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  • 本发明涉及一种高结合强度铝基耐磨涂层材料,该涂层材料采用低压冷喷涂技术将两种不同粒径的Al2O3陶瓷颗粒与5083铝合金粉末组成的喷涂粉末逐层喷涂在不锈钢基底表面而获得。同时,本发明还公开了该涂层材料的制备方法。本发明制备方法简单,喷涂成本...
  • 本申请涉及一种车身的磷化方法、装置、车辆及电子设备,涉及金属表面处理技术领域,该方法包括:获取车身的计划铝钢表面积比;确定磷化槽中槽液的铝阳极溶解速率和氟离子消耗速率;其中,车身放置于所述磷化槽中;基于计划铝钢表面积比、铝阳极溶解速率和氟离...
  • 本发明提供了一种GCr15钢轴承表面磷酸锰转化涂层强化处理的方法,该方法为:将GCr15钢轴承经过脱脂、丙酮清洗,水洗、酸洗、表面调整、磷化,得到磷化处理后的GCr15钢轴承,然后精炼浴处理,再经水洗和吹干,20℃~30℃油浴5min~10...
  • 本发明公开了一种镀锌钢材用二元磷化液及其制备方法和应用,二元磷化液由以下组分制成:磷酸二氢锌8~18g/L或/和氧化锌2.0~5.6g/L,50%硝酸锰水溶液10~15mL/L,75%磷酸5~30mL/L,65%硝酸0~5mL/L,pH响应...
  • 本申请公开了一种耐腐蚀锁具外壳的加工装置,其属于锁具加工装置技术领域。包括机架,机架上安装设置有:磷化池、回收池;支承导轨,支承导轨上滑动有电动滑台;支撑液压缸,固定在电动滑台上;安装架上设置有夹持组件,夹持组件包括:固定臂,竖直固定设置在...
  • 本发明涉及涂层材料领域,公开了一种用于热镀锌工件的钝化液及制备方法和使用方法,钝化液包括有机陶土、二氧化钛、乙烯‑醋酸乙烯共聚乳液、水性环氧硅树脂、硅烷偶联剂、着色剂、填料、助剂和水,采用本发明提供的钝化液处理镀锌工件,可以有效解决光照强度...
  • 本发明公开了一种适用于细间距高密度互连的化学镀锡液及其制备方法,属于化学镀锡技术领域。该适用于细间距高密度互连的化学镀锡液,包括以下组分:硫酸亚锡12~20g/L,硫酸35~45mL/L,络合剂90~110g/L,还原剂30~45g/L,稳...
  • 本发明属于钨丝加工生产技术领域,具体的说是一种光伏钨丝表面镀铜生产设备及其工艺,包括槽体,所述槽体内安装有导向辊和压线导辊;所述槽体内安装有左、右安装板,所述安装板之间安装有分配板,所述分配板上开设有通孔,所述分配板上安装有多组间隔板,所述...
  • 本申请涉及一种用于化学镀铜的催化剂溶液。本申请的催化剂溶液中添加了抗氧化剂,即使为中浓度干浴比的钯,也能表现出优异的催化性能,且原溶液不会随时间而发生变化,应用于镀覆现场时也可长期确保干浴液的寿命和镀覆可靠性。
  • 本发明公开了一种Al1‑xScxN薄膜及其制备方法和应用,属于新型半导体材料技术领域。本发明提供的Al1‑xScxN薄膜的制备方法,包括以下步骤:S1.以铝盐和钪盐的混合有机溶液为原料制得溶胶;S2.将所述溶胶在基底上涂覆并热处理,得中间薄...
  • 本发明涉及半导体制造加工技术领域,具体涉及一种半导体设备真空铝腔体表面处理方法,包括以下制备步骤:S1、使用清洗剂对真空铝腔体进行清洗;S2、将清洗后的真空铝腔体置于强氧化剂溶液中;S3、将磨料喷射至真空铝腔体表面进行抛光处理,得到粗磨真空...
  • 本发明公开了一种用于半导体制造设备的加热模组控制方法,半导体制造设备包括腔室、基座和加热模组,腔室限定一内部容积,基座设置于内部容积中,用于承载和旋转晶圆;加热模组设置于内部容积外部,用于加热晶圆;加热模组包括多个围绕内部容积设置的灯组;方...
  • 本发明公开了具备自适应调谐功能的微波等离子体化学气相沉积方法,包括反应腔及设置的调节机构、集气机构和充气机构,调节机构通过电机、蜗杆、蜗轮、双向螺杆驱动第一套管与第二套管带动样品台进行抬升;当双向螺杆到达极限位置而样品台中心与边缘位置温差仍...
  • 本发明提供了一种加热盘、工艺腔室,以及加热盘控制方法。所述加热盘包括加热丝及第一滤波回路。所述加热丝连接工频电源,所述工频电源向所述加热丝提供工频信号,以对所述加热丝加热。第一滤波回路第一端连接所述加热丝,其第二端接地,用于阻断所述工频信号...
  • 本发明公开一种沉积成膜设备、等离子体增强工艺设备及支撑组件,其中,该支撑组件应用于沉积成膜设备或等离子体增强工艺设备中,包括支撑管、电极杆和电极连接部,所述电极杆的至少部分插接装配于所述支撑管内部,所述支撑管的管壁设置有插接孔,所述电极连接...
  • 本发明公开了一种PECVD用的面板定位机构,其中面板上具有标记点,定位机构包括固定平台、移动平台、底座组件、驱动组件和CCD机器视觉检测系统,固定平台用于支撑面板,设置有与面板上面板标记点对应的第一定位孔;移动平台设置于固定平台的上方并能够...
  • 本发明公开了一种等离子体增强原子层沉积装置,包括:腔盖,腔盖上设置有喷淋头和喷气头;腔体,腔体包括底壁和侧壁,底壁和侧壁围成空腔,腔盖盖合到腔体上封闭空腔;晶圆转盘,晶圆转盘可转动地设置在腔体内,晶圆转盘上设置有多个载台,每个载台上设置有多...
  • 本发明提供了一种分气装置、一种半导体器件的加工设备,以及一种半导体器件的加工方法。所述分气装置包括进气管路和分气腔。所述分气装置还包括:多条分气支路,连接所述分气腔,以获得各分气支路的支路气体;以及流阻调节件,设于所述各分气支路中,以连接所...
  • 本发明公开了一种气体分配与混气机构及其薄膜沉积设备,机构包括:进气块、分气块和混气盘,进气块上设有中心进气孔、第一进气通道和第二进气通道,第一进气通道的第一出气口和第二进气通道的第二出气口延伸至进气块的底面,第一出气口和第二出气口交叉分布且...
  • 本发明提供一种薄膜的制备方法,包括:提供衬底,采用化学气相沉积工艺在衬底上沉积第一层薄膜;采用量测机台量测第一层薄膜不同位置处的厚度,得到第一层薄膜的厚度分布;根据厚度分布将第一层薄膜分为多个区域;计算每个区域采用原子层沉积工艺沉积到目标厚...
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