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最新专利技术
  • 一种晶圆转运盒升降结构
    一种晶圆转运盒升降结构_荣耀半导体材料(嘉善)有限公司_202512017866.4
    本说明书实施例提供一种晶圆转运盒升降结构，晶圆转运盒包括可分离的上盒体和下盒体，升降结构安装于下盒体上，包括升降机构，升降机构包括支撑部和升降部，升降部与支撑部为一体式结构，支撑部至少部分伸入到容纳空间内，且支撑部伸入到容纳空间内的高度可调...
    2026-04-24
  • 一种用于晶圆清洗的转片机构
    一种用于晶圆清洗的转片机构_苏州施密科微电子设备有限公司_202610034829.6
    本发明涉及晶圆清洗技术领域，具体涉及一种用于晶圆清洗的转片机构，包括：基座、转盘组件、夹持组件、清洗组件和驱动组件。在夹持组件完成晶圆夹持后，清洗组件开始向晶圆表面喷洒清洗液进行清洗。与此同时，驱动组件启动并驱使转盘组件低速转动，带动晶圆同...
    2026-04-24
  • 半导体用垫块复合层、制备方法及垫块
    半导体用垫块复合层、制备方法及垫块_大连佳峰自动化股份有限公司_202610303117.X
    本发明公开了一种半导体用垫块复合层、制备方法及垫块，从靠近铍铜的基体到远离基体依次包括复合镀层及表面微织构，复合镀层从靠近基体到远离基体依次包括铬过渡层、α‑类金刚石碳层以及掺二硫化钨的自润滑层，α‑类金刚石碳层内均匀分布有硬质金属碳化物增...
    2026-04-24
  • 一种晶圆翻转及多角度调控装置
    一种晶圆翻转及多角度调控装置_达波科技(上海)有限公司_202610321570.3
    本发明公开了一种晶圆翻转及多角度调控装置，属于半导体制造设备技术领域。其包括主体支架、夹具支架、晶圆夹具和调整机构。夹具支架与主体支架转动配合，并能绕与晶圆轴线共线的第一轴线转动；晶圆夹具仅夹持晶圆边缘或侧面，避免接触正反面。通过调整机构驱...
    2026-04-24
  • 晶圆生产的控制方法、装置、设备、系统及存储介质
    晶圆生产的控制方法、装置、设备、系统及存储介质_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202511755100.X
    本公开提供了一种晶圆生产的控制方法、装置、设备、系统及存储介质；该控制方法包括：获取待测晶圆的检测数据以及生产上下文信息；根据待测晶圆的生产上下文信息，调整缺陷识别模型的推理策略；利用调整后的缺陷识别模型对检测数据进行分析，获得待测晶圆的缺...
    2026-04-24
  • 晶圆检测与标识的设备、方法及介质
    晶圆检测与标识的设备、方法及介质_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202511775182.4
    本公开提供了一种晶圆检测与标识的设备、方法及介质，该方法包括：当装载有批量晶圆的载具到达时，控制标识单元启动对载具中的晶圆执行标识作业，并联动触发属性检测单元对晶圆执行检测作业以获取晶圆的实测属性；当实测属性与晶圆的预设属性不一致时，将晶圆...
    2026-04-24
  • MOS器件衬底浓度监测结构、监测芯片和监测方法
    MOS器件衬底浓度监测结构、监测芯片和监测方法_广立微(北京)技术有限公司_202511903957.1
    本申请提供一种MOS器件衬底浓度监测结构、监测芯片和监测方法，该监测结构包括：至少一组测试单元，测试单元包括相邻设置的第一阱区和第二阱区，第一阱区与第二阱区的掺杂类型不同，在第一阱区中间隔布置有第一MOS结构和第二MOS结构，其中，第一MO...
    2026-04-24
  • 中介层的探测点制备方法及中介层
    中介层的探测点制备方法及中介层_深圳市晶存科技股份有限公司_202511913055.6
    本申请属于半导体技术领域，公开了一种中介层的探测点制备方法及中介层，所述中介层的探测点制备方法包括：在中介层的内部形成探测焊盘；对所述中介层的侧部进行处理以暴露出所述探测焊盘的侧向表面，在暴露出的所述侧向表面上形成金属化结构以构成位于所述中...
    2026-04-24
  • 一种半导体器件的测试结构及测试方法
    一种半导体器件的测试结构及测试方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610330738.7
    本申请提供一种半导体器件的测试结构及测试方法，涉及半导体技术领域。本申请在半导体器件的划片槽构建了用于测试半导体结构中目标通孔的通孔测试结构，在通孔测试结构中，待测通孔与目标通孔采用相同的工艺形成，使待测通孔能反映目标通孔的工艺参数。在通孔...
    2026-04-24
  • 形成半导体结构的方法
    形成半导体结构的方法_南亚科技股份有限公司_202411597679.7
    本发明提供一种形成半导体结构的方法。方法包括以下操作。形成类金刚石碳硬遮罩层在基板上，其中类金刚石碳硬遮罩层的吸光度小于或等于0.5。形成介电抗反射涂层在类金刚石碳硬遮罩层上。形成底部抗反射涂层在介电抗反射涂层上。硬遮罩具有较小的吸光度，因...
    2026-04-24
  • 光致抗蚀剂涂布方法
    光致抗蚀剂涂布方法_联芯集成电路制造(厦门)有限公司_202411401089.2
    本发明公开一种光致抗蚀剂涂布方法，包含提供一晶圆，使晶圆维持一第一转速，喷涂一光致抗蚀剂至晶圆的一表面上，进行一高转速步骤，使晶圆的转速提高至一第二转速，并让部分光致抗蚀剂移动到晶圆上的一边界区域，对晶圆的边界区域进行一第一次晶圆边界清洗步...
    2026-04-24
  • 晶圆边缘刻蚀工艺
    晶圆边缘刻蚀工艺_晟盈半导体设备(江苏)有限公司_202511740747.5
    本发明公开了晶圆边缘刻蚀工艺，其包括如下步骤S1、装载；S2、刻蚀；S3、清洗；S3、干燥。本发明一方面基于晶圆旋转速率设置上喷管相关喷淋参数，使得刻蚀液在晶圆上表面能够形成处于粘性流动状态且厚度与晶圆边缘曲率半径接近的连续流体液膜，并确保...
    2026-04-24
  • 一种再生晶圆去膜处理工艺
    一种再生晶圆去膜处理工艺_晶芯半导体(黄石)有限公司_202511772602.3
    本申请提供了一种再生晶圆去膜处理工艺，该再生晶圆去膜处理工艺，包括以下步骤：S1：提供表面设置有介电层的待处理晶圆；S2：对所述待处理晶圆的外边缘区域进行等离子轰击处理，使待处理晶圆的外边缘区域上的介电层形成微孔通道，得到等离子处理晶圆；S...
    2026-04-24
  • 碳化硅晶圆及其制备方法
    碳化硅晶圆及其制备方法_重庆奕欣科技有限公司_202511933408.9
    本申请提供了碳化硅晶圆及其制备方法，该制备方法包括：在碳化硅基底中形成改质层；在所述改质层处执行剥离操作，以获得碳化硅中间体；对所述碳化硅中间体进行磨削操作，以去除剥离表面损伤并修正几何形貌；将经磨削的所述碳化硅中间体进行双面抛光操作，以释...
    2026-04-24
  • 提升AgMnGePbSbTe5高熵半导体材料电导率的方法、AgMnGe1-xPbSbTe5高熵半导体材料及其制备方法
    提升AgMnGePbSbTe5高熵半导体材料电导率的方法、AgMnGe1-xPbSbTe5高熵半导体材料及其制备方法_中核武汉核电运行技术股份有限公司_202511863310.0
    本公开属于核电技术领域，具体涉及一种提升AgMnGePbSbTe5高熵半导体材料电导率的方法、AgMnGe1‑xPbSbTe5高熵半导体材料及其制备方法。本公开提供的高熵半导体AgMnGe1‑xPbSbTe5的载流子浓度由x＝0时的10×1...
    2026-04-24
  • 基板处理方法和基板处理装置
    基板处理方法和基板处理装置_东京毅力科创株式会社_202511394762.9
    本发明提供一种能够调整在凹部内形成氮化硅膜时的循环速率的基板处理方法和基板处理装置。本公开的一技术方案的基板处理方法具有以下工序：准备在表面具有凹部的基板；向所述基板供给氯气，并在所述凹部内形成吸附阻碍层；向所述基板供给原料气体，并在所述凹...
    2026-04-24
  • 基板处理方法和基板处理装置
    基板处理方法和基板处理装置_东京毅力科创株式会社_202511395093.7
    本发明提供一种能够提高在凹部内形成氮化硅膜时的循环速率的基板处理方法和基板处理装置。本公开的一技术方案的基板处理方法具有以下工序：准备在表面具有凹部的基板；向所述基板供给氯气，并在所述凹部内形成吸附阻碍层；向所述基板供给原料气体，并在所述凹...
    2026-04-24
  • 一种半绝缘碳化硅晶片及退火方法
    一种半绝缘碳化硅晶片及退火方法_浙江晶越半导体有限公司_202511747230.9
    本发明涉及碳化硅晶体制备领域，尤其涉及一种半绝缘碳化硅晶片及退火方法，所述退火方法包括以下步骤：(a)将待退火SiC晶片在富硅气相环境下进行退火，从而形成碳空位点缺陷；(b)快速降温，从而SiC晶片上的冻结碳空位浓度；(c)在真空环境下对S...
    2026-04-24
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_长鑫科技集团股份有限公司_202411413818.6
    一种半导体结构及其制造方法。该制造方法包括：提供基底；在所述基底中形成插塞结构，所述插塞结构包括第一插塞和位于所述第一插塞上的第二插塞；所述第二插塞在所述基底上的投影面积大于所述第一插塞在所述基底上的投影面积；在所述基底中形成硅通孔结构，所...
    2026-04-24
  • 一种半导体器件的制造方法及半导体器件
    一种半导体器件的制造方法及半导体器件_无锡华润微电子有限公司_202411415779.3
    本申请涉及一种半导体器件的制造方法及半导体器件，所述方法包括：方法包括：提供衬底，其中衬底包括第一区域和第二区域，在第一区域的衬底内形成有源极；栅氧层位于第一区域，场氧层位于第二区域；形成栅电极层；形成氧化层覆盖栅氧层、栅电极层以及场氧层上...
    2026-04-24
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