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  • 本发明提供一种闪存装置及其编程方法。所述编程方法包括下列步骤:依序对多个存储单元群组进行编程操作;在存储单元群组中的目标存储单元群组未通过编程验证的情况下, 对目标存储单元群组执行一或多次编程验证循环, 其中目标存储单元群组被区分为M个部分...
  • 本申请提供了一种存储系统、存储系统的操作方法、控制器及存储介质, 涉及存储技术领域。该存储系统包括:存储器以及控制器;控制器, 被配置为向存储器发送读取命令;存储器, 被配置为根据读取命令读取存储器中的第一存储单元存储的数据;第一存储单元与...
  • 本申请公开了一种固件烧录方法和电子设备, 应用于存储技术领域, 包括:生成待完成参数注入的通用固件数据, 并为不同型号的存储设备生成对应于存储设备的型号的烧录参数文件;获取待烧录存储设备的型号并基于型号获取相应的烧录参数文件;通过解析烧录参...
  • 本申请提供一种降低重读命令对读命令处理影响的方法及介质接口控制器, 介质接口控制器包括介质接口命令处理单元与LUN控制器, 该方法包括:介质接口命令处理单元获取读命令、重读命令以及LUN控制器读命令处理结果, 根据预设的调度策略来调度对读命...
  • 本申请公开了一种数据读取方法、电子设备以及存储介质。所述数据读取方法包括:对存储设备进行多次读取, 对应得到多个读数据;基于各读数据在不同电压区域内的预设读数据的数量, 对应确定各电压区域的索引值, 以完成数据读取。上述方案, 能够规避各电...
  • 本公开实施例公开了一种存储器、修调寄存器、存储器系统、电子设备, 该存储器包括可编程存储电路, 可编程存储电路被配置为存储多个修调信息;第一修调寄存器, 第一修调寄存器耦接可编程存储电路, 第一修调寄存器包括动态锁存电路;其中, 第一修调寄...
  • 本发明提供一种存储器控制方法与存储装置。所述方法包括:对所述存储器模块中的目标实体单元施加多段式非线性擦除电压, 其中所述擦除电压依据预充电阶段、主擦除阶段与稳定补偿阶段进行分段调整;以及根据所述目标实体单元所对应的字线层, 参照一组层间补...
  • 本申请属于计算机零部件制造领域, 具体公开了一种NAND型内容可寻址存储器电路和操作方法。该电路包括NAND型模拟内容可寻址存储器阵列、预充电电路、比较器电路。输入的定点数与存储的定点数逐位进行比较, 并根据比较结果形成放电通路, 字线负载...
  • 本发明公开了一种电荷循环型SRAM低功耗模式切换电路及其控制方法, 包括2‑4译码器、第零存储块至第三存储块;所述2‑4译码器用于控制分区使能各存储块, 所述存储块包括字线驱动模块、电荷收集模块、存储阵列模块、电荷复用时序控制模块、电荷复用...
  • 本申请涉及集成电路技术领域, 公开了一种双口随机存取存储器。本申请的双口随机存取存储器, 包括第一时钟信号端、第二时钟信号端、第一访问端和第二访问端、第一输出端、第二输出端、控制选择单元、单口随机存取存储器和锁存保持单元。控制选择单元连接第...
  • 本申请实施例公开一种存储器装置、供电方法、电荷泵电路及系统。其中, 该存储器装置包括:存储单元阵列;所述存储单元阵列包括:多个存储单元行以及每一存储单元行耦接的字线;以及外围电路, 所述外围电路经所述字线与对应的存储单元行耦接, 且包括:第...
  • 本公开实施例提供了一种存储器装置及其制作方法、存储器系统, 所述存储器装置包括:存储单元阵列;耦接所述存储单元阵列的多条字线;以及外围电路, 通过所述多条字线与所述存储单元阵列耦接, 所述外围电路包括:驱动电路;所述驱动电路包括主驱动器和多...
  • 本公开涉及具有DQS间隔定时器的半导体装置。一种实例设备包含:第一电路, 其经配置以响应于第二控制信号而激活第一控制信号且响应于第三控制信号而取消激活所述第一控制信号;第二电路, 其耦合到所述第一电路且经配置以在所述第一控制信号被激活之后过...
  • 本公开实施例公开了一种存储器系统及其操作方法、电子设备、计算机可读存储介质。该存储器系统包括:存储器装置, 存储器装置包括L个存储器管芯, 不同存储器管芯内的多个存储块构成一个超级块;以及存储器控制器, 存储器控制器被配置为:确定多个超级块...
  • 本发明公开了一种面向交叉点阵铁电存储器的低扰动自恢复操作方法, 该方法对交叉点阵铁电存储器阵列进行操作, 包括四个连续的脉冲周期, 依次实现选中存储单元激活、数据读取、数据恢复以及复位操作。利用本发明提供的低扰动自恢复操作方法, 可以减小交...
  • 本公开提供了一种存储器的操作方法、动态随机存储器及存储器系统, 涉及半导体芯片技术领域。方法包括:响应于存储阵列激活信号, 确定目标存储阵列, 响应于刷新信号, 对目标存储阵列执行刷新操作。本公开旨在改善存储器刷新过程功耗较高的问题。
  • 本发明涉及铁电薄膜多态存储器技术领域, 尤其涉及一种基于准二维钙钛矿铁电薄膜的多态存储器及其制备方法。包括自下而上依次层叠的:衬底、图案化导电底电极、多态存储层及顶电极;多态存储层为金属离子掺杂准二维钙钛矿铁电薄膜, 在外加电场的控制下表现...
  • 本发明属于铁电存储器技术领域, 具体公开了一种提高铁电存储单元耐久性的在线唤醒恢复电路, 包括相互连接的可配置级联延时控制电路和可控升压电路, 可配置级联延时控制电路用于生成若干不同脉冲宽度的延时脉冲信号, 可控升压电路用于根据各延时脉冲信...
  • 本申请提供一种磁存储器和用于磁存储器的电荷共享方法, 涉及半导体技术领域, 磁存储器至少包括多个呈阵列排布的磁存储单元、与每行磁存储单元对应并电连接的字线、多个电荷共享开关模块、多个行选开关模块;任意两条字线之间通过对应的电荷共享开关模块电...
  • 本申请实施例提供一种存储器装置及其操作方法、存储器系统。其中, 存储器装置包括:第一存储体和第二存储体;以及, 与第一存储体和第二存储体均耦接的冗余分析电路;其中, 冗余分析电路包括:冗余电路, 存储第一存储体和第二存储体中的失效地址信息;...
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