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最新专利技术
  • 半导体器件及其制造方法、电子装置
    半导体器件及其制造方法、电子装置_无锡华润微电子有限公司_202411251945.0
    本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，半导体器件包括：衬底；位于所述衬底上的晶体管；位于所述衬底上并覆盖所述晶体管的介电层；位于所述介电层上的金属化合物层；覆盖所述金属化合物层的第一电极层，以及位于所述第一电极层上的电容介质层和第...
    2026-03-23
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202511112286.7
    一种半导体器件，可以包括：衬底；导电线路，该导电线路在第一水平方向彼此间隔开，该导电线路沿与第一水平方向相交的第二水平方向延伸；至少一个栅电极，该至少一个栅电极在第一水平方向上位于导电线路之间，该至少一个栅电极沿垂直方向延伸；沟道层，该沟道...
    2026-03-23
  • 具有电感器的半导体存储器装置
    具有电感器的半导体存储器装置_爱思开海力士有限公司_202510287851.7
    本申请公开一种具有电感器的半导体存储器装置。半导体存储器装置包括：衬底；外围结构，包括竖直堆叠在衬底上的多个下部布线层；存储器结构，设置在外围结构上，并且在第一区域中包括存储器单元阵列；输入/输出焊盘，在第二区域中设置在存储器结构的上方；以...
    2026-03-23
  • 存储器阵列和用于形成存储器电路系统的方法
    存储器阵列和用于形成存储器电路系统的方法_美光科技公司_202511289205.0
    本公开涉及存储器阵列和用于形成存储器电路系统的方法。本发明提供一种存储器阵列，包括堆叠，其包括竖直交替的绝缘层和导电层。沟道材料串延伸穿过绝缘层和导电层，且排列成集合在水平X方向及Y方向上彼此间隔开。在集合中的个别者中的沟道材料串排列成群组...
    2026-03-23
  • 垂直非易失性存储器器件
    垂直非易失性存储器器件_三星电子株式会社_202510657147.6
    一种垂直非易失性存储器器件包括垂直沟道结构、在水平方向上延伸同时围绕垂直沟道结构并且在垂直方向上彼此分开的第一栅极线、在第一栅极线上沿水平方向延伸的第二栅极线、在第二栅极线上沿水平方向延伸的第一半导体线、通过穿过第一半导体线和第二栅极线连接...
    2026-03-23
  • 存储器装置和该存储器装置的制造方法
    存储器装置和该存储器装置的制造方法_爱思开海力士有限公司_202510415219.6
    提供一种存储器装置和该存储器装置的制造方法。根据本公开的实施方式的一种存储器装置包括：层叠结构，其包括在第一方向上彼此间隔开的导电层；单元插塞，其在层叠结构中在第一方向上延伸；以及气隙，其限定在导电层之间，其中，气隙朝向单元插塞延伸越过导电...
    2026-03-23
  • 存储器件
    存储器件_铠侠股份有限公司_202510276182.3
    本实施方式的存储器件抑制存储器件的不良。实施方式的存储器件(1)包括贴合第1芯片(20)的第2芯片(10)，第2芯片包括：层叠体(900)，包括在与芯片表面垂直的第1方向排列的多个导电层(103)；层叠体上方的半导体层(101a)；第1接触...
    2026-03-23
  • 半导体装置
    半导体装置_铠侠股份有限公司_202510217067.9
    本发明涉及一种半导体装置。第1绝缘体位于比第1衬底更靠第1方向。第1导电体位于第1绝缘体中。第2衬底位于比第1绝缘体更靠第1方向。第1阱区域具有第1导电型，设置在第2衬底中，且具有第1杂质浓度。第1杂质区域具有第1导电型，在第2衬底中在比第...
    2026-03-23
  • 半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法
    半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法_铠侠股份有限公司_202510216384.9
    本实施方式提供一种能够缩小积层体端部的虚拟区域的半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法。1个实施方式的半导体存储装置具备：积层体，包含逐层地交替积层的多个导电层与多个第1绝缘层；多个狭缝，在与积层体的积层方向交叉的第1方向及积层方向上，在...
    2026-03-23
  • 半导体存储装置
    半导体存储装置_铠侠股份有限公司_202510183319.0
    本发明提供一种能够简化布线，且减少消耗电力的半导体存储装置。本实施方式的半导体存储装置具备：用于数据的写入的多个第1数据线及多个第1控制线；用于数据的读取的多个第2数据线及多个第2控制线；以及多个存储单元。第1驱动线相对于多个第1控制线及多...
    2026-03-23
  • 半导体存储装置及其制造方法
    半导体存储装置及其制造方法_铠侠股份有限公司_202510148975.7
    本公开提供能够使数据保持特性提高、以及提高写入饱和且降低擦除饱和的半导体存储装置及其制造方法。本实施方式的半导体存储装置具备多个电极膜和多个第1绝缘膜交替地在第1方向上层叠而成的层叠体。柱状体以在第1方向上贯通层叠体的方式设置。铝氧化膜设置...
    2026-03-23
  • 基于突触晶体管的并行梯度计算芯片及封装方法
    基于突触晶体管的并行梯度计算芯片及封装方法_广西华芯振邦半导体有限公司_202511841753.X
    本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了基于突触晶体管的并行梯度计算芯片及封装方法，包括下方的浮栅晶体管、中间的再布线层、上方的晶体管以及用于填充间隙的氧化层，所述浮栅晶体管包括P型MOS管和N型MOS管，所述晶体管从上向下依次包括铝栅极层...
    2026-03-23
  • 半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法
    半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法_铠侠股份有限公司_202510245453.9
    本发明的实施方式涉及一种半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法。一实施方式的半导体存储装置具有第1积层体、第2积层体、源极线、第1柱状部、第2柱状部、第1位线及第2位线。所述源极线在所述第1方向上，配置在所述第1积层体与所述第2积层体之间...
    2026-03-23
  • 半导体装置及半导体装置的制造方法
    半导体装置及半导体装置的制造方法_铠侠股份有限公司_202510234043.4
    实施方式提供能够在抑制寄生电容的增加的同时层叠多个晶体管的半导体装置及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置具备：半导体基板；第一晶体管，其设置在半导体基板上；半导体层，其设置在半导体基板的上方，具有比半导体基板小的面积；第二晶体管，其...
    2026-03-23
  • 半导体结构及半导体结构的形成方法
    半导体结构及半导体结构的形成方法_中芯国际集成电路制造(北京)有限公司_202411195282.5
    一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供衬底，包括第一区；形成位于第一区上的浮栅结构、位于浮栅结构上的控制栅结构以及位于控制栅结构与浮栅结构之间的控制栅介质结构；在衬底上形成掩膜层，具有第一开口，暴露出第一区的部分控制栅结构；去除第一开口...
    2026-03-23
  • 半导体结构的形成方法及中间结构体
    半导体结构的形成方法及中间结构体_浙江创芯集成电路有限公司_202511878368.2
    本发明提供一种半导体结构的形成方法及中间结构体，所述方法包括：形成基底，基底上具有相互间隔且凸起的控制栅结构；在基底上形成保形覆盖的初始浮栅层；在初始浮栅层的表面旋涂初始抗反射层和初始硬掩模层；沿控制栅结构的延伸方向，间隔刻蚀初始硬掩模层和...
    2026-03-23
  • 半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备
    半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备_长江存储科技有限责任公司_202411290251.8
    本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备，涉及半导体芯片技术领域。该半导体结构包括堆叠结构和第一介质层。堆叠结构包括至少两个存储区以及设置在相邻的两个存储区之间的栅极隔槽结构，栅极隔槽结构沿第一方向延伸，并沿第二方向贯穿堆...
    2026-03-23
  • 半导体装置及半导体装置的制造方法
    半导体装置及半导体装置的制造方法_铠侠股份有限公司_202510259251.X
    本发明提供一种能够容易地形成高纵横比的图案的半导体装置及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置1具备：第1结构体；第1柱状体，在所述第1结构体内沿第1方向延伸；第2结构体；第2柱状体，在所述第2结构体内沿所述第1方向延伸；以及贴合面，介...
    2026-03-23
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_铠侠股份有限公司_202510253697.1
    本公开提供半导体装置及其制造方法。根据一个实施方式，半导体装置具备包括在第1方向上交替地设置的多个电极层和多个第1绝缘膜的层叠膜。所述装置还具备柱状部，该柱状部在所述层叠膜内沿所述第1方向延伸，并且包括隔着第2绝缘膜设置于所述层叠膜的侧面的...
    2026-03-23
  • 半导体存储器装置
    半导体存储器装置_三星电子株式会社_202511173799.9
    一种半导体存储器装置包括衬底、在衬底上在第一方向上堆叠的多条字线、在第一方向上在相邻的字线之间并在第二方向上延伸的沟道区、在沟道区的第一侧的第一源极/漏极区、在沟道区的第二侧的第二源极/漏极区、在衬底上在第一方向上延伸并分别连接到第一源极/...
    2026-03-23
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