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最新专利技术
  • 半导体存储器装置
    半导体存储器装置_三星电子株式会社_202511173799.9
    一种半导体存储器装置包括衬底、在衬底上在第一方向上堆叠的多条字线、在第一方向上在相邻的字线之间并在第二方向上延伸的沟道区、在沟道区的第一侧的第一源极/漏极区、在沟道区的第二侧的第二源极/漏极区、在衬底上在第一方向上延伸并分别连接到第一源极/...
    2026-03-23
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510962756.2
    半导体器件包括在第一方向上延伸的位线、在第二方向上延伸并且具有在第一方向上彼此相对的第一侧表面和第二侧表面的模结构、以及在位线上并且分别在模结构的第一侧表面和第二侧表面上的第一垂直半导体图案和第二垂直半导体图案。模结构的第一侧表面和第二侧表...
    2026-03-23
  • 半导体存储器件
    半导体存储器件_三星电子株式会社_202510921520.4
    一种半导体存储器件包括：具有上表面的衬底；有源区，在垂直于衬底的上表面的垂直方向上与衬底间隔开，并且在平行于衬底的上表面的第一横向方向上延伸；字线，至少部分地围绕有源区且在平行于衬底的上表面且垂直于第一横向方向的第二横向方向上延伸；电容器，...
    2026-03-23
  • 半导体存储器件
    半导体存储器件_三星电子株式会社_202510920240.1
    一种半导体存储器件包括：有源区，在垂直方向上与基板间隔开并在第一方向上延伸，有源区包括掩埋接触、沟道区和直接接触；字线，围绕沟道区并在与第一方向交叉的第二方向上延伸；电容器，包括第一电极，第一电极包括电极支撑部分和主电极部分，电极支撑部分连...
    2026-03-23
  • 半导体存储装置及半导体装置
    半导体存储装置及半导体装置_铠侠股份有限公司_202510175262.X
    实施方式提供能够制造高品质的半导体装置的半导体存储装置及半导体装置。实施方式的半导体存储装置具备：氧化物半导体，沿着上下方向延伸；第1电极，包括第1导电体，该第1导电体包含第1氧化物导电材料，且与所述氧化物半导体的上端连接；栅极电极，隔着栅...
    2026-03-23
  • 垂直鳍式栅极晶体管和存储器装置
    垂直鳍式栅极晶体管和存储器装置_南亚科技股份有限公司_202411526873.6
    本公开的实施方式提供一种存储器装置和垂直鳍式栅极晶体管。存储器装置包括存储器单元，其中存储器单元包括位元线、位于位元线上方的字元线以及位于位元线上的半导体基板。字元线包括多个鳍式字元线和连接鳍式字元线的共同字元线，其中鳍式字元线部分覆盖半导...
    2026-03-23
  • 垂直鳍式栅极晶体管和存储器装置
    垂直鳍式栅极晶体管和存储器装置_南亚科技股份有限公司_202411526630.2
    本公开的实施方式提供一种存储器装置和垂直鳍式栅极晶体管。存储器装置包括存储器单元，其中存储器单元包括位元线、位于位元线上方的字元线以及位于位元线上的半导体基板。字元线包括多个鳍式字元、连接鳍式字元线的鳍片连接件和位于鳍片连接件上的共同字元线...
    2026-03-23
  • 垂直鳍式场效应晶体管和存储器装置
    垂直鳍式场效应晶体管和存储器装置_南亚科技股份有限公司_202411526452.3
    本公开的实施方式提供一种存储器装置和垂直鳍式场效应晶体管。存储器装置包括存储器单元，其中存储器单元包括位元线、位于位元线上方的字元线、位于位元线上且嵌入字元线中的多个半导体鳍片、物理性接触各个半导体鳍片的一个侧壁的主体线，以及包覆主体线的绝...
    2026-03-23
  • 半导体结构及半导体结构的形成方法
    半导体结构及半导体结构的形成方法_芯盟科技有限公司_202411294662.4
    一种半导体结构及其形成方法，结构包括：衬底，包括第一区、第二区和第三区，衬底包括：若干第一有源区和若干第二有源区，第一有源区和第二有源区交替排列，衬底第二面的第一有源区包括相互分立的第一分部和第二分部，衬底第二面的第二有源区包括相互分立的第...
    2026-03-23
  • 存储单元、存储阵列及其控制方法、存储装置及其制造方法
    存储单元、存储阵列及其控制方法、存储装置及其制造方法_芯盟科技有限公司_202411294655.4
    一种存储单元、存储阵列及其控制方法、存储装置及其制造方法，所述存储单元包括：器件柱、周向围绕所述器件柱的栅极结构、位于所述器件柱靠近所述第一端的一侧的存储电容以及位于所述器件柱靠近所述第二端的一侧的互连台。所述存储单元的面积较小，能够有效提...
    2026-03-23
  • 动态随机存取存储器及其形成方法
    动态随机存取存储器及其形成方法_芯盟科技有限公司_202411294648.4
    一种动态随机存取存储器及其形成方法，其中动态随机存取存储器包括：第一沟道柱组，包括若干第一沟道柱；第二沟道柱组，包括若干第二沟道柱；第一字线栅结构，控制1个第一沟道柱组中的每个第一沟道柱；第二字线栅结构，控制1个第二沟道柱组中的每个第二沟道...
    2026-03-23
  • 半导体结构及其制造方法、存储器
    半导体结构及其制造方法、存储器_芯盟科技有限公司_202411294633.8
    本申请实施例提供一种半导体结构及其制造方法、存储器。其中，该半导体结构包括：有源柱阵列；有源柱阵列的相邻的两行有源柱之间的有源柱、相邻的两列有源柱之间的有源柱均相互错开；每一有源柱包括垂直方向设置的第一源/漏极、沟道、第二源/漏极；多条字线...
    2026-03-23
  • 存储器器件、制作方法以及控制方法
    存储器器件、制作方法以及控制方法_芯盟科技有限公司_202411294623.4
    本公开实施例公开了一种存储器器件、制作方法以及控制方法，所述存储器器件包括：行，包括沿第一方向交替设置的第一半导体柱以及第二半导体柱，奇数行以及偶数行沿第二方向交替排布；列，包括沿第二方向交替设置的第一半导体柱以及第二半导体柱，奇数列以及偶...
    2026-03-23
  • 半导体结构及其形成方法、存储阵列
    半导体结构及其形成方法、存储阵列_芯盟科技有限公司_202411291370.5
    一种半导体结构及其形成方法、存储阵列，其中方法包括：提供衬底；在第一表面上形成第一光刻胶层；对第一光刻胶层进行曝光显影，形成具有垂直晶体管图案的第一光刻胶层；以具有垂直晶体管图案的第一光刻胶层为掩膜，沿第一表面对部分有源区和部分隔离区进行刻...
    2026-03-23
  • 存储单元、存储阵列及其控制方法、存储装置及其制造方法
    存储单元、存储阵列及其控制方法、存储装置及其制造方法_芯盟科技有限公司_202411291361.6
    一种存储单元、存储阵列及其控制方法、存储装置及其制造方法，存储单元包括：器件柱，所述器件柱具有沿所述器件柱的轴向相背的第一端和第二端；栅极结构，所述栅极结构沿周向围绕所述器件柱，沿所述器件柱的轴向，所述栅极结构与所述第一端和所述第二端均分离...
    2026-03-23
  • 动态随机存取存储器及其形成方法
    动态随机存取存储器及其形成方法_芯盟科技有限公司_202411291121.6
    一种动态随机存取存储器及其形成方法，其中动态随机存取存储器包括：第一沟道柱组，包括若干第一沟道柱；第二沟道柱组，包括若干第二沟道柱；第一字线栅，其材料包括金属和多晶硅；第二字线栅，其材料包括金属和多晶硅；第一位线，与第一沟道柱组中对应的第一...
    2026-03-23
  • 半导体结构及其制造方法、存储器
    半导体结构及其制造方法、存储器_芯盟科技有限公司_202411291058.6
    本申请实施例提供一种半导体结构及其制造方法、存储器。其中，半导体结构包括：有源柱阵列；每一有源柱包括垂直设置的第一源/漏极、沟道、第二源/漏极；多条字线；每条字线包括多个第一部分和多个第二部分；每个第一部分至少覆盖对应的有源柱阵列的一行有源...
    2026-03-23
  • 存储器器件、制作方法以及控制方法
    存储器器件、制作方法以及控制方法_芯盟科技有限公司_202411291041.0
    本公开实施例公开了一种存储器器件、制作方法以及控制方法，所述存储器器件包括：行，包括沿第一方向排列的多个第一半导体柱；列，包括沿第二方向排列的多个第一半导体柱；行上的任意两个相邻的第一半导体柱间隔一列排布，列上的任意两个相邻的第一半导体柱间...
    2026-03-23
  • 半导体结构及其制备方法、存储器和存储系统
    半导体结构及其制备方法、存储器和存储系统_长江存储科技有限责任公司_202411290151.5
    本申请实施方式提供了一种半导体结构、半导体结构的制备方法、存储器和存储系统，其中，半导体结构包括衬底以及第一隔离结构，第一隔离结构位于衬底中且沿第一方向延伸并包括电容结构和第一绝缘层，电容结构沿所述第一方向延伸，第一绝缘层位于电容结构和衬底...
    2026-03-23
  • 半导体结构及半导体结构的形成方法
    半导体结构及半导体结构的形成方法_芯盟科技有限公司_202411289362.7
    一种半导体结构及其形成方法，结构包括：衬底，包括第一区、第二区和第三区，衬底包括：若干有源区，衬底第二面暴露出的有源区包括相互分立的第一分部和第二分部；位于相邻有源区之间的第一隔离层；位于第二区的若干第一切断层，若干第一切断层对间隔的第一隔...
    2026-03-23
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