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  • 本发明属于镀膜技术领域,涉及基于半导体晶片工艺的激光保护镜片高损伤阈值镀膜方法,包括:对光学镜片基底依次进行超声波清洗和等离子体活化,得到预处理镜片;采用双靶共溅射工艺在预处理镜片表面交替沉积二氧化铪膜层和二氧化硅膜层,得到镀膜镜片;以三甲...
  • 本发明公开了一种高结合力的功能集流体生产方法,涉及集流体生产技术领域。本发明首先对聚丙烯膜进行前处理,包括蚀刻、碱洗;再进行辐射接枝丙烯酸,再浸入超支化聚合物水溶液中进行预处理;将预处理后的聚丙烯膜采用紫外辐射方法在表面进行银沉积,得到覆银...
  • 本发明属于电泳轮毂型晶圆划片刀生产设备技术领域,且公开了一种用于晶圆切割的轮毂型晶圆划片刀及其制备方法,包括电泳桶,电泳桶的底部固定安装有支架,支架的顶部固定安装有保护箱,所述保护箱的内部设置有调节下料机构;所述调节下料机构包括动力组件和调...
  • 本发明公开了一种高性能水冷散热器铜材及其制备方法,涉及水冷散热器铜材技术领域。其制备方法包括以下步骤:步骤1:对水冷散热器铜材进行清洁预处理,得到预处理水冷散热器铜材;步骤2:将石墨烯、铜粉混合均匀后,得到混合物料;在预处理水冷散热器铜材表...
  • 本发明涉及石墨烯复合恒温涂层技术领域,具体为一种保温杯内胆用的铜基石墨烯复合恒温涂层:包括以下步骤:S1:材料预处理,选取不锈钢内胆作为基体材料,对不锈钢内胆的内壁进行预处理,制得基体,待用。本发明中,在保温杯内胆用的铜基石墨烯复合恒温涂层...
  • 本发明涉及激光熔覆设备技术领域,具体公开一种对开式双通道脉动流场强化换热的激光熔覆头保护罩,本发明通过对开式结构及可拆卸的连接组件,实现了保护气罩的快速拆装,提升了维修效率,降低了维护费用;通过在罩体内部设置独立的冷却流道,并在流道中增加扰...
  • 一种油气管道在役焊接激光熔覆修复涂层的制备方法,包括如下步骤:(1)确定油气管道薄弱区域,并标记;(2)修复前,将金属粉末放入烘箱进行烘干,确保用于修复的合金粉末处于干燥状态,避免缺陷产生;(3)待:开始熔覆之前,使用打磨工具对油气管道待修...
  • 本发明涉及激光加工技术领域,具体为基于零件横截面的外轮廓形貌快速激光熔覆/热处理装置,包括喷头组件以及固定连接于喷头组件一侧的锥形罩体,所述喷头组件的内侧设置有光束调控组件,喷头激光束经光束调控组件作用后,形成包裹于被加工工件外轮廓的加工光...
  • 本申请公开了一种可持续性送粉的激光熔覆送粉装置,属于激光熔覆领域,其包括上粉桶、隔断组件、下粉桶和粉盘;所述上粉桶顶部设有加注口,所述加注口上设置有密封盖,所述隔断组件设置在上粉桶和下粉桶之间,所述粉盘设置于下粉桶远离所述隔断组件的一端,所...
  • 本申请公开了一种采用涂膜工艺生产电镀锌钢丝的方法,包括:包括:按顺序进行:酸洗处理、水洗处理、涂膜处理、粗拉拔处理、热处理、酸洗处理、水洗处理、涂膜处理、拉丝处理、镀锌处理以及冷却干燥处理;其中,涂膜处理包括:将水洗处理后的钢丝放入碱性硅烷...
  • 本发明属于金属表面处理技术领域,公开了一种无铬钝化剂组合物及其处理工艺,包括以下重量百分比的组分:成膜促进剂0.1‑5%、pH稳定剂0.1‑5%、有机硅改性聚合物0.1‑5%、硅烷偶联剂1‑5%、钼酸盐1‑5%、封孔剂1‑5%、氧化剂0.1...
  • 本发明属于钢丝表面处理技术领域,尤其是涉及一种钢丝磷化和硼化两用生产线,包括热处理炉,所述热处理炉的一侧放置有铅锅,所述铅锅的一侧放置有爆洗池,所述爆洗池的一侧放置有酸槽,所述酸槽的一侧放置有热水洗设备。本发明在原有的热处理磷化生产线上再加...
  • 本发明公开了一种高稳定性钛电极的制备方法,涉及热分解法制备钛电极技术领域,包括以下步骤;S1,对钛基材进行表面处理;S2,配制包含半胱氨酸盐酸盐的铱钽涂层溶液;S3,将涂层溶液均匀涂覆在钛基材上,烧结后形成活性涂层,冷却至室温后获得所述涂层...
  • 本发明涉及一种用于MOCVD设备的晶圆表面控温系统及方法,属于电子设备技术领域,解决现有设备在生长前手动修改Recipe中的温度数据,而在生长过程中无法修改Recipe中的温度数据的问题。系统包括红外测温仪以非接触方式实时检测晶圆表面温度,...
  • 本发明提出一种基于多区动态补偿的晶圆温度均匀性控制系统及方法,通过多区静电卡盘承载晶圆,且在静电卡盘的每一温控分区内同时布设温度传感器与加热/制冷执行单元,并利用多通道背吹惰性气体供压模块对各分区背氦压力进行独立调节;再借助工艺功率监测接口...
  • 本发明公开的属于CVD涂层技术领域,具体为一种快速CVD涂层一致性AI自控方法,包括具体步骤如下:对CVD过程中的各种物理参数和涂层特性数据进行采集和预处理;对预处理后的数据进行特征重要性分析,确定对涂层厚度、涂层成分造成影响的传感器数据;...
  • 本发明公开了一种加热盘结构和半导体器件的工艺设备。该加热盘结构包括:第一盘体,用于盛放晶圆;第二盘体,位于所述第一盘体下方,与所述第一盘体间隙配置,所述第二盘体上设有中心抽气口,且所述中心抽气口的抽气中心与所述晶圆同心,用于在沉积工艺结束后...
  • 本发明涉及一种用于在衬底(4)上制造半导体层的方法,其中,利用通向处理室(1)的进气构件(2)将工艺气体进料到处理室,其中,将一种或多种工艺气体进料到处理室(1),通过一个或多个发射线圈(5)产生交变电磁场,通过所述交变电磁场将承载衬底(4...
  • 本公开提供一种基于炉管设备的扩散沉积方法及炉管设备。所述扩散沉积方法在沉积过程中,每两片晶圆为一组,共同置于晶舟的同一平面的承载位上,同一组的两个晶圆以沉积面相背离的方式叠置,两个晶圆之间放置有预制的隔离材料层,所述隔离材料层为不同于晶圆材...
  • 本发明提供了一种加热盘、一种顶针拆装方法及一种计算机可读存储介质。所述加热盘包括加热盘本体、加热盘盖体及多个顶针及多个重锤组件。所述加热盘本体上设有多个第一通孔。所述第一通孔的第一尺寸大于重锤组件的第二尺寸。所述加热盘盖体覆盖于所述加热盘本...
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