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最新专利技术
  • 一种使用热自分裂工艺制造SiC功率半导体器件的方法
    一种使用热自分裂工艺制造SiC功率半导体器件的方法_威弗洛得有限公司_202510522515.6
    本发明涉及一种使用热自分裂工艺制造SiC功率半导体器件的方法。具体地，根据本发明的实施方式包括：制备具有导电性的SiC晶种衬底的步骤；器件区域形成步骤；第一制造工艺步骤，其包括用于SiC功率半导体器件的掺杂工艺和器件区域中的电极形成工艺；晶...
    2025-11-19
  • 一种晶圆清洗方法
    一种晶圆清洗方法_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202510777036.9
    本公开实施例公开了一种晶圆清洗方法，可以包括对待清洗晶圆进行加热处理，并对待清洗晶圆供给与待清洗晶圆的温度差在预设范围内的去离子水而进行第一次旋转清洗；第一次旋转清洗之后，对待清洗晶圆依次供给含有HF的清洗液和含有臭氧的清洗液而进行第二次旋...
    2025-11-19
  • 一种避免碳化硅晶圆损伤的二流体清洗方法
    一种避免碳化硅晶圆损伤的二流体清洗方法_山东大学_202510832078.8
    本发明涉及一种避免碳化硅晶圆损伤的二流体清洗方法，本发明的二流体高纯氮气流量、超纯水流量、二流体喷嘴和晶圆之间的距离使SiC晶圆经过二流体清洗后，没有白圈缺陷的产生，不会对晶圆表面造成损伤，进一步提高了SiC晶圆的表面质量。
    2025-11-19
  • 一种硅片清洗方法、系统
    一种硅片清洗方法、系统_中环领先半导体科技股份有限公司_202510891201.3
    一种硅片清洗方法、清洗系统，步骤包括：药液清洗，按预设比例向加工系统中加入清洗剂和纯水，在所述加工系统的管道中进行内循环清洗，以去除所述加工系统中管道内的絮状物杂质；纯水清洗，向所述加工系统中加入纯水，并在所述加工系统的管道中进行多次内循环...
    2025-11-19
  • 衬底表面缺陷修复方法及装置
    衬底表面缺陷修复方法及装置_上海传芯半导体有限公司_202510954539.9
    本发明提供一种衬底表面缺陷修复方法及装置，该修复方法包括以下步骤：提供一衬底；通过负偏压溅射在衬底表面沉积形成碳层，使碳离子充分填充衬底表面的缝隙；对衬底进行氧等离子体蚀刻，去除衬底表面的碳层，并至少使缝隙表面的碳原子重组强化；对衬底进行加...
    2025-11-19
  • 包含萘酚芳烷基树脂的抗蚀剂下层膜形成用组合物
    包含萘酚芳烷基树脂的抗蚀剂下层膜形成用组合物_日产化学株式会社_202511039926.6
    本发明的课题在于提供不发生与抗蚀剂层的混合、具有高干式蚀刻耐性、具有高耐热性、高温下的质量减少少、显示平坦的高低差基板被覆性的光刻用抗蚀剂下层膜及用于形成该抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段为一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包...
    2025-11-19
  • 一种降低金属污染改善图像传感器白色像素的方法
    一种降低金属污染改善图像传感器白色像素的方法_格科半导体(上海)有限公司_202410526496.X
    本发明公开了一种降低金属污染改善图像传感器白色像素的方法，至少包含：提供一离子注入机，所述离子注入机包含反应腔室和离子源反应腔；提供一衬底，所述衬底上包含像素区，所述衬底置于所述反应腔室内；向所述离子源反应腔内通入掺杂气体和稀释气体，所述掺...
    2025-11-19
  • 高平坦度低缺陷密度退火片的加工方法
    高平坦度低缺陷密度退火片的加工方法_杭州中欣晶圆半导体股份有限公司_202510783876.6
    本发明涉及一种高平坦度低缺陷密度退火片的加工方法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：采用切克劳斯基法进行拉制单晶，采用拉速＞0.5mm/min结合掺杂氮元素的拉晶工艺。第二步：对单晶进行切片、研磨减薄、腐蚀、抛光和洗净。第三步...
    2025-11-19
  • 半导体元件及其制作方法
    半导体元件及其制作方法_联华电子股份有限公司_202410534038.0
    本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法为，主要先形成一栅极介电层于基底上，然后形成一栅极电极于该栅极介电层上，形成一第一间隙壁于该栅极电极旁，形成一轻掺杂漏极于该第一间隙壁旁的该基底内，形成一第二间隙壁于该第一间隙...
    2025-11-19
  • 一种金属栅结构及其制作方法、半导体器件
    一种金属栅结构及其制作方法、半导体器件_上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司_202410534562.8
    本申请涉及半导体制造领域，公开了一种金属栅及其制作方法、半导体器件，包括准备金属栅前制结构体；金属栅前制结构体包括多晶硅层，在多晶硅层上表面依次层叠的第一介质层、第二介质层和第三介质层，及位于多晶硅层侧面的侧面介质层；将第三介质层完全刻蚀，...
    2025-11-19
  • 一种金属硅化物层的制备方法及半导体结构
    一种金属硅化物层的制备方法及半导体结构_研微(江苏)半导体科技有限公司_202510987172.0
    本发明涉及半导体制造技术领域，涉及一种金属硅化物层的制备方法及半导体结构。本发明的金属硅化物层的制备方法，包括：在半导体衬底上，采用原子层沉积工艺通入金属源、硅源，进行金属硅化物沉积，控制金属‑硅比，形成第一形态的金属硅化物层；结合金属‑硅...
    2025-11-19
  • 一种半导体晶圆的减薄方法及减薄装置
    一种半导体晶圆的减薄方法及减薄装置_武汉山拓微电子有限公司_202511067870.5
    本发明公开了一种半导体晶圆的减薄方法及减薄装置，减薄方法包括：提供半导体晶圆，所述半导体晶圆包括相对设置的第一表面和第二表面；在所述半导体晶圆的第一表面形成凹槽，所述凹槽从所述第一表面延伸至所述半导体晶圆内；其中，所述凹槽的底壁在所述半导体...
    2025-11-19
  • 一种防止MIM电容极板击穿的通孔介质刻蚀方法
    一种防止MIM电容极板击穿的通孔介质刻蚀方法_西安微电子技术研究所_202510988782.2
    本发明提供了一种防止MIM电容极板击穿的通孔介质刻蚀方法，具体步骤如下：第一步刻蚀采用现有刻蚀工艺，将刻蚀时间减少90s~120s，得到一次刻蚀产物；对一次刻蚀产物进行第二步刻蚀，设定选择比为25：1，完成通孔介质刻蚀，得到MIM电容。本发...
    2025-11-19
  • pn异质结材料的制备方法及一种pn异质结材料
    pn异质结材料的制备方法及一种pn异质结材料_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202410498165.X
    本发明提供一种pn异质结材料的制备方法及一种pn异质结材料，该制备方法，将氧化亚铜‑金属氧化物前驱体均匀涂敷到三电极体系的工作电极上，以氢氧化物溶液为电解液，在常温条件下对所述工作电极进行光照(即光辅助法)并连续施加相应的恒定电压，对所述氧...
    2025-11-19
  • 一种芯片支架制备方法
    一种芯片支架制备方法_辽宁伊菲科技股份有限公司_202511049831.2
    本发明公开了一种芯片支架制备方法，涉及芯片封装技术领域，这种方法制备的芯片支架不仅具有优异的绝缘性能，还具备卓越的散热能力，此外，该芯片支架，其硬度高、耐磨性强，能够满足芯片支架在复杂工作环境中的长期稳定运行需求，在制备过程中，通过精细的研...
    2025-11-19
  • 一种功率模块散热结构及其制造方法
    一种功率模块散热结构及其制造方法_哈尔滨工业大学(威海)_202511374969.X
    本发明公布了一种功率模块散热结构及其制造方法，属于半导体器件领域。首先，通过梯度压延工艺制备纤维增强相变层，再将低热阻界面材料与液冷板主体复合，使用覆膜设备将均温薄膜与低热阻界面材料复合，通过梯度热压工艺得到均温液冷板，然后将纤维增强相变层...
    2025-11-19
  • 一种半导体芯片键合方法及芯片键合件
    一种半导体芯片键合方法及芯片键合件_深圳瑞沃微半导体科技有限公司_202511029024.4
    本申请提供了一种半导体芯片键合方法及芯片键合件，包括步骤：通过增材制造方式在所述电路表面制备导电凸块；其中，所述导电凸块与所述芯片电极一一对应；转动所述芯片将所述芯片电极朝向所述导电凸块，并将所述芯片固定在所述导电凸块；其中，所述芯片电极与...
    2025-11-19
  • 一种高散热封装方法及结构
    一种高散热封装方法及结构_江苏盘古半导体科技股份有限公司_202511031170.0
    本发明公开一种高散热封装方法及结构，该方法包括以下步骤：第一步，将芯片贴装在载板上；第二步，在芯片表面覆盖金属层；第三步，将所有芯片用介质层包裹起来；第四步，减薄介质层直至露出芯片；第五步，将散热层键合在芯片表面，之后去除载板，露出芯片的金...
    2025-11-19
  • 电子组件及其制造方法
    电子组件及其制造方法_三维先进有限公司_202510547759.X
    本发明提供一种电子组件及其制造方法。制造方法包括：提供第一部分，其中第一部分包括第一衬底、通过生长在第一衬底上的半导体外延结构所形成的有源组件以及形成在第一衬底上方并与有源组件电性耦合的第一接合结构；提供第二部分，其中第二部分不含有源组件并...
    2025-11-19
  • 一种改善封装产品翘曲的方法及装置
    一种改善封装产品翘曲的方法及装置_星科金朋半导体(江阴)有限公司_202510903682.5
    本发明涉及半导体封装技术领域，尤其是涉及一种改善封装产品翘曲的方法及装置。改善封装产品翘曲的方法包括将封装产品处于玻璃化温度，塑封材料中分子链段的运动能力增强，处于高弹态，具有较大形变的能力，此时通过超声波产生的机械振动，优化分子链段的排列...
    2025-11-19
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