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  • 本发明属于碳化硅单晶制备技术领域,具体涉及凹面籽晶、基于凹面籽晶的单晶生长方法及碳化硅单晶。该方法的核心在于采用特定几何参数的凹面籽晶,在物理气相传输法生长过程中,通过精确控制热场,使籽晶边缘温度T22持续高于中心温度T11,并维持5~25...
  • 本发明涉及高温合金熔模精密铸造技术领域,具体为一种控制单晶联体导向叶片壁厚尺寸的方法。根据蜡模组合方案中每一联导向叶片的倾斜角度,在叶片型芯上粘贴叶盆侧与叶背侧不同厚度、进气侧至排气侧厚度渐变的芯撑;将粘贴芯撑的叶片型芯放入模具,射蜡完成蜡...
  • 本申请提供了一种单晶硅的拉晶控制方法、装置及相关设备,属于单晶硅生成技术领域。所述方法包括:在单晶硅的拉晶过程中,获取所述单晶硅对应的重量变化率和电流变化率;根据所述重量变化率计算得到所述单晶硅的直径变化率,以及根据所述电流变化率计算得到所...
  • 本申请公开了一种晃动控制方法及相关装置,获取目标晶体的晃动信息,晃动信息包括晃动幅度和晃动频率。根据目标晶体的晃动信息,确定目标电机的转速调整量,目标电机的转速调整量用于缩小目标电机的当前转速与目标转速的差异,目标电机用于驱动目标晶体对应的...
  • 本公开涉及单晶硅技术领域,具体提供一种单晶硅的制备方法、电子设备及计算机可读存储介质,通过控制籽晶插入溶液深度来提高熔接、引晶工艺的稳定性和生产效率。该制备方法包括:采集籽晶下端部和细晶下端部之间的区域图像;基于第一算法分别提取籽晶下端部的...
  • 本申请涉及一种单晶炉与补掺方法,单晶炉包括炉体及补掺装置,补掺装置包括:主体,安装于炉体;一端开口的补掺斗,位于炉体内;操控机构,一端限位于主体,另一端连接补掺斗;其中,操控机构用于带动补掺斗在初始高度、预热高度以及补掺高度之间移动;在补掺...
  • 本发明属于晶体技术领域,公开了一种大尺寸低缺陷的锂辉石晶体生长方法。本发明包括以下步骤:先对天然单斜晶系紫锂辉石单晶进行切割、打孔、固定,得到预处理籽晶;将溶质粉末、复合助熔剂混合处理后填入带盖铂金坩埚中并放入晶体生长炉的加热区,固定预处理...
  • 本发明涉及工艺优化技术领域,揭露了一种闪烁晶体阵列制备及表面处理方法,所述方法包括:将闪烁晶体条按照标准阵列排布构型进行组装固定,得到闪烁晶体阵列初坯;对齐表面形貌原始数据的空间坐标,得到标准表面形貌数据;将标准表面形貌数据与参考基准进行形...
  • 本发明公开了一种富氧去应力晶体生长方法及晶体生长炉,涉及晶体生长技术领域,包括以下步骤:步骤1,对PMNT多晶料进行预处理后装入至坩埚中;步骤2,对生长炉进行预冲洗并营造氧分压环境;步骤3,升高生长炉内温度使坩埚内PMNT多晶料进行熔融和均...
  • 本发明提供了一种β‑氧化镓晶体生长的助熔剂及基于该助熔剂的晶体生长方法,属于晶体生长技术领域。该β‑氧化镓晶体生长的助熔剂包括含锑化合物、含铯化合物和含硼化合物中的至少两种。本发明提出的助熔剂体系,不含高温助熔剂中常用的氧化铅、氟化铅等有毒...
  • 本发明公开一种助熔剂法批量生长掺杂氮化镓单晶装置及方法,属于晶体材料制备技术领域,装置包括反应釜,反应釜底部开设有用于放置圆柱形中心加热单元的圆柱型凹槽,反应釜内设置有用于装原料熔液的环形内衬,环形内衬为由内外两个圆形衬壁形成的环形腔,环形...
  • 本发明公开一种钠助熔剂法氮化镓单晶生长用晶体界面调控装置与方法,属于晶体材料制备技术领域,装置包括反应釜体,反应釜体内设置有坩埚,坩埚内壁为台阶结构,台阶上设置有导流板,反应釜体的侧壁设置侧壁加热单元,底部设置底部加热单元,反应釜体与坩埚底...
  • 本发明属于六方氮化硼单晶生长技术领域,公开一种生长大尺寸六方氮化硼单晶、可重复使用的坩埚,包括坩埚主体,包括坩埚上半部分和坩埚下半部分,二者由连接结构固定;上半部分坩埚为直筒型;坩埚下半部分内壁为倒圆台型内壁与直筒型内壁的组合;坩埚盖,置于...
  • 本发明提供一种单晶型富锂锰基前驱体及其制备方法和应用,所述制备方法包括:(1)混合水和第一沉淀剂,得到反应底液;(2)向反应底液中通入镍钴锰混合盐溶液和第二沉淀剂溶液,在第一pH和第一温度下进行成核反应,随后在第二pH和第二温度条件下进行晶...
  • 本发明公开了一种基于脱脂流体的电解阳极及其制备方法与应用,属于电解用阳极及电镀工艺技术领域。电解阳极,由下而上依次包括钛网基底、第一涂层薄膜和第二涂层薄膜;第一涂层薄膜为氧化钌薄膜;重量为钛网基底重量的0.87%~1.08%;第二涂层薄膜为...
  • 本发明涉及一种镀锡铜合金丝的制备方法,属于铜线表面镀锡处理技术领域。本发明先利用电化学抛光,提高铜合金丝圆柱面的平滑度,再利用巯基硅烷偶联剂对铜合金丝进行表面修饰,将巯基接枝于铜合金丝表面,然后利用巯基和丙烯酸铜之间的迈克尔加成反应,将丙烯...
  • 本发明涉及表面处理技术领域,且公开了一种铝合金表面处理方法及铝合金材料,包括:S1、对铝合金基体进行去油、碱洗和电抛光方式,获得预处理铝合金基体;S2、采用激光复合加工在预处理铝合金基体表面形成多孔氧化铝层,并通过反向溶解与异质粒子沉积在多...
  • 本发明公开了一种基于电镀工艺的金属表面处理装置及方法,具体涉及电镀领域,该金属表面处理装置包括电镀槽和水泵,电镀槽上安装有驱动组件,驱动组件的输出端安装有滚镀机构,滚镀机构包括支架、滚镀组件和动力组件,滚镀组件安装在支架的底部,动力组件用于...
  • 本发明提供了一种适用于晶圆电镀的夹具、翻转机构以及晶圆夹持翻转装置,具体涉及机械自动化技术领域,该装置包括夹具和对称设置于其两侧的翻转机构,二者通过V型块连接板与翻转夹具固定座的嵌合固定构成一体化结构。夹具含夹板、基板软垫、盖板、盖板密封垫...
  • 本发明属于电镀技术领域,具体的说是一种具有辅助阳极的排挂挂具,包括:阳极部件;主体部件,设置在阳极部件的中部,用于支撑该装置;衔接支杆,对称设置在主体部件的左右两侧,且衔接支杆的外表面均匀设置有改装挂钩。将需要进行电镀的金属件悬挂在该装置的...
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