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最新专利技术
  • 一种基于探针辅助定位的灰度激光直写方法
    一种基于探针辅助定位的灰度激光直写方法_北京理工大学_202511812658.7
    本申请实施例提供一种基于探针辅助定位的灰度激光直写方法，包括以下步骤：用扫描热探针在原子力显微镜模式下，通过探针接触‑反馈机制获取二维材料表面高度信息，实现对二维材料表面亚纳米级的寻焦与定位；在二维材料表面形成亚微米尺度的局域能量分布；对所...
    2026-05-15
  • 写场曝光方法、曝光设备、电子设备、介质及产品
    写场曝光方法、曝光设备、电子设备、介质及产品_东莞泽攸科技有限公司_202511707973.3
    本申请公开了一种写场曝光方法、曝光设备、电子设备、介质及产品，应用于光刻技术领域。方法包括：基于曝光设备的写场范围，将待曝光图形划分为多个待曝光区域；降低相邻的多个待曝光区域相对的边缘区域的曝光时间，相邻的多个待曝光区域相对的边缘区域对应待...
    2026-05-15
  • 曝光装置及管理方法
    曝光装置及管理方法_株式会社斯库林集团_202511288119.8
    本发明提供一种能够确认用于驱动空间光调制器的时序信号是否合适的技术。曝光装置具有时序信号生成部(52)、时序信号测量部(56)。时序信号生成部(52)基于根据基板的移动从编码器(29)输出的脉冲信号(Sp), 生成用于驱动空间光调制器(34...
    2026-05-15
  • 一种解决SOC材料球形缺陷的烘烤方法
    一种解决SOC材料球形缺陷的烘烤方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202610049103.X
    本发明属于半导体技术领域，涉及一种解决SOC材料球形缺陷的烘烤方法，包括：将旋涂SOC材料后的晶圆依次进行pin支撑烘烤和接触式烘烤；其中，所述pin支撑烘烤指代：升起热板中央的pin支撑件，将所述晶圆支撑在热板腔体中进行预烘烤；所述接触式...
    2026-05-15
  • 匀胶显影设备
    匀胶显影设备_宁波润华全芯微电子设备有限公司_202610009568.2
    本发明申请涉及匀胶显影设备，属于半导体制造及微纳加工技术领域，匀胶显影设备包括：设备主体，设备主体具有中央搬运通道以及于所述中央搬运通道两侧垂直堆叠设置的多层工艺处理单元；所述中央搬运通道内具有对应所述多层工艺处理单元的每一层设置的机器人传...
    2026-05-15
  • 一种利用嵌段共聚物快速形成纳米图案的方法及其应用
    一种利用嵌段共聚物快速形成纳米图案的方法及其应用_华南理工大学_202511975219.8
    本发明公开了一种利用嵌段共聚物快速形成纳米图案的方法及其应用。本发明的利用嵌段共聚物快速形成纳米图案的方法包括以下步骤：将聚苯乙烯‑聚甲基丙烯酸甲酯嵌段共聚物溶解在由低沸点有机溶剂和高沸点有机溶剂组成的混合溶剂中，低沸点有机溶剂的沸点低于1...
    2026-05-15
  • 一种纳米光刻胶干膜形态、制备及其使用方法
    一种纳米光刻胶干膜形态、制备及其使用方法_湖南大学_202512017753.4
    本发明提供了一种纳米光刻胶干膜形态、制备及其使用方法。纳米光刻胶干膜形态包括三层材料构成的三明治结构：中间层包括PVA水性光刻胶或者PMMA光刻胶，上层覆盖离型膜作为保护层，下层为支撑和转移光刻胶膜的PDMS载体；或者包括五层材料构成的多层...
    2026-05-15
  • 正性化学放大光刻胶组合物、微图形结构及制备方法
    正性化学放大光刻胶组合物、微图形结构及制备方法_江苏艾森半导体材料股份有限公司_202610068237.6
    本发明公开了一种正性化学放大光刻胶组合物、微图形结构及制备方法，正性化学放大光刻胶组合物至少包括如下组分：丙烯酸树脂，所述丙烯酸树脂含有酸不稳定基团；光致产酸剂；有机溶剂。该组合物通过优化化学体系和流变性能，旨在解决单次厚膜涂覆、高纵横比图...
    2026-05-15
  • 一种用于显示面板的低温光刻胶材料及其制备方法
    一种用于显示面板的低温光刻胶材料及其制备方法_合肥汉旸科技材料有限公司_202610034620.X
    本发明公开了一种用于显示面板的低温光刻胶材料及其制备方法，属于光刻胶技术领域。方法包括：将二氧化硅与3‑甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷于丙二醇甲醚醋酸酯中改性分散；合成由丙烯酸树脂、丙烯酸酯衍生物与三丙二醇二丙烯酸酯组成的丙烯酸预聚物；将改...
    2026-05-15
  • 一种感光材料、碱褪胶膜及其制备方法和应用
    一种感光材料、碱褪胶膜及其制备方法和应用_深圳市柳鑫实业股份有限公司_202511963546.1
    本发明涉及一种感光材料、碱褪胶膜及其制备方法和应用。所述感光材料包括如下重量份数的组分：碱溶性树脂30‑70份、光引发剂1‑10份、流平剂0.01‑2份、消泡剂0.01‑2份、溶剂1‑20份；所述碱溶性树脂的酸值为30‑300 mg KOH...
    2026-05-15
  • 感光性树脂组成物、感光性树脂层以及使用其的半导体装置
    感光性树脂组成物、感光性树脂层以及使用其的半导体装置_三星SDI株式会社_202511180786.4
    本发明提供一种感光性树脂组成物，包括由化学式1表示的聚酰亚胺树脂；光聚合化合物；光聚合起始剂；以及溶剂，利用感光性树脂组成物制造的感光性树脂层，以及包括感光性树脂层的半导体装置。化学式1
    2026-05-15
  • 一种可实现双面对准的气压式纳米压印装置
    一种可实现双面对准的气压式纳米压印装置_南京大学_202610137453.1
    本发明公开了一种可实现双面对准的气压式纳米压印装置，涉及纳米压印设备技术领域，包括：架台组件，所述架台组件的上方安装有花岗岩组件，所述花岗岩组件上安装有stage组件、UV固化组件以及视觉成像组件；所述stage组件安装于花岗岩组件的上端面...
    2026-05-15
  • 一种基于复合模板的步进式纳米压印装置
    一种基于复合模板的步进式纳米压印装置_南京大学_202610137438.7
    本发明公开了一种基于复合模板的步进式纳米压印装置，涉及纳米压印技术领域，包括：压印头组件、衬底stage组件和架台组件，所述架台组件用于承载压印头组件和衬底stage组件，所述压印头组件安装于衬底stage组件的上方；所述压印头组件包括ro...
    2026-05-15
  • 一种微纳结构共形转印装置
    一种微纳结构共形转印装置_湖南大学_202512017766.1
    本发明公开了一种微纳结构共形转印装置，涉及微纳制造技术领域。包括机架，在机架的顶部四角分别滑动连接一个第一导杆，四个第一导杆的底端固定连接承载板的顶面四角，承载板的顶面固定连接施压柄，承载板的底面中心可拆卸连接转印头；承载板的底面四角分别固...
    2026-05-15
  • 三维微纳光学元件制备系统、方法及相关设备
    三维微纳光学元件制备系统、方法及相关设备_紫荆光刻技术(深圳)有限公司_202511829393.1
    本发明实施例涉及微纳制造技术领域，公开了一种三维微纳光学元件制备系统、方法及相关设备，该系统包括数据控制与处理端、光场生成及调制器、样品平台及在线监测仪，在线监测仪测量初步制备得到第一微纳光学元件的形貌尺寸；数据控制与处理端根据第二三维结构...
    2026-05-15
  • 检测光刻制程工艺中缺陷图案印出风险的方法
    检测光刻制程工艺中缺陷图案印出风险的方法_力晶积成电子制造股份有限公司_202411358175.X
    一种检测光刻制程工艺中缺陷图案印出的方法，包含在空间图像模拟中产生一光罩图案的强度曲线，该强度曲线具有一主波谷以及一邻近该主波谷的次波谷，该空间图像模拟具有一阈值强度以及一与该次波谷相交而界定出的强度区域、将该强度区域分割成多个长方形切割块...
    2026-05-15
  • 光掩模护膜及方法
    光掩模护膜及方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511702712.2
    本发明提供一种用于在光刻期间保护光掩模免受污染颗粒的光掩模护膜。光掩模护膜包括具有硼碳氮化物(BCN)纳米结构网络的光掩模护膜物。光掩模护膜物附加到光掩模护膜框架，该框架安装到在光刻操作期间使用的光掩模上。
    2026-05-15
  • 掩模基版缺陷检测方法及装置
    掩模基版缺陷检测方法及装置_上海传芯半导体有限公司_202512039066.2
    本发明提供一种掩模基版缺陷检测方法及装置，该方法包括以下步骤：采用激光共聚焦显微镜对待检测的掩模基版进行扫描，获取掩模基版表面的颗粒的共聚焦信号；采用白光干涉仪对掩模基版进行扫描，获取掩模基版的表面轮廓数据；从颗粒的共聚焦信号中获取颗粒的形...
    2026-05-15
  • 光学邻近修正方法、装置、掩膜版的制备方法及掩膜版
    光学邻近修正方法、装置、掩膜版的制备方法及掩膜版_广州增芯科技有限公司_202610114310.9
    本申请公开一种光学邻近修正方法、装置、掩膜版的制备方法以及掩膜版，涉及半导体技术领域。该光学临近修正方法，包括：提供目标版图，目标版图包括多个具有预设宽度的线端，相邻设置的两个线端为线端组；识别目标版图中的待处理线端组，待处理线端组包括线端...
    2026-05-15
  • 添加辅助图形时保持辅助图形一致性的方法及孔洞层图形
    添加辅助图形时保持辅助图形一致性的方法及孔洞层图形_重庆芯联微电子有限公司_202511505637.0
    本发明提供了一种添加辅助图形时保持辅助图形一致性的方法及孔洞层图形，属于半导体领域。该添加辅助图形时保持辅助图形一致性的方法包括提供一孔洞层图形；将第一辅助图形沿第一方向进行延伸，将第二辅助图形沿第二方形进行延伸，若延伸之后的第一辅助图形和...
    2026-05-15
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