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最新专利技术
  • 碳纳米结构体的涂覆自立膜
    碳纳米结构体的涂覆自立膜_卡纳图芬兰有限公司_202510497418.6
    公开了一种结构体，其包括附接至支撑件的经涂覆的自立膜。所述自立膜是碳纳米结构体的自立膜，并且在所述自立膜上提供厚度为5‑200nm的聚对二甲苯涂层。
    2026-01-29
  • 一种光罩存储机台的控制系统
    一种光罩存储机台的控制系统_浙江赛瑾半导体科技有限公司_202511100750.0
    一种光罩存储机台的控制系统，其包括设备机架，移料机构，储料机构。所述设备机架包括上下料窗口。所述移料机构的夹爪上设置有多个传感器。所述储料机构的每个料仓均包括内圈，外圈，储位，出料口。每个所述储位上还设置有一个示教机构。与现有技术相比，本发...
    2026-01-29
  • 一种掩模板图案的制作方法
    一种掩模板图案的制作方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511403431.7
    本发明提供一种掩模板图案的制作方法，涉及半导体技术领域。掩模板图案的制作方法包括如下步骤：提供晶圆的尺寸数据、芯片图形及与晶圆对应的初始曝光区域的尺寸数据；逐渐减小初始曝光区域的面积，获得多个中间曝光区域；根据中间曝光区域的面积计算晶圆的尺...
    2026-01-29
  • 一种半导体芯片用掩模版蚀刻装置及其方法
    一种半导体芯片用掩模版蚀刻装置及其方法_江苏路芯半导体技术有限公司_202511262683.2
    本发明公开了属于刻蚀设备技术领域的一种半导体芯片用掩模版蚀刻装置及其方法。包括有底座，所述底座固接有箱体，所述箱体内固接有连接板，所述连接板固接有外胆，所述外胆设置有第一孔洞，所述外胆内转动连接有内胆，所述内胆设置有第二孔洞，所述箱体密封滑...
    2026-01-29
  • 一种光掩膜版光刻胶的去除方法及装置
    一种光掩膜版光刻胶的去除方法及装置_成都路维光电有限公司_202511297430.9
    本发明公开了一种光掩膜版光刻胶的去除方法及装置，包括如下步骤：采用UV光源对图形蚀刻后光掩膜版表面剩余的光刻胶进行照射曝光；曝光完成后，采用TMAH溶液去除剩余光刻胶。本发明对蚀刻后光掩膜版表面的整个剩余光刻胶层进行均匀且足量的紫外光照射，...
    2026-01-29
  • 纳米压印方法及系统
    纳米压印方法及系统_歌尔光学科技有限公司_202511403984.2
    本申请公开一种纳米压印方法及系统，涉及纳米压印技术领域，纳米压印方法包括：在吸盘上覆盖纳米薄膜，识别附着在纳米薄膜上的颗粒的位置，并通过光照使得颗粒周边的纳米薄膜变色形成环形标记，根据环形标记获取颗粒的基本信息；根据基本信息去除颗粒；在晶圆...
    2026-01-29
  • 一种负性感光型聚酰亚胺前驱体树脂组合物及其应用
    一种负性感光型聚酰亚胺前驱体树脂组合物及其应用_中山大学_202510944360.5
    本发明涉及一种负性感光型聚酰亚胺前驱体树脂组合物。本发明还提供了一种光敏型潜伏性热致产碱剂及其制备方法。进一步的，本发明还提供了用含有活性光交联基团酚羟基化合物进行封端的聚酰胺酸酯树脂，以及聚酰胺酸酯树脂的制备方法。相对于现有技术，本发明制...
    2026-01-29
  • 感光组合物及其应用
    感光组合物及其应用_珠海基石科技有限公司_202510990581.6
    本申请实施例提供了感光组合物及其应用。本申请提供的感光组合物，感光组合物包括基础树脂、光致产酸剂、咪唑类化合物和溶剂。具体的，通过引入咪唑类化合物，并控制光致产酸剂与咪唑类化合物的质量比在特定的范围内，提升感光组合物的曝光性能，优化曝光工艺...
    2026-01-29
  • 一种感光组合物及其应用
    一种感光组合物及其应用_珠海基石科技有限公司_202510990589.2
    本申请提供了一种感光组合物及其应用。该感光组合物包括基础树脂、胺类化合物、光致可分解碱和溶剂；其中，胺类化合物包括至少一种如式(Ⅱ)所示的化合物：所述感光组合物中，所述胺类化合物与所述光致可分解碱的质量比为1 : (0.01‑100)。本申...
    2026-01-29
  • 一种感光组合物及其应用
    一种感光组合物及其应用_珠海基石科技有限公司_202510990614.7
    本申请提供了一种感光组合物及其应用。该感光组合物包括树脂、氨酯类化合物、鎓盐化合物和溶剂。本申请通过在感光组合物的树脂体系中引入特殊的氨酯类化合物，并将氨酯类化合物和鎓盐化合物的比例的控制在合适的范围内，可以提升感光组合物对酸扩散的控制能力...
    2026-01-29
  • 一种光刻胶及其制备方法
    一种光刻胶及其制备方法_武汉锐晶激光芯片技术有限公司_202511051368.5
    本发明涉及光刻胶技术领域，具体提出了一种光刻胶及其制备方法，本发明的光刻胶原料包括酚醛树脂、重氮萘醌光敏剂、苯基磷酸三苯酯和溶剂，通过特殊的聚合物、增感剂和溶剂的组合，优化了曝光后图案的稳定性和清晰度。实施例中，配方的灵敏度范围在55mJ/...
    2026-01-29
  • 一种抗氢氟酸蚀刻的光刻胶组合物
    一种抗氢氟酸蚀刻的光刻胶组合物_苏州皓申智能科技有限公司_202511375510.1
    本发明公开了一种抗氢氟酸蚀刻的光刻胶组合物，包括含氟树脂、光引发剂、交联剂、流平剂和溶剂；所述含氟树脂包括如下所示结构：；其中，所述R选自氢、羟基、甲氧基、C1‑C6直链或支链烷基、或C1‑C3甲氧基羧基。本发明光刻胶组合物中含氟树脂采用对...
    2026-01-29
  • 感光热固化显影性树脂组合物、其干膜及其固化物以及使用其而形成的印刷电路板
    感光热固化显影性树脂组合物、其干膜及其固化物以及使用其而形成的印刷电路板_太阳油墨(苏州)有限公司_202511135348.6
    印刷性优异、且能够形成具有优异的硬度和耐冷热冲击性的阻焊层的感光热固化显影性树脂组合物、其干膜及其固化物以及使用其而形成的印刷电路板。感光热固化显影性树脂组合物含有(A)乙烯基酯树脂、(B)光聚合引发剂、(C)磷酸酯系分散剂、(D)在一分子...
    2026-01-29
  • 涂胶显影方法及其装置、电子设备、存储介质
    涂胶显影方法及其装置、电子设备、存储介质_香港科技大学(广州)_202511358829.3
    本申请涉及微观尺度加工技术领域，尤其是涉及一种涂胶显影方法及其装置、电子设备、存储介质。本申请实施例的涂胶显影方法，需要先获取涂胶工艺输入参数和显影工艺输入参数；针对所述涂胶工艺输入参数和所述显影工艺输入参数分别进行合规性筛查，得到规范目标...
    2026-01-29
  • 一种光学防伪元件及其制备方法
    一种光学防伪元件及其制备方法_中钞特种防伪科技有限公司_202410533093.8
    本发明提供了一种光学防伪元件及其制备方法。光学防伪元件的制备方法包括：提供基板；在基板一侧表面形成具有第一结构的感光胶层；对部分具有第一结构的感光胶层进行曝光处理，使具有第一结构的感光胶层形成互不重叠的第一区域和第二区域，第一区域为经过曝光...
    2026-01-29
  • 一种单线型光波导超低膨胀微晶玻璃飞秒激光直写方法
    一种单线型光波导超低膨胀微晶玻璃飞秒激光直写方法_上海大学_202510958973.4
    本发明涉及一种无需掩膜，直接用飞秒激光直写技术在超低膨胀微晶玻璃中制备单线型光波导的方法，属于光波导制备及集成光子学领域。制备步骤如下：(1)选取商用超低膨胀微晶玻璃作为基质材料，并对样品进行超声清洗预处理；(2)利用脉宽300fs的飞秒激...
    2026-01-29
  • 一种可测定电子束流的隔离阀装置
    一种可测定电子束流的隔离阀装置_中国电子科技集团公司第四十八研究所_202511043750.1
    本发明公开了一种可测定电子束流的隔离阀装置，将外壳底座设置在电子束曝光机的电子枪上，并处于真空环境，隔离阀座设置在外壳底座内，阀芯组件设置在隔离阀座内，并密封贯穿外壳底座侧部，通过阀芯组件沿着外壳底座侧部在隔离阀座内往复移动，以实现电子枪中...
    2026-01-29
  • 一种利用氧化钆薄膜靶提高极紫外光源辐射的方法
    一种利用氧化钆薄膜靶提高极紫外光源辐射的方法_长春理工大学_202511087461.1
    本发明涉及极紫外光源辐射技术领域，具体公开了一种利用氧化钆薄膜靶提高极紫外光源辐射的方法。包括以下步骤：步骤1：利用硝酸钆溶液进行电沉积，制备得到氧化钆薄膜靶；步骤2：采用激光器作为产生极紫外光源的驱动激光光源，设置入射激光能量、入射激光波...
    2026-01-29
  • 确定结合衬底叠层的对准的方法、衬底叠层和光刻设备
    确定结合衬底叠层的对准的方法、衬底叠层和光刻设备_ASML荷兰有限公司_202511096408.8
    公开了一种用于确定结合衬底叠层的对准的方法、衬底叠层和光刻设备。所述结合衬底叠层至少包括第一衬底和第二衬底，所述方法包括：照射复合对准结构，所述复合对准结构包括所述第一衬底上的第一衍射结构和所述第二衬底上的第二衍射结构；以及基于从对所述复合...
    2026-01-29
  • 一种对准装置和高速宽光谱套刻对准量检测设备
    一种对准装置和高速宽光谱套刻对准量检测设备_苏州天准科技股份有限公司_202511208419.0
    本发明提供了一种对准装置和高速宽光谱套刻对准量检测设备，属于半导体套刻对准量检测技术，装置的对准照明光组的出射光线透射进入耦合光组以提供照明光，耦合光组的光线反射进入对准成像光组以提供目标物的图像信息；设备包括机架、移动载台、测量架、Z轴驱...
    2026-01-29
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