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最新专利技术
  • 一种双前驱体雾化系统及制备镓铟氧化物薄膜的方法
    一种双前驱体雾化系统及制备镓铟氧化物薄膜的方法_桂林电子科技大学_202511369440.9
    本申请提供了一种双前驱体雾化系统及制备镓铟氧化物薄膜的方法，可精准调整薄膜中铟元素含量。其核心在于双前驱体雾化系统的搭建，引入三个独立气体流量计和两个独立超声雾化室，实现含有铟离子和镓离子的超声雾化室中载气的控制，进而实现薄膜中镓、铟元素占...
    2026-01-04
  • 一种碳化硅晶须及其低成本制造方法
    一种碳化硅晶须及其低成本制造方法_西北工业大学_202511743897.1
    本发明提供了一种碳化硅晶须及其低成本制造方法，该方法选择棉花作为天然模板和反应的次要碳源，将其在催化剂溶液和原料浆液中反复浸渍、烘干，再进行烧结后，最终制得碳化硅晶须。本发明选择廉价、可再生、来源广泛的生物质材料的棉类作为反应的模板和碳源，...
    2026-01-04
  • 一种籽晶粘接用多段式加热装置及籽晶粘接方法
    一种籽晶粘接用多段式加热装置及籽晶粘接方法_苏州清煜半导体科技有限公司_202511154416.3
    本发明涉及碳化硅单晶材料技术领域，具体涉及一种籽晶粘接用多段式加热装置及籽晶粘接方法，包括加热平台，设置在加热平台上方的加压组件；所述加热平台包括用于承载籽晶粘接件的石墨平台，设置在石墨平台下方且用于对石墨平台进行加热的发热体组件；所述发热...
    2026-01-04
  • 一种直拉法生长氧化物晶体的热场调节方法
    一种直拉法生长氧化物晶体的热场调节方法_森一量子科技(厦门)有限公司_202511745315.3
    本发明涉及一种直拉法生长氧化物晶体的热场调节方法，通过特定的热场结构实现，该热场结构包括一炉体，坩埚设置于炉体内，坩埚与晶体之间设有可移动的隔热筒。在晶体生长的不同阶段，动态调整隔热筒的位置，在隔热筒的区域形成相对低温区。所述隔热筒与熔体液...
    2026-01-04
  • 一种基于电阻炉的大尺寸YAG晶体生长系统和生长方法
    一种基于电阻炉的大尺寸YAG晶体生长系统和生长方法_广东省科学院半导体研究所_202511512767.7
    本发明公开了一种基于电阻炉的大尺寸YAG晶体生长系统和生长方法，涉及激光晶体生长技术领域。大尺寸YAG晶体生长系统为轴向三段独立的控温系统，包括上部控温系统、中部控温系统和下部控温系统；有利于实现对多层梯度温场的精准控制，通过引用大界面籽晶...
    2026-01-04
  • 一种单晶硅棒的制备方法和硅片
    一种单晶硅棒的制备方法和硅片_青海晶科能源有限公司_202511467781.X
    本申请涉及一种单晶硅棒的制备方法和硅片。包括依次进行的熔料阶段、调温阶段、熔接阶段、引晶阶段、放肩阶段、等径阶段、收尾阶段以及取断阶段；在所述等径阶段，控制提拉速率在第一拉速范围内，并控制固液界面温度梯度在第一梯度范围内；其中，所述第一拉速...
    2026-01-04
  • 单晶硅棒的制备方法和硅片
    单晶硅棒的制备方法和硅片_青海晶科能源有限公司_202511415912.X
    本申请实施例涉及光伏领域，提供一种单晶硅棒的制备方法和硅片，方法包括：在备料阶段，将原料置于单晶炉的坩埚中，将籽晶安装至单晶炉的晶体提升组件上，控制坩埚以第一转速运行融化原料；在引晶阶段，控制籽晶沿第一方向，并以第二转速旋转，同时将坩埚的转...
    2026-01-04
  • 一种晶体和熔体分离的晶体生长装置和方法
    一种晶体和熔体分离的晶体生长装置和方法_陕西迪泰克新材料有限公司_202511789607.7
    本发明提供了一种晶体和熔体分离的晶体生长装置和方法，解决了目前晶体生长易产生多晶的不足之处。该生长装置包括保温炉、加热器、长晶坩埚、内衬坩埚、提拉机构、陶瓷提拉座、下压石墨、导热石墨环以及保温环；长晶坩埚同轴设置在保温炉中；加热器同轴设置在...
    2026-01-04
  • 一种CCZ连续拉晶的加料装置和方法
    一种CCZ连续拉晶的加料装置和方法_包头美科硅能源有限公司_202511719525.5
    本发明涉及光伏拉晶技术领域，具体涉及一种CCZ连续拉晶的加料装置及方法, 其中加料装置包括加料管和送气单元，所述加料管安装在单晶炉上且其输出端竖直延伸至坩埚上方，所述送气单元包括同轴安装在加料管外部的进气管，所述进气管位于单晶炉内坩埚上方的...
    2026-01-04
  • 直拉硅单晶的装置及第一坩埚、直拉硅单晶及拉制方法
    直拉硅单晶的装置及第一坩埚、直拉硅单晶及拉制方法_苏州晨晖智能设备有限公司_202511746850.0
    本发明涉及一种直拉硅单晶的装置及第一坩埚、直拉硅单晶及拉制方法，该装置在第一坩埚底面下部增设第二加热器，其加热部位在x‑y平面最大横径小于第一坩埚盛放熔硅部分最大内径的80%，或外周轮廓面积小于该部分截面最大面积的64%；该装置还在第一加热...
    2026-01-04
  • 一种提高晶棒冷却速度的晶棒冷却盘
    一种提高晶棒冷却速度的晶棒冷却盘_刘大壮_202511278889.4
    一种提高晶棒冷却速度的晶棒冷却盘，涉及人工晶体制备技术领域，本发明通过在冷却盘主体上设置至少一圈过渡套安装孔，在每个过渡套安装孔内分别插接有过渡套，在每个过渡套上分别设有晶棒提拉孔，在晶棒拉制时，新拉制的晶棒进入过渡套上的晶棒提拉孔后，冷却...
    2026-01-04
  • 一种碳化硅单晶生长装置
    一种碳化硅单晶生长装置_北京天科合达半导体股份有限公司_202410835585.2
    本发明公开了一种碳化硅单晶生长装置，本方案包括坩埚、石墨筒、石墨盖板、提拉件和加热组件；石墨筒布置于坩埚的中部，石墨筒的内腔形成匀化腔体，石墨筒的筒壁设置有与匀化腔体连通的过滤通孔；石墨盖板布置于石墨筒上，以封闭石墨筒与坩埚之间的盛放区域，...
    2026-01-04
  • 一种基于区域熔炼与晶体取向控制的7N单晶铜制备工艺
    一种基于区域熔炼与晶体取向控制的7N单晶铜制备工艺_江苏鑫瑞崚新材料科技有限公司_202511440783.X
    本发明公开了一种基于区域熔炼与晶体取向控制的7N单晶铜制备工艺，具体包括以下步骤：S1、原料预处理：采用硝酸体系电解精炼将4N铜提纯至5N级，酸洗后碳含量≤1ppm；本发明涉及金属材料制备技术领域。该基于区域熔炼与晶体取向控制的7N单晶铜制...
    2026-01-04
  • 一种感应加热垂直梯度凝固法生长氧化镓单晶的装置及方法
    一种感应加热垂直梯度凝固法生长氧化镓单晶的装置及方法_山东大学_202511364347.9
    本发明属于宽禁带半导体晶体生长技术领域，具体涉及一种感应加热垂直梯度凝固法生长氧化镓单晶的装置及方法。该装置包括感应线圈及其内部设置的坩埚；坩埚的底部设有籽晶袋；感应线圈为螺旋盘制的中空感应线圈，感应线圈的匝间距自上而下依次变大，呈“上密下...
    2026-01-04
  • 海卤水制备三水碳酸镁晶须工艺
    海卤水制备三水碳酸镁晶须工艺_河北工业大学_202410831183.5
    本申请公开了海卤水制备三水碳酸镁晶须工艺，包括脱钙固碳后海水进行纳滤、二氧化碳通入、双极膜电渗析、矿化结晶工艺、产品过滤和母液循环利用；所述纳滤步骤后出来的淡海水为双极膜电渗析盐室的原料液，所述双极膜电渗析出来的碱液与纳滤步骤后浓海水及水氯...
    2026-01-04
  • 一种电解液-泡沫-磨粒三相混合电液束抛光装置及方法
    一种电解液-泡沫-磨粒三相混合电液束抛光装置及方法_沈阳航空航天大学_202511529463.1
    本发明提供一种电解液‑泡沫‑磨粒三相混合电液束抛光装置及方法，属于金属抛光技术领域，主要包括传动机构、直流电源、喷射装置及电解液循环系统等。利用供液泵将电解液、磨粒和泡沫三相混合物以射流形式喷向待抛光工件表面，过程中保持工件和喷射装置分别与...
    2026-01-04
  • 一种不锈钢冷轧钢带的高效强力清洗系统及方法
    一种不锈钢冷轧钢带的高效强力清洗系统及方法_河南宏旺金属材料有限公司_202511355546.3
    本发明公开了一种不锈钢冷轧钢带的高效强力清洗系统及方法，通过电解清洗单元(电流密度18–200A/dm2)、多级耦合单元(碱喷淋→电解→高压水刷洗→空气吹扫)及动态控制单元(基于粗糙度Rz的电流自适应)的协同，实现油污剥离率≥99％、氢渗透...
    2026-01-04
  • 电化学机械抛光组合物及其应用、碳化硅晶圆
    电化学机械抛光组合物及其应用、碳化硅晶圆_通威微电子有限公司_202511757492.3
    本发明公开了一种电化学机械抛光组合物及其应用、碳化硅晶圆，涉及半导体技术领域。电化学机械抛光组合物包括的两种酸性物质和磨粒的协同配合，采用“阴极还原反应+机械”的机理实现了碳化硅晶圆损伤小的抛光效果；酸性物质在提供氢离子的同时还可以抑制副反...
    2026-01-04
  • 一种不锈钢金属铸件表面处理工艺
    一种不锈钢金属铸件表面处理工艺_西安皓森精铸股份有限公司_202511415540.0
    本申请涉及金属表处理领域，具体公开了一种不锈钢金属铸件表面处理工艺。一种不锈钢金属铸件表面处理工艺包括以下步骤：步骤1：预处理，采用超声波清洗去除铸件表面的油污和氧化物；步骤2：电化学抛光，使用环保型抛光液，在电流密度2～4A/dm²下进行...
    2026-01-04
  • 一种低电压钛合金表面微孔蚀刻液
    一种低电压钛合金表面微孔蚀刻液_东莞市开源化工材料有限公司_202511302941.5
    本发明涉及电解蚀刻领域，尤其涉及一种低压钛合金表面微孔蚀刻液，其按重量份计，包括有机酸10‑15份、PH稳定剂5‑10份、分散剂10‑20份、蚀刻剂9‑40份、各向异性改性剂3‑5份、低电阻溶剂50‑80份，其中低电阻溶剂包括水、丙二醇、降...
    2026-01-04
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