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最新专利技术
  • 具有暴露的有源电路系统的集成电路(IC)
    具有暴露的有源电路系统的集成电路(IC)_德州仪器公司_202510488534.1
    本申请涉及一种具有暴露的有源电路系统的集成电路IC。在一个实例中，方法(100)可包含在第一晶片的第一表面上形成掩模层(102)。所述方法还可包含在所述掩模层中形成图案(104)，以通过所述掩模层暴露所述第一晶片的区域。所述方法还可包含从所...
    2025-11-18
  • 用于半导体中介层制程的中介层电子模组及其制造方法
    用于半导体中介层制程的中介层电子模组及其制造方法_北京比格博思信息技术有限公司_202410652449.X
    本发明涉及一种用于半导体中介层制程的中介层电子模组及其制造方法，所述的中介层电子模组包括有一第一基材、一第二基材、至少一针脚及一胶脂层，所述至少一针脚固定在第一基材与第二基材之间，并在针脚外侧与两基材之间包覆有胶脂层；本发明还涉及了制造上述...
    2025-11-18
  • 半导体封装
    半导体封装_爱思开海力士有限公司_202511049098.4
    本申请公开了一种半导体封装。一种半导体封装包括：基板；设置在基板上方的子半导体封装，该子半导体封装包括子半导体芯片、子模制层和重分布导电层，在子半导体芯片的面向基板的有效表面上具有芯片焊盘，子模制层围绕子半导体芯片的侧表面，子模制层具有面向...
    2025-11-18
  • 封装结构和封装方法、以及电子设备
    封装结构和封装方法、以及电子设备_中芯集成电路(宁波)有限公司_202511020987.8
    一种封装结构和封装方法、以及电子设备；封装结构包括：第一器件结构，第一器件结构包括第一衬底、第一半导体器件和第一导电迹线，第一导电迹线电连接第一半导体器件；第二器件结构，与第一器件结构堆叠设置，第二器件结构包括第二衬底、第二半导体器件和第二...
    2025-11-18
  • 一种三维集成电路的互连电路
    一种三维集成电路的互连电路_北京大学深圳研究生院_202510874202.7
    一种三维集成电路的互连电路，应用于集成电路技术领域，三维集成电路的互连电路包括硅通孔模块和选择器模块；硅通孔模块多个硅通孔阵列，每个硅通孔阵列中包括预设位置分布的至少两个硅通孔；其中，各个硅通孔阵列中的相同位置的硅通孔构成一个互连模块，且不...
    2025-11-18
  • 具有填充层的半导体元件及其制造方法
    具有填充层的半导体元件及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202510437577.7
    本申请公开一种半导体元件及一种半导体元件的制造方法。此半导体元件包括：一基板；一导电结构，包括：一导电凹层，设置在该基板上；以及一导电填充层，设置于该导电凹层上，其中该导电凹层包括一顶表面，该顶表面具有一V形剖面轮廓；以及一顶部导电层，设置...
    2025-11-18
  • 具有填充层的半导体元件及其制造方法
    具有填充层的半导体元件及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202410989409.4
    本申请公开一种半导体元件及一种半导体元件的制造方法。此半导体元件包括：一基板；一导电结构，包括：一导电凹层，设置在该基板上；以及一导电填充层，设置于该导电凹层上，其中该导电凹层包括一顶表面，该顶表面具有一V形剖面轮廓；以及一顶部导电层，设置...
    2025-11-18
  • 一种微电子芯片水冷散热装置及散热方法
    一种微电子芯片水冷散热装置及散热方法_河北交投智能科技股份有限公司_202511329824.8
    本发明公开了一种微电子芯片水冷散热装置及散热方法，属于，包括冷却水循环系统和散热系统，散热系统包括铜板和亚克力板，铜板底部开设有冷却水道，亚克力板上开设有进水主管、进水支管、进水通道、出水通道、出水支管和出水主管，进水主管与进水支管连通，进...
    2025-11-18
  • 一种水油组合散热的功率模块
    一种水油组合散热的功率模块_上海海姆希科半导体有限公司_202511057045.7
    本发明提供一种水油组合散热的功率模块，其在现有水冷功率模块的基础上增设了一条由第二腔室、导流罩、散热器、循环油泵以及相关必要连接管路限定的循环油路。在该功率模块工作时，冷却水在散热器的下方从功率模块的近端流入、远端流出，在该过程中，冷却水在...
    2025-11-18
  • 半导体芯片液冷散热用微结构波纹管及其微结构处理设备
    半导体芯片液冷散热用微结构波纹管及其微结构处理设备_上海三盛健康科技股份有限公司_202510906521.1
    本申请涉及一种纹管本体，所述波纹管本体内壁设置有微沟槽，所述微沟槽宽度为1‑1.5mm，间隔为1‑1.5mm。本申请还公开一种半导体芯片液冷散热用微结构波纹管的微结构处理设备，包括底板、顶架、压槽机构和驱使压槽机构竖向滑移的驱动组件；底板供...
    2025-11-18
  • 一种散热基板及其制备方法与应用
    一种散热基板及其制备方法与应用_广州众山新材料股份有限公司_202511367206.2
    本发明公开了一种散热基板及其制备方法与应用，属于散热板材技术领域。该散热基板包括依次层叠设置的第一铜层、第一钎焊层、第一TiC层、金刚石片层、第二TiC层、第二钎焊层以及第二铜层；第一铜层的远离金刚石片层的一侧表面设有用于放置芯片的凹槽。该...
    2025-11-18
  • 散热基板及其制备方法
    散热基板及其制备方法_广州众山新材料股份有限公司_202511219407.8
    本申请提供一种散热基板及其制备方法，涉及散热基板制造技术领域，该散热基板包括铜基板和散热结构；铜基板用于连接功率模块；散热结构设置于铜基板上；散热结构包括散热铝板和多个散热柱，散热铝板与铜基板的表面连接，散热柱设置于散热铝板远离铜基板的表面...
    2025-11-18
  • 一种功率模块结构
    一种功率模块结构_致瞻科技(上海)有限公司_202511010693.7
    本发明提供了一种功率模块结构，包括相对设置的第一表面和第二表面；端子区域，位于第二表面；端子区域含有一功率端子区和一信号端子区；功率模块结构内部含有芯片层和布线层，芯片层至少含有一功率芯片；功率端子区含有第一功率端子和第二功率端子；信号端子...
    2025-11-18
  • 歧管式微通道热沉装置及液冷相变散热系统
    歧管式微通道热沉装置及液冷相变散热系统_北京交通大学_202510983715.1
    本申请提供一种歧管式微通道热沉装置及液冷相变散热系统，涉及热沉技术领域，用于解决相关技术中微通道热沉在液冷相变散热时气液分离效果差且气泡无法有效排出的问题，该歧管式微通道热沉装置包括：微通道模块和歧管模块，微通道模块包括多个相连通的且交替间...
    2025-11-18
  • 一种变厚度的两相冷板
    一种变厚度的两相冷板_北京航空航天大学_202510919999.8
    本发明涉及一种变厚度的两相冷板，属于芯片散热技术领域，解决了现有冷板结构带来的局部温度过高、整体阻力过大等技术问题。本发明的微通道两相冷板包括底板、进液口、出液口、分液腔、集液腔、罩体和翅片组；进液口和出液口设置于底板和/或罩体上；翅片组设...
    2025-11-18
  • 一种IGBT模块导热散热一体化结构及其制造方法
    一种IGBT模块导热散热一体化结构及其制造方法_东莞市康纳电子科技有限公司_202510831304.0
    本申请公开了一种IGBT模块导热散热一体化结构及其制造方法，涉及IGBT模块制造技术领域，用于改善相关技术中，IGBT模块封装工艺复杂、应力风险高、布线灵活性差的技术问题。该结构包括：基板，具有用于承载所述IGBT芯片的芯片安装区域；嵌入式...
    2025-11-18
  • 一种基板级温度管控装置、方法及芯片
    一种基板级温度管控装置、方法及芯片_海光信息技术股份有限公司_202510795494.5
    本申请实施例公开一种基板级温度管控装置、方法及芯片，涉及集成电路技术领域，能够节约基板面积资源，并改善芯片热管理效果。所述基板级温度管控装置包括：温度检测单元，配置为对应每个芯粒设置，用于获取各对应芯粒的温度传感信号；温度控制单元，配置为：...
    2025-11-18
  • 一种钝化层结构及制备方法
    一种钝化层结构及制备方法_西安西电慧创集成电路有限公司_202511090782.7
    本发明公开了一种钝化层结构及制备方法，属功率半导体表面钝化领域。结构含氧化硅基第一钝化层、硅烷‑二氧化硅第二钝化层、氮化硅基第三钝化层，可加聚酰亚胺层；采用PECVD、硅烷氧化沉积制备，配合分阶段气体控制的退火及光刻刻蚀，在简化工艺降低成本...
    2025-11-18
  • 一种芯片叠装结构和芯片叠装方法
    一种芯片叠装结构和芯片叠装方法_江苏凯嘉电子科技有限公司_202511044486.3
    本发明涉及芯片封装技术领域，尤其是涉及一种芯片叠装结构和芯片叠装方法，在封装底部基板的顶面中部位置设置有芯片主体，且在芯片主体的边侧设置有引脚；在引脚中设置有第一辅助组件，在封装顶部基板中设置有第二辅助组件；其中本方案设置的芯片叠装组件，主...
    2025-11-18
  • 一种堆叠凸块结构、半导体封装结构及其制备方法
    一种堆叠凸块结构、半导体封装结构及其制备方法_长电科技管理有限公司_202510843499.0
    本申请涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种堆叠凸块结构、半导体封装结构及其制备方法。一种堆叠凸块结构，包括：芯片结构本体和和位于芯片结构本体第一表面的所述堆叠凸块焊盘表面的堆叠凸块，通过先进封装技术，所述堆叠凸块结构在物理空间上进行重构，将...
    2025-11-18
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