    2026-03-18
  • 单晶炉及电池片加工系统
    单晶炉及电池片加工系统_双良硅材料(包头)有限公司_202410484842.2
    本申请公开了一种单晶炉及电池片加工系统，属于单晶炉领域。该单晶炉包括：炉体、加料筒、连接杆、隔离管以及封堵件；加料筒设置于炉体中，加料筒具有相对的第一开口和第二开口，封堵件设置于第二开口，且封堵件封堵第二开口，隔离管位于加料筒中，至少部分连...
    2026-03-18
  • 一种单晶炉液面温度监测辅助设备
    一种单晶炉液面温度监测辅助设备_云南嘉泰来新材料有限公司_202511041229.4
    本发明涉及温度监测设备技术领域，具体涉及一种单晶炉液面温度监测辅助设备，包括观察窗和红外测温仪，观察窗为筒状结构且与炉体内部连通，炉体安装于底座上，炉体内部安装有坩埚，红外测温仪底部朝向坩埚顶部开口处，还包括安装套管、固定环、玻璃元件、快拆...
    2026-03-18
  • 一种生长立方碳化硅单晶的方法与装置
    一种生长立方碳化硅单晶的方法与装置_北京晶格领域半导体有限公司_202511383464.X
    本发明涉及一种生长立方碳化硅单晶的方法与装置，属于碳化硅单晶生产技术领域。所述方法采用的装置包括籽晶托和籽晶，籽晶托的一面设有多组沿籽晶托径向分布的温控组件，籽晶固定于籽晶托设有温控组件的一面；所述方法为：将生长原料加热熔融，得到高温熔体，...
    2026-03-18
  • 一种碳化硅晶体的生长坩埚、生长装置及生长方法
    一种碳化硅晶体的生长坩埚、生长装置及生长方法_西安华合德新材料科技有限公司_202511384535.8
    本申请涉及碳化硅晶体生长技术领域，具体提供一种碳化硅晶体的生长坩埚、生长装置及生长方法，所述生长坩埚包括本体部、盖合部和导流部；其中，导流部设于本体部与盖合部之间；导流部为环状结构，导流部包括相对设置的第一表面和第二表面以及连通第一表面和第...
    2026-03-18
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