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  • 提供一种半导体元件, 包括基板、导电触点、金属板、阵列结构以及多个电路结构。基板包含阵列部分以及邻近于阵列部分的多个电路部分, 其中阵列部分位于阵列区中, 以及此些电路部分位于多个电路区中。导电触点设置于基板上方。金属板设置于导电触点上方。...
  • 本发明提供了一种制造半导体结构的方法。此方法包括以下步骤。提供基板。在基板上形成导电层。在导电层上形成介电层。在介电层上形成硬遮罩层, 其中硬遮罩层包含碳。进行植入工艺, 将氮植入硬遮罩层以形成植入硬遮罩层。通过移除植入硬遮罩层、介电层和导...
  • 本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括:半导体衬底;有源区, 其包括形成在半导体衬底中的隔离层和由隔离层限定的突起, 该突起设置在比隔离层的上表面高的水平处;第一焊盘和第二焊盘, 它们适于覆盖有源区的突起;形成在第一焊盘的上部...
  • 提供了一种半导体存储器件。半导体存储器件包括:外围结构;第一上单元结构, 第一上单元结构位于外围结构上;和第一下单元结构, 第一下单元结构位于外围结构的与第一上单元结构相反的一侧上, 其中, 第一上单元结构和第一下单元结构中的每一者包括:第...
  • 一种半导体器件, 其可以包括:衬底, 衬底包括单元区域和外围区域;有源图案, 有源图案在衬底的单元区域上;栅结构, 栅结构在有源图案上并沿第一方向延伸;位线结构, 位线结构电连接至有源图案并沿与第一方向相交的第二方向延伸;节点接触, 节点接...
  • 一种存储器元件的制造方法包括:形成沟槽在介电结构中;形成导电层在介电结构的沟槽中;形成第一氮化物间隔件衬于沟槽;蚀刻第一氮化物间隔件以暴露导电层;形成第二氮化物间隔件衬于第一氮化物间隔件与导电层;以及形成金属层于沟槽中且位于导电层上方。使得...
  • 本发明公开一种半导体结构, 包括基底、多个栅极层、多个通道层与多个栅介电层。多个栅极层与多个通道层堆叠在基底上。多个栅极层彼此分离。每个栅极层环绕对应的通道层。相邻两个栅极层位于相邻两个通道层之间。多个栅介电层位于多个栅极层与多个通道层之间...
  • 半导体器件包括在堆叠结构中在第一方向上延伸的第一沟道结构、在垂直于第一方向的第二方向上延伸并围绕第一沟道结构的至少一部分的导电层、在第一方向和第二方向上延伸的第一隔离结构、以及在第一方向和第二方向上延伸的第二隔离结构。第一沟道结构和导电层设...
  • 一种存储器装置包括:存储器阵列结构, 所述存储器阵列结构具有多个存储体, 每个存储体包括多个存储器组, 每个存储器组具有至少一个存储块;以及外围结构, 所述外围结构在垂直方向上与所述存储器阵列结构堆叠, 并且具有多个存储器组驱动器电路, 所...
  • 本公开实施例公开了一种半导体器件及其制作方法以及存储器系统, 所述半导体器件包括第一半导体结构, 所述第一半导体结构包括:晶体管, 包括至少沿第一方向延伸的半导体层、以及沿第二方向延伸的栅极层;所述栅极层位于第三方向上相邻的两个所述半导体层...
  • 本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备, 涉及半导体芯片技术领域, 旨在解决如何提高半导体结构的生产良率。该半导体结构包括多个导电柱、第一绝缘层和第一导电层。多个导电柱排列为多行多列。第一绝缘层设置于多个导电柱的延伸方向...
  • 本公开实施例公开了一种半导体器件及其制作方法以及存储器系统, 所述半导体器件包括第一半导体结构, 所述第一半导体结构包括:晶体管, 包括至少沿第一方向延伸的半导体层、以及沿第二方向延伸的栅极层;所述栅极层位于在第三方向上相邻的两个所述半导体...
  • 本公开实施例公开了一种半导体器件及其制作方法以及存储器系统, 所述半导体器件包括第一半导体结构, 所述第一半导体结构包括:电容结构, 包括沿第一方向延伸的第一电极;第二方向与第三方向相交, 所述第二方向、所述第三方向构成的平面与所述第一方向...
  • 本公开实施例提供了一种半导体器件及其制作方法及存储器系统, 所述半导体器件包括第一半导体结构, 所述第一半导体结构包括:存储单元阵列, 包括多个沿第一横向方向以及第二横向方向呈阵列排布的存储单元, 每个存储单元包括垂直晶体管和耦合到所述垂直...
  • 本申请提供了一种半导体结构及其制造方法、存储器及其制造方法、存储系统。该半导体结构包括位线、多个沟道结构和栅极结构。位线沿第一方向延伸。多个沟道结构位于位线沿第二方向的一侧且沿第一方向间隔分布, 其中, 沟道结构包括与位线连接的第一端。栅极...
  • 本发明涉及一种半导体结构及其制备方法, 其中, 半导体结构的制备方法包括:提供基底, 基底上设有阶梯区, 阶梯区包括至少两个沿第一方向依次排布的阶梯子区;于基底上交替堆叠第一材料膜层与第二材料膜层, 以形成堆叠材料层;于堆叠材料层上形成具有...
  • 根据本公开的半导体结构包括:背侧金属线, 位于背侧金属线上方的背侧介电层, 位于背侧介电层上方的第一源极/漏极部件和第二源极/漏极部件, 延伸穿过背侧介电层以耦合到第一源极/漏极部件的底面的第一背侧接触件, 延伸穿过背侧介电层以耦合到第二源...
  • 本发明提供了一种SMT焊接质量在线检测方法, 涉及电子质量检测技术领域, 其通过在底面元器件完成第一次回流焊后, 提取焊点的三维立体轮廓参数作为初始基准数据;在顶面元器件进行第二次回流焊时, 实时采集底面焊点的温度分布数据, 计算焊点的热力...
  • 本发明公开了一种集成主板加工用元器件贴装加工设备, 属于电路板加工技术领域, 包括安装在贴片机上的贴装头控制臂, 贴装头控制臂设置有贴装头基座, 贴装头基座外侧壁通过内环驱动件连接有贴装分配环, 贴装分配环上设置有多个贴装件, 贴装头基座侧...
  • 本发明涉及半导体器件专用设备制造领域, 尤其是一种贴插兼容的异型器件插件机, 包括上料部件、送料部件及两组安装部件;所述安装部件包括主体、安装在所述主体上的气控件以及夹具, 所述夹具的下方设置有对称的两个夹爪, 两个所述夹爪之间的间距由所述...
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