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最新专利技术
  • 晶体管结构及其制作方法
    晶体管结构及其制作方法_联华电子股份有限公司_202411284186.8
    本发明公开一种晶体管结构及其制作方法，其中该晶体管结构包含：一基底；一主动区域，由该基底上的一沟槽隔离区所定义，其中，该主动区域包含一源极区、与该源极区间隔开的一漏极区，以及位于该源极区和该漏极区之间的一通道区；一栅极，设置于该通道区上，其...
    2026-03-22
  • 半导体器件、半导体器件的制备方法及电子设备
    半导体器件、半导体器件的制备方法及电子设备_华为技术有限公司_202411279253.7
    本申请提供一种半导体器件、电子设备以及半导体器件的制备方法。涉及半导体技术领域。该半导体器件包括P型晶体管，包括P型晶体管包括第一极、第二极和沟道，第一极包括硼；另外，该半导体器件还包括第一膜层和阻挡层，第一膜层位于第一极上，第一膜层包括硼...
    2026-03-22
  • 具有嵌入式外延层的半导体器件及其制造方法
    具有嵌入式外延层的半导体器件及其制造方法_上海华力集成电路制造有限公司_202411215912.0
    本发明公开了一种具有嵌入式外延层的半导体器件，各半导体器件的栅极结构之间的区域为源漏形成区，源漏形成区的宽度为接触宽度。各源漏形成区中的源漏沟槽的各侧面具有尖端，尖端所在位置的平面和源漏沟槽的顶部表面之间具有第一间距。在源漏沟槽中填充有嵌入...
    2026-03-22
  • 一种包含垂直型结构的晶体管、制备方法及应用
    一种包含垂直型结构的晶体管、制备方法及应用_中国科学院国家空间科学中心_202610179227.X
    本发明涉及一种包含垂直型结构的晶体管、制备方法及应用。包含垂直型结构的晶体管中栅极为垂直型结构；所述栅极的一部分，覆盖在经过高空穴浓度结构层加工形成的第一图形的上方；另一部分，垂直于器件表面向下延伸至势垒层。本发明，直接通过设计特殊的栅极电...
    2026-03-22
  • 一种氮化镓器件堆叠结构及其制造方法
    一种氮化镓器件堆叠结构及其制造方法_杭州谱析光晶半导体科技有限公司_202610155585.7
    本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种氮化镓器件堆叠结构及其制造方法，包括位于底部的基层氮化镓结构和位于顶部的顶层氮化镓结构；所述基层氮化镓结构的内部从下向上依次包括：基层衬底、基层缓冲层、基层GaN层、基层AlGaN层；所述基层氮化...
    2026-03-22
  • 半导体装置和半导体装置的制造方法
    半导体装置和半导体装置的制造方法_住友电工光电子器件创新株式会社_202511250112.7
    涉及半导体装置和半导体装置的制造方法。半导体装置具有：基板，具有第一面和与所述第一面相对的第二面；第一氮化物半导体层，具有与所述第二面接触的第三面和与所述第三面相对的第四面，在所述第四面形成有凹部；以及第二氮化物半导体层，设于所述凹部，在所...
    2026-03-22
  • 一种沟槽MOSFET器件及其制备方法
    一种沟槽MOSFET器件及其制备方法_深圳市芯电元科技有限公司_202610174708.1
    本申请公开了一种沟槽MOSFET器件及其制备方法，该制备方法包括：通过第一预设工艺在器件外延层进行沟槽蚀刻处理，以至少在器件外延层的终端区蚀刻出若干终端环沟槽，进而在终端区定义出多个第一平台和一个第二平台；通过第二预设工艺在所有第一平台和第...
    2026-03-22
  • 一种MOSFET器件及其制造方法
    一种MOSFET器件及其制造方法_厦门芯达茂微电子有限公司_202511924896.7
    本发明涉及半导体功率器件技术领域，特别涉及一种MOSFET器件及其制造方法，其包括以下步骤：在衬底上依次生长第一外延层和第二外延层；在第二外延层表面依据沟槽图案沉积掩膜，并进行首次蚀刻形成第一沟槽，在第一沟槽内进行P型掺杂的离子注入，形成第...
    2026-03-22
  • 垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管及制备方法
    垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管及制备方法_北京中科新微特科技开发股份有限公司_202511912745.X
    本申请公开了一种垂直双扩散金属‑氧化物半导体场效应晶体管及制备方法，涉及半导体技术领域。该制备方法在外延层的一侧依次形成栅氧化层、栅极和第一介质层，利用第一介质层具有较大的密度(结构疏松)，在有氧条件下，氧能够穿透第一介质层与外延层中的硅反...
    2026-03-22
  • 一种沟槽型VDMOS器件及其制造方法
    一种沟槽型VDMOS器件及其制造方法_浙江炎黄民芯科技有限公司_202511895311.3
    本发明涉及VDMOS技术领域，并公开了一种沟槽型VDMOS器件及其制造方法，包括以下步骤：衬底准备与初始氧化、有源区与沟槽图形定义、双台阶沟槽刻蚀与成形、栅介质与多晶硅栅集成、自对准体区与源区构建、层间介质沉积与接触孔刻蚀、正面金属化与合金...
    2026-03-22
  • 半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆
    半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆_长飞先进半导体(武汉)有限公司_202511819275.2
    本申请公开了一种半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆。该制造方法包括：提供半导体本体，包括相对设置的第一表面和第二表面；在半导体本体形成阱区和第一区域，第一区域位于第一表面，阱区位于第一区域远离第一表面的一侧；在第一表面形成栅...
    2026-03-22
  • 降低导通电阻的SGT-MOSFET的制造方法
    降低导通电阻的SGT-MOSFET的制造方法_重庆万国半导体科技有限公司_202511704732.3
    本发明公开了一种降低导通电阻的SGT‑MOSFET的制造方法，包括：取一具有外延层的硅衬底；在所述外延层上刻蚀形成栅极沟槽；在所述栅极沟槽的槽壁上形成栅氧化层，并在所述栅极沟槽中从下至上依次形成底部多晶硅、第一隔离氧化层、中部多晶硅、第二隔...
    2026-03-22
  • 晶体管及形成和操作晶体管的方法
    晶体管及形成和操作晶体管的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511671163.7
    本发明提供一种晶体管，其栅极电介质层包括中央区域和一个或多个边缘区域。中央区域的厚度小于多个边缘区域的厚度。这增加了角落氧化物厚度并减少了双峰现象，在不需要额外掩模的情况下改善了性能。
    2026-03-22
  • 一种半导体器件及其制造方法
    一种半导体器件及其制造方法_无锡华润微电子有限公司_202411263604.5
    本申请提供一种半导体器件及其制造方法，该方法包括：提供衬底，所述衬底中形成有至少一个沟槽型栅极结构；形成覆盖所述衬底和所述沟槽型栅极结构的层间介质层；在所述层间介质层上形成具有预设角度的图案化的光刻胶层，以光刻胶层为掩膜刻蚀所述层间介质层，...
    2026-03-22
  • 一种SiGe结构制造方法及半导体器件
    一种SiGe结构制造方法及半导体器件_上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司_202411253906.4
    本发明公开了一种SiGe结构制造方法及半导体器件，应用于半导体器件制备技术领域，包括：获取具有多个凹槽的预制件；在凹槽内基于SiGe工艺制备目标结构；目标结构为SiGe结构的部分结构；对目标结构进行回刻蚀，得到刻蚀结构；回刻蚀的刻蚀速率与硅...
    2026-03-22
  • 场效应晶体管及其制造方法
    场效应晶体管及其制造方法_无锡华润上华科技有限公司_202411233272.6
    本发明涉及一种场效应晶体管及其制造方法，所述方法包括：获取形成有漂移区、源极区、漏极区及栅极的晶圆；形成金属硅化物阻挡层，包括氧化层和氧化层上的刻蚀停止层；形成层间介质层；使用接触孔光刻版进行光刻，在层间介质层上，形成接触孔刻蚀窗口和位于栅...
    2026-03-22
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_无锡华润上华科技有限公司_202411232499.9
    本发明涉及一种半导体器件极其制造方法，所述方法包括：获取形成有源极区、漏极区、栅极及场氧层的晶圆；形成覆盖源极区、漏极区及栅极的刻蚀停止层；在刻蚀停止层上形成氮氧化硅复合层；氮氧化硅复合层从底部到顶部，氮元素对氧元素的比值呈上升趋势；光刻并...
    2026-03-22
  • 一种定位限压双向晶闸管
    一种定位限压双向晶闸管_杭州西风半导体有限公司_202511846965.7
    本发明属于电力半导体技术领域，且公开了一种定位限压双向晶闸管，包括芯片，芯片正反两面均自中心向边缘依次设置的P型门极区及隔离区、N+放大门极区、P型短路点、P型放大门极区、N+阴极区、交替掺杂区；交替掺杂区环绕N+阴极区设置，交替掺杂区由多...
    2026-03-22
  • 半导体装置
    半导体装置_三菱电机株式会社_202511048393.8
    本公开的目的在于提供一种能够准确地测定温度感测部的电位的技术。半导体装置具备：发射极电极、与发射极电极邻接地设置的温度感测部、感测布线、和发射极电极与感测布线的连接部邻接地设置的第1引线接合部。感测布线包括第1感测布线部、第2感测布线部以及...
    2026-03-22
  • IGBT器件及其制造方法
    IGBT器件及其制造方法_上海鼎阳通半导体科技有限公司_202511863177.9
    本发明公开了一种IGBT器件，背面结构包括：形成于场截止层整个背面区域的第一P型背面注入层和形成于场截止层的部分背面区域的第二P型背面注入层。在第二P型背面注入层的形成区域中，第一和第二P型背面注入层和场截止层的杂质相叠加形成净掺杂为P型重...
    2026-03-22
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