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最新专利技术
  • 互补场效应晶体管器件结构及其制备方法
    互补场效应晶体管器件结构及其制备方法_中国科学院微电子研究所_202511946235.4
    本发明公开互补场效应晶体管器件结构及其制备方法，涉及晶体管技术领域，以解决现有技术中传统二维铁电半导体材料无法实现P型晶体管、传统硅基材料在纳米尺度下性能提升受限的技术问题。互补场效应晶体管器件结构包括：衬底；形成于衬底上的至少一组异质结单...
    2026-05-11
  • 半导体器件结构及其形成方法
    半导体器件结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202512045168.5
    本公开的实施例提供了半导体器件结构及其形成方法。结构包括源极/漏极区域、设置在源极/漏极区域上方的接触蚀刻停止层、设置在接触蚀刻停止层上方的第一层间介电(ILD)层、设置在接触蚀刻停止层和第一ILD层上方的蚀刻停止层、设置在蚀刻停止层上方的...
    2026-05-11
  • 一种半导体器件结构及其制备方法
    一种半导体器件结构及其制备方法_深圳市鹏新旭技术有限公司_202610435959.0
    本发明公开了一种半导体器件结构及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，半导体器件结构包括衬底、第一晶体管及第二晶体管、两个公共侧墙，第一晶体管设置于衬底上，第二晶体管设置于第一晶体管上，第一晶体管及第二晶体管之间设置有隔离层，第一晶体管包括第...
    2026-05-11
  • 阵列基板及其制备方法、显示面板
    阵列基板及其制备方法、显示面板_合肥鑫晟光电科技有限公司_202610186387.7
    本公开提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，阵列基板包括衬底基板、第一导电层、有源层、栅极层及源漏电极层；栅极层包括第一导电图案；源漏电极层包括第一电极线和第二电极线，第一电极线包括多个第一电极，第二电极线包括多个分立设置的第二电极，第一...
    2026-05-11
  • 一种新型异位触发SCR结构
    一种新型异位触发SCR结构_杰平方半导体(上海)有限公司_202411529958.X
    本发明公开了一种新型异位触发SCR结构，属于半导体器件技术领域，该新型异位触发SCR结构，包括第一导电类型基底；第一导电类型阱区，设置在第一导电类型基底中；第二导电类型阱区，设置在第一导电类型阱区的一侧；第一触发区，设置在第二导电类型阱区中...
    2026-05-11
  • 静电放电保护装置
    静电放电保护装置_晶焱科技股份有限公司_202411882169.4
    本发明公开一种静电放电保护装置，其包括一二极管、一电压箝位元件、一电子元件、一第一接脚与一第二接脚。二极管包括第一导电型的一第一掺杂区与第二导电型的一第二掺杂区，其中第一导电型与第二导电型相反。电压箝位元件电性连接第一掺杂区。电子元件包括第...
    2026-05-11
  • 静电放电器件及其操作方法
    静电放电器件及其操作方法_英飞凌科技有限责任公司_202511589415.1
    根据一些实施例，一种器件包括参考电源焊盘、负电源焊盘、连接到负电源焊盘的电阻器、以及连接到参考电源焊盘和负电源焊盘并且具有连接到电阻器的第一栅极电极的第一晶体管，其中响应于静电电压施加到参考电源焊盘或负电源焊盘之一，第一晶体管可操作用于将电...
    2026-05-11
  • 具有SCR结构的ESD保护器件
    具有SCR结构的ESD保护器件_华虹半导体(无锡)有限公司_202610017990.2
    本申请通过本申请提供一种具有SCR结构的ESD保护器件，第一阱区(PW)中的块状的第二重掺杂区(N+)和块状的第三重掺杂区(P+)交错排布，并且第二阱区(NW)中的块状的第五重掺杂区(P+)和块状的第六重掺杂区(N+)交错排布，由于SCR结...
    2026-05-11
  • 背接触电池、背接触电池的制备方法和光伏组件
    背接触电池、背接触电池的制备方法和光伏组件_浙江晶科能源有限公司_202610452795.2
    本申请涉及一种背接触电池、背接触电池的制备方法和光伏组件。基底具有第一面，第一面包括交替排列的第一区域和第二区域。隧穿层设于第一区域，第一掺杂半导体层设于隧穿层远离基底的一侧。掺杂场区位于第一区域，掺杂场区和第一掺杂半导体层均具有第一掺杂元...
    2026-05-11
  • 一种背接触太阳能电池及光伏组件
    一种背接触太阳能电池及光伏组件_TCL中环新能源科技股份有限公司_202610201890.5
    本发明涉及光伏技术领域，尤其涉及一种背接触太阳能电池及光伏组件。该背接触太阳能电池包括基底，基底的背光面上形成有沿X向交替间隔排列的第一区域和第一区域，相邻的第一区域和第二区域的间隙形成第三区域，每个第一区域内形成有第一掺杂层，每个第二区域...
    2026-05-11
  • 光伏电池片及其制作方法、显示屏、电子设备
    光伏电池片及其制作方法、显示屏、电子设备_华为终端有限公司_202411562992.7
    本申请涉及光伏电池技术领域，提供一种光伏电池片及其制作方法、显示屏、电子设备，能够解决相关技术中的具有光伏电池的电子设备中光伏电池产生的电能较少，不利于电子设备续航时间提高的问题。该光伏电池片包括承载基板，以及设置于承载基板的光伏电池层；承...
    2026-05-11
  • 太阳能光伏板层压前的一体化封装设备
    太阳能光伏板层压前的一体化封装设备_威光自动化科技股份有限公司_202411585542.X
    本发明提供一种太阳能光伏板层压前的一体化封装设备，包括在一机台上形成X轴向的一主输送道，用以间隔布设多个复材加工区，该主输送道滑组一底玻上料平台和一背玻上料平台，该主输送道并衔接一胶膜作业区；该主输送道和该底玻上料平台之间配置有一底玻传动器...
    2026-05-11
  • 一种光伏组件的胶膜、光伏组件及光伏系统
    一种光伏组件的胶膜、光伏组件及光伏系统_山东爱旭太阳能科技有限公司_202610155619.2
    本发明涉及光伏技术领域，公开一种光伏组件的胶膜、光伏组件及光伏系统。光伏组件包括若干电池串，相邻的电池串至少部分重叠，并形成第一台阶结构。胶膜朝向电池串的一侧设有与若干电池串一一对应的电池串区域，相邻的电池串区域之间形成第二台阶结构，若干电...
    2026-05-11
  • 曲面光伏瓦和光伏组件
    曲面光伏瓦和光伏组件_深圳市华宝新能源股份有限公司_202411579249.2
    本发明公开了一种曲面光伏瓦和光伏组件。本申请实施方式的曲面光伏瓦包括面板、多个电池片、焊带和背板，多个电池片沿至少一个方向排布，焊带沿第一方向连接相邻的两个电池片，焊带形成有与电池片焊接的第一焊点和第二焊点，第一焊点位于电池片的两端，第一焊...
    2026-05-11
  • 曲面光伏瓦和光伏组件
    曲面光伏瓦和光伏组件_深圳市华宝新能源股份有限公司_202411580821.7
    本发明公开了一种曲面光伏瓦和光伏组件。本申请实施方式的曲面光伏瓦包括面板、多个电池片、连接线和背板，多个电池片沿至少一个方向排布，连接线设置在电池片的内部，连接线与电池片电连接，曲面光伏瓦形成有与相邻电池片连接的焊接部，焊接部与连接线的端部...
    2026-05-11
  • 复合焊带及光伏组件
    复合焊带及光伏组件_隆基绿能科技股份有限公司_202511935243.9
    本发明公开了一种复合焊带及光伏组件。所述复合焊带包括由铝材料构成的导电芯体，以及包覆于所述导电芯体外层的铜质导电覆材。复合焊带的总横截面积为S，单位为mm²，其导电覆材沿长度方向的单位长度质量为A，单位为g/m，其中A与S呈负相关，并满足关...
    2026-05-11
  • 一种高性能面入射硅基锗探测器结构及其制备方法
    一种高性能面入射硅基锗探测器结构及其制备方法_中国科学院半导体研究所_202610467129.6
    本发明涉及半导体光电器件技术领域，公开了一种高性能面入射硅基锗探测器结构及其制备方法，结构包括SOI衬底，自下而上依次含硅衬底、埋氧层和由顶层硅刻蚀形成的内圈掺杂区；内圈掺杂区上方设有局部悬空的氧化硅模板层；埋氧层与模板层之间设有锗横向外延...
    2026-05-11
  • 一种雪崩光电二极管、光电探测芯片及光通信设备
    一种雪崩光电二极管、光电探测芯片及光通信设备_华为技术有限公司_202411578064.X
    本申请实施例提供了一种雪崩光电二极管、光电探测芯片及光通信设备，涉及光电转换器件技术领域，用于改善波导型雪崩光电二极管中噪声和暗电流较大的问题。该雪崩光电二极管包括第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层包括在第一方向上排布的波导部分和器件...
    2026-05-11
  • 电子设备
    电子设备_意法半导体国际公司_202511577017.8
    本公开的实施例涉及电子设备。一种电子设备包括单光子雪崩二极管，该单光子雪崩二极管包括PN结，该PN结具有比1.2 µm小的第一尺寸，该单光子雪崩二极管被绝缘壁包围，该第一尺寸是该结的最小尺寸。
    2026-05-11
  • 光检测元件及光检测元件的制造方法
    光检测元件及光检测元件的制造方法_浜松光子学株式会社_202511599898.3
    本发明的光检测元件具备：第一半导体层，其具有作为光入射面的第一主面、及与第一主面为相反侧的第二主面；绝缘层，其形成于第一主面上；第二半导体层，其经由绝缘层形成于第一主面上；以及猝灭元件，其相对于第二主面侧。第一半导体层具有：第一导电型的第一...
    2026-05-11
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