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最新专利技术
  • 晶体管及其制作方法
    晶体管及其制作方法_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202511938941.4
    本公开提供了一种晶体管及其制作方法，属于半导体技术领域。所述晶体管包括异质结、多个电极和连接结构，所述多个电极均与所述异质结电连接，且沿第一方向平行间隔布置；所述多个电极包括多个栅极、多个源极和多个漏极，所述多个电极中位于两侧的电极为所述源...
    2026-05-11
  • 增强型晶体管及其制作方法
    增强型晶体管及其制作方法_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202511951686.7
    本公开提供了一种增强型晶体管及其制作方法，属于半导体技术领域。所述增强型晶体管包括沟道层、势垒层、栅介质层以及多个栅极；所述沟道层、所述势垒层和所述栅介质层依次层叠；所述多个栅极位于所述栅介质层远离所述沟道层的一侧，且沿第一方向间隔布置，相...
    2026-05-11
  • 高电子迁移率晶体管及其制备方法
    高电子迁移率晶体管及其制备方法_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511953853.1
    本公开提供了一种高电子迁移率晶体管及其制备方法，属于半导体技术领域。该高电子迁移率晶体管，包括：外延层、栅极结构、源极结构和漏极结构；外延层包括第一沟道层、第一势垒层、第二沟道层、第二势垒层和连通耗尽层，第二沟道层和第二势垒层的一侧具有沟槽...
    2026-05-11
  • 高电子迁移率晶体管装置及其制造方法
    高电子迁移率晶体管装置及其制造方法_英属开曼群岛商海珀电子股份有限公司_202610203148.8
    一种高电子迁移率晶体管装置及其制造方法，其中高电子迁移率晶体管装置包括通道层、阻障层、栅极结构、介电层、漏极、第一源极场板、及第二源极场板。阻障层设于通道层上。栅极结构设于阻障层上。介电层设于阻障层上。漏极由源/漏极金属层蚀刻而成。第一源极...
    2026-05-11
  • 一种无结晶体管及其制造方法
    一种无结晶体管及其制造方法_广东省大湾区集成电路与系统应用研究院_202411563094.3
    本申请提供一种无结晶体管及其制造方法，无结晶体管包括衬底、衬底上依次层叠的埋氧层、核层和壳层，还包括壳层上的栅极，位于栅极两侧的源漏，以及位于栅极和源漏之间的侧墙，壳层的掺杂浓度小于核层的掺杂浓度，侧墙朝向所述栅极的侧壁包括第一平面，所述侧...
    2026-05-11
  • 半导体装置及其在多晶开口的制造方法
    半导体装置及其在多晶开口的制造方法_深圳真茂佳半导体有限公司_202411585767.5
    本申请公开了半导体装置及其在多晶开口的制造方法, 半导体装置包括衬底、第一掺杂类型的外延层、第二掺杂类型的多个基极、阱区和源极区、栅极、第一掺杂埋层和第二掺杂埋层以及源极金属层，外延层刻蚀有沟槽，基极设置在外延层内，阱区和源极区的侧边相接基...
    2026-05-11
  • 垂直环形沟道三维晶体管及制备方法
    垂直环形沟道三维晶体管及制备方法_成都新紫光半导体科技有限公司_202411595498.0
    本公开涉及一种垂直环形沟道三维晶体管及制备方法，垂直环形沟道三维晶体管包括：M个堆叠层，其中，M为正整数，每一所述堆叠层包括依次沉积的氮化硅层、第一掺杂多晶硅层、氧化物层、第二掺杂多晶硅层；栅极结构，其中，所述栅极结构包括栅极电极，以及每一...
    2026-05-11
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202510507284.1
    本申请公开一种半导体装置和制造半导体装置的方法。该半导体装置包括一支撑基板；以及一通道层，其平行于该支撑基板的一顶部表面，沿一第一方向延伸，并沿该第一方向依序包括一漏极、一通道和一源极。该通道的一顶部表面偏离小于其均方根粗糙度的三倍。
    2026-05-11
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_成都芯源系统有限公司_202511608076.7
    一种制造半导体器件的方法。根据一些实施例，该方法包括形成第一导电类型的衬底，使该衬底中制作有可用作该半导体器件中的类桶状结构之底层的掺杂层。该底层具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型，且该底层的峰值掺杂浓度平面距离该衬底的初始衬底层的顶...
    2026-05-11
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_成都芯源系统有限公司_202511608081.8
    一种半导体器件包括第一导电类型的衬底和形成于该衬底中的第二导电类型的类桶状结构。该第二导电类型与该第一导电类型相反。该类桶状结构含有埋设于所述衬底的初始衬底层中的第二导电类型的底层，该底层的峰值掺杂浓度平面距离所述初始衬底层的顶表面具有预定...
    2026-05-11
  • 晶体管及其制造方法
    晶体管及其制造方法_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202511930724.0
    本公开提供了一种晶体管及其制造方法，属于半导体技术领域。晶体管包括：衬底、异质结、电极组件和帽层，所述异质结包括依次层叠在所述衬底上的沟道层和势垒层，所述电极组件包括源极、漏极和栅极，所述源极和所述漏极位于所述栅极的两侧，且所述栅极、所述源...
    2026-05-11
  • 射频功放管及其制备方法
    射频功放管及其制备方法_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202511931233.8
    本公开提供了一种射频功放管及其制备方法，属于电力电子领域。该射频功放管包括：衬底、异质结层、第一介质层、栅极、源极和漏极，所述异质结层和所述第一介质层依次层叠于所述衬底上；所述第一介质层的表面具有露出所述异质结层的多个过孔，所述栅极、所述源...
    2026-05-11
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_三星电子株式会社_202511464567.9
    本发明提供一种半导体器件及其制造方法。半导体器件可以包括：衬底；具有鳍形状并在垂直于衬底的上表面的第一方向上从衬底突出的沟道层；在沟道层的第一侧表面、沟道层的与第一侧表面相反的第二侧表面和沟道层的上表面上的外部栅电极；以及接触沟道层的下表面...
    2026-05-11
  • 碳化硅金氧半导体场效晶体管及其制造方法
    碳化硅金氧半导体场效晶体管及其制造方法_积亚半导体股份有限公司_202411977827.8
    本发明提供一种碳化硅金氧半导体场效晶体管及其制造方法，其中，碳化硅金氧半导体场效晶体管的制造方法包括以下步骤：提供碳化硅基板；于碳化硅基板上形成N型碳化硅外延层，其中N型碳化硅外延层包括顶面；于N型碳化硅外延层内且邻接顶面处形成两掺杂结构，...
    2026-05-11
  • LDMOS及其形成方法
    LDMOS及其形成方法_中芯北方集成电路制造(北京)有限公司_202411596911.5
    一种LDMOS及其形成方法，所述形成方法包括：衬底；体区，所述体区位于所述衬底内；栅极结构，部分所述栅极结构位于所述体区正上方；第一掺杂区，所述第一掺杂区位于所述栅极结构一侧的体区内，所述第一掺杂区的掺杂类型与所述体区的掺杂类型不同；外接掺...
    2026-05-11
  • 一种LDMOS器件及其制作方法
    一种LDMOS器件及其制作方法_广州增芯科技有限公司_202610202028.6
    本申请提供了一种LDMOS器件及其制作方法，涉及半导体技术领域。该LDMOS器件可以包括：半导体衬底；位于半导体衬底上且具有第一导电类型的漂移区；位于漂移区一端且具有第二导电类型的体区；位于体区表面并部分延伸至漂移区之上的栅极结构；位于体区...
    2026-05-11
  • 半导体器件及其制备方法、功率模块、功率转换电路、车辆
    半导体器件及其制备方法、功率模块、功率转换电路、车辆_长飞先进半导体(武汉)有限公司_202610158757.6
    本发明公开了一种半导体器件及其制备方法、功率模块、功率转换电路、车辆。半导体器件包括：半导体本体，包括相对设置的第一表面和第二表面；半导体本体还包括第一区域、阱区和至少一个第二区域；第一区域设置为第一导电类型且位于第一表面，阱区设置为第二导...
    2026-05-11
  • 半导体器件及其制备方法、功率模块、功率转换电路、车辆
    半导体器件及其制备方法、功率模块、功率转换电路、车辆_安徽长飞先进半导体股份有限公司_202610158763.1
    本发明公开了一种半导体器件及其制备方法、功率模块、功率转换电路、车辆。半导体器件包括：半导体本体，包括相对设置的第一表面和第二表面，还包括第一区域、阱区和第二区域；栅极绝缘层，位于第一表面；栅极层，位于栅极绝缘层远离第一表面的一侧；第一介质...
    2026-05-11
  • 具有沟槽栅极结构和屏蔽区域的碳化硅半导体器件
    具有沟槽栅极结构和屏蔽区域的碳化硅半导体器件_英飞凌科技股份有限公司_202610165258.X
    本发明涉及一种半导体器件(500)，其具有栅极结构(150)，该栅极结构从第一表面(101)延伸到碳化硅本体(100)中，其中栅极结构(150)沿平行于第一表面(101)的第一水平方向(191)的宽度(w1)小于栅极结构(150)的垂直于第...
    2026-05-11
  • 一种宽禁带半导体器件
    一种宽禁带半导体器件_湖北九峰山实验室_202610202789.1
    本申请公开了一种宽禁带半导体器件，可用于半导体领域，该器件包括：P型柱区、N型柱区、P型埋层、P型连接层、栅极以及源电极；其中，P型柱区和N型柱区沿第一方向交替排布；P型柱区、P型埋层、P型连接层以及源电极沿第二方向排列，P型连接层与源电极...
    2026-05-11
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