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  • 本公开提出了一种形成半导体结构的方法,涉及半导体技术领域,该方法包括:提供基板,所述基板具有第一表面和第二表面;选择性在所述第一表面上形成抑制层;选择性在所述第二表面上形成目标层,其中,所述抑制层作为所述目标层的抑制剂;执行处理以去除所述抑...
  • 本公开涉及借助于选择性植入的低k互连电介质。通过以下操作在半导体晶片上形成多层级互连结构以包括在互连区上方形成的导电互连结构和在电容器区上方形成的电容器‑端结构:用减小电容的植入物质对所述互连区上方的一个或多个层间介电(ILD)层选择性地进...
  • 本发明提供一种接触孔及其形成方法,通过形成第一介质层,第一介质层覆盖衬底和焊盘;形成第二介质层,第二介质层覆盖第一介质层,第二介质层和第一介质层具有密度差和硬度差;执行刻蚀工艺,依次刻蚀第二介质层和第一介质层形成接触孔,接触孔贯穿所述第二介...
  • 本申请提供一种通孔的制备方法及半导体结构,通过提供衬底,去除部分衬底,于衬底上表层形成至少一凹槽,然后采用具备各向异性的填充材料填充凹槽,形成填充结构,刻蚀填充结构,于凹槽内的填充结构中形成通孔。其中,由于填充材料具备各向异性,部分化学、物...
  • 本发明提供一种半导体器件及其制作方法,在形成金属硅化物之前,先去除掉位于斜面区域的残留氧化硅层,然后再形成金属硅化物层,通过在斜面区域形成斜面金属硅化物层,使得后续形成的粘附层在斜面区域和斜面金属硅化物层接触,由于粘附层和斜面金属硅化物层的...
  • 本申请提供了一种通孔及半导体器件的制备方法,属于半导体领域。该通孔的制备方法包括:提供一半导体结构,半导体结构中包括刻蚀停止层;在半导体结构表面涂覆第一光刻胶,并对第一光刻胶进行第一PRB烘烤得到第一光刻胶层;在第一光刻胶层表面涂覆第二光刻...
  • 本申请公开了一种封装结构及其形成方法,该形成方法包括:提供第一晶圆,包括多个第一晶粒;提供第二晶圆,包括多个第二晶粒;刻蚀第二晶圆的第二键合面,在部分第二晶粒上形成第一凹槽;提供第三晶圆,包括多个第三晶粒;将第二晶圆的第二键合面与第一晶圆的...
  • 本申请公开了一种封装结构及其形成方法,该形成方法包括:提供第一晶圆,包括多个第一晶粒;提供第二晶圆,包括多个第二晶粒;刻蚀第二晶圆的第三表面,在部分第二晶粒上形成第一凹槽;提供第三晶圆,包括多个第三晶粒;将第二晶圆的第三表面与第一晶圆的第二...
  • 本公开是关于半导体技术领域,涉及一种半导体结构的切割方法及芯片单元,半导体结构包括衬底和位于衬底上的器件层,器件层包括多个芯片单元和位于相邻两个芯片单元之间的切割区,切割区包括介质层和嵌设于介质层内的导电结构,切割方法包括:对切割区进行切割...
  • 电子装置及制造电子装置的方法。在一个示例中,一种电子装置包括:衬底,其包括顶侧、底侧、介电结构和导电结构;第一电子部件,其在所述衬底的所述顶侧上方且与所述导电结构耦合,其中所述第一电子部件包括面向所述衬底的第一侧和背对所述衬底的第二侧;包封...
  • 本申请实施例提供的一种封装模组及电子设备和封装模组的制备方法。封装模组包括基片,基片中形成有基于基片的至少一个无源器件;基片包括容纳腔,芯片位于容纳腔内;基片为硅基片、陶瓷基片中的一者。本申请实施例在基片中直接形成无源器件,可以有效地利用基...
  • 本发明涉及了数据存储芯片封装技术领域,且公开了一种数据存储芯片封装结构,包括,防护组件和散热组件,所述防护组件由壳体、底座、芯片本体、顶盖、螺栓和阻尼硅胶构成,所述壳体的内底壁固定连接有底座,所述底座的顶端设置有顶盖。该数据存储芯片封装结构...
  • 本申请公开一种功率芯片封装结构,其包含一功率芯片、相连于所述功率芯片的一第一传输件与两个第二传输件、一封装体及一绝缘无机物。所述封装体包埋所述功率芯片、所述第一传输件、及两个所述第二传输件于其内,并包含裸露所述第一传输件与两个所述第二传输件...
  • 本申请公开了一种高可靠性的芯片封装结构。该芯片封装结构包括芯片封装结构包括第一主表面和第二主表面,其中,第二主表面呈现为矩形,在所述第二主表面靠近边缘的四周设置有多个焊球;在所述第二主表面的四周排布在同一边角区域内的所有焊球所连接的芯片引脚...
  • 本发明涉及一种射频芯片装置100。该射频芯片装置包括:射频芯片112,其被配置为发射和接收射频波;以及包含中空空间的第一外壳114、115,其包括外壳盖115和载体基板114,其中,当外壳盖附接到载体基板时,第一外壳包围射频芯片。射频芯片装...
  • 本发明提供一种用于晶闸管的智能压装结构以及晶闸管压接组件,包括支撑框架、压力调节组件以及压力监测终端;压力调节组件和晶闸管均压装在支撑框架内,压力调节组件位于晶闸管的一侧用于调节晶闸管的夹紧状态;压力调节组件包括堆叠设置的垫片结构,压力监测...
  • 本发明涉及半导体封装技术领域,尤其是涉及一种堆叠芯片封装结构、阵列、芯片封装结构及其制备方法。堆叠芯片封装结构通过将第一焊盘设置于塑封结构的第一侧表面,利用图案化金属层、纵向导电柱将第一焊盘和芯片单元的第一芯片管脚电学连接,减小信号传输至每...
  • 本发明涉及半导体封装技术领域,尤其是涉及一种堆叠芯片封装结构、阵列、芯片封装结构及其制备方法。堆叠芯片封装结构通过将第一焊盘设置于塑封结构的第一侧表面,利用图案化金属层、纵向导电柱将第一焊盘和芯片单元的第一芯片管脚电学连接,减小信号传输至每...
  • 本申请涉及封装技术领域,尤其涉及一种组合凸块结构、半导体封装结构及其制备方法。一种组合凸块结构包括芯片结构本体和位于芯片结构本体第一表面的所述组合凸块焊盘表面的组合凸块,在物理空间上进行重构,将所述第一凸块、所述第二凸块集成到一个组合凸块中...
  • 本申请涉及半导体封装技术领域,尤其涉及一种堆叠凸块结构、半导体封装结构及其制备方法。一种堆叠凸块结构,包括:芯片结构本体和和位于芯片结构本体第一表面的所述堆叠凸块焊盘表面的堆叠凸块,通过先进封装技术,所述堆叠凸块结构在物理空间上进行重构,将...
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