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最新专利技术
  • 一种轻质光伏组件及制造方法
    一种轻质光伏组件及制造方法_一道新能源科技股份有限公司_202411221318.2
    本发明提供一种轻质光伏组件及制造方法，涉及光伏组件技术领域，该轻质光伏组件包括电池件、胶膜件、封装件和边框组件。第一胶膜层设置于电池件的一侧，第二胶膜层设置于电池件的一侧，第一封装层设置于第一胶膜层背离电池件的一侧，第二封装层设置于第二胶膜...
    2026-03-22
  • 一种HBC太阳能电池和制备方法
    一种HBC太阳能电池和制备方法_晶澳(扬州)太阳能科技有限公司_202411178020.8
    本发明公开了一种HBC太阳能电池和制备方法，涉及太阳能电池技术领域。该电池包括：硅基体；设置于所述硅基体的第一主表面的多个第一掺杂区、多个第二掺杂区及多个隔离区；其中，多个所述第一掺杂区和多个所述第二掺杂区在所述第一主表面上呈指交叉排列，所...
    2026-03-22
  • 一种低翘曲柔性薄膜太阳电池及其制备方法
    一种低翘曲柔性薄膜太阳电池及其制备方法_南昌凯迅光电股份有限公司_202610178924.3
    本发明涉及太阳电池技术领域，具体涉及一种低翘曲柔性薄膜太阳电池及其制备方法，该太阳电池由支撑衬底、MXene‑PI复合衬底、外延层、P电极、N电极和减反射膜层组成；MXene‑PI复合衬底是在PI膜衬底正面覆盖一层MXene层形成的复合衬底...
    2026-03-22
  • 一种背接触钝化太阳能电池及其制备方法
    一种背接触钝化太阳能电池及其制备方法_晶澳(扬州)太阳能科技有限公司_202411180140.1
    本发明公开了一种背接触钝化太阳能电池及其制备方法，涉及太阳能电池制造技术领域，该背接触钝化太阳能电池包括：硅基体；硅基体第一主表面的第一区域由内至外层叠设置的第一载流子收集层、第一导电薄膜层和第二导电薄膜层；硅基体第一主表面的第二区域由内至...
    2026-03-22
  • 一种基于沟槽结构的抗ESD增强型功率半导体器件
    一种基于沟槽结构的抗ESD增强型功率半导体器件_安建科技(深圳)有限公司_202610120764.7
    一种基于沟槽结构的抗ESD增强型功率半导体器件，涉及于功率半导体器件，为提升器件抗ESD能力，本发明提供的器件包含有栅极金属层与栅极总线，器件内部设有场限环，栅极金属层和栅极总线之间连接有多组平行排列的第一沟槽栅，栅极金属层内设有第二沟槽栅...
    2026-03-22
  • 一种应用于高速ADC输入端口的静电与浪涌防护器件
    一种应用于高速ADC输入端口的静电与浪涌防护器件_江南大学_202511888391.X
    本发明涉及一种应用于高速ADC输入端口的静电与浪涌防护器件，属于集成电路的静电与浪涌防护技术领域。该器件通过在半导体衬底上的深N阱中设置若干P阱和若干注入区，基于若干P阱和若干注入区构成PNP和NPN结构、二极管结构以及晶体管，再基于若干晶...
    2026-03-22
  • 一种低电容瞬态抑制保护器件
    一种低电容瞬态抑制保护器件_豪威集成电路(集团)股份有限公司_202511805721.4
    本申请实施例提供了一种低电容瞬态抑制保护器件，采用高掺杂衬底和双层外延，通过采用高阻衬底作为共用集电极，串联两个基区浮空的NPN三极管，这样串联设计能够使电容减半。同时再并联一个超低触发电压的SCR结构，利用半导体穿通特性，解决了高阻衬底三...
    2026-03-22
  • 隔离图案模块及其制作方法与隔离图案的建构方法
    隔离图案模块及其制作方法与隔离图案的建构方法_联华电子股份有限公司_202411315561.0
    一种隔离图案模块及其制作方法与隔离图案的建构方法。该隔离图案模块包括：第一子隔离图案以及第二子隔离图案。第一子隔离图案包括多个图案单元，每一个图案单元具有一条线宽边界，用以定义出一个封闭区域。第二子隔离图案对应于每一个图案单元的该线宽边界，...
    2026-03-22
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202511992112.4
    一种半导体装置包括有源图案，其包括沟道区。沟道区布置在第一方向上彼此间隔开的第一源极/漏极图案与第二源极/漏极图案之间以及所述第一方向上彼此间隔开的第二源极/漏极图案之间。所述沟道区被构造为将所述第一源极/漏极图案彼此连接以及将所述第二源极...
    2026-03-22
  • 半导体器件的测试版图结构、半导体版图结构及其制造方法
    半导体器件的测试版图结构、半导体版图结构及其制造方法_无锡华润微电子有限公司_202411218244.7
    本发明提供一种半导体器件的测试版图结构、半导体版图结构及其制造方法，半导体器件的测试版图结构包括：至少一个子测试版图层，子测试版图层包括连接区版图层和测试端版图层；连接区版图层的第一端用于连接半导体器件的衬底图形区、栅极图形区、源极图形区和...
    2026-03-22
  • 消除天线效应的电路结构和半导体结构
    消除天线效应的电路结构和半导体结构_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202411198400.8
    本申请涉及消除天线效应的电路结构和半导体结构，该消除天线效应的电路结构包括：包括至少一个二极管和缓冲器，二极管中一端和缓冲器的输入端均和电路结构的输入端连接，缓冲器的输出端为电路结构的输出端，二极管中的另一端接地。本申请实施例中，通过上述电...
    2026-03-22
  • 一种半导体器件、制备方法和电子设备
    一种半导体器件、制备方法和电子设备_中国科学院微电子研究所_202511912833.X
    本申请提供了一种半导体器件、制备方法和电子设备，涉及半导体技术领域，该器件包括位于衬底一侧且位于介质层中的多个晶体管结构，覆盖各源漏结构的刻蚀保护层，分别与源漏结构对应的通孔。通孔的第一通孔由介质层表面延伸至刻蚀保护层，第二通孔贯穿刻蚀保护...
    2026-03-22
  • 背板及显示面板
    背板及显示面板_京东方科技集团股份有限公司_202411237105.9
    本公开提供一种背板及显示面板。具体地，所述背板包括所述背板包括显示区和环绕显示区的周边区，所述背板包括：衬底基板；多个存储组，位于衬底基板上，沿第一方向间隔排布；存储组包括多个沿第二方向排布的存储单元；存储单元包括沿第三方向层叠设置的多个子...
    2026-03-22
  • 一种阵列基板及显示面板
    一种阵列基板及显示面板_惠州华星光电显示有限公司_202511727815.4
    本申请公开了一种阵列基板及显示面板，属于显示技术领域，阵列基板，包括：有源层，位于基板上，包括薄膜晶体管的有源图案，有源图案具有依次相连的源部、沟道部和漏部；第二导电层，位于有源层上，包括薄膜晶体管的源极和漏极，源极连接于源部，漏极连接于漏...
    2026-03-22
  • 电子基板及其制造方法
    电子基板及其制造方法_群创光电股份有限公司_202510593994.0
    本发明公开了一种电子基板及其制造方法。电子基板包括基板、晶体管、数据线以及导电元件。晶体管设置在基板上并包括主动层、源极、汲极以及设置在主动层上的闸极，其中主动层设置在源极以及汲极之间并与闸极重叠，且主动层、源极与汲极由同一半导体材料层所形...
    2026-03-22
  • 集成环绕栅的FDSOI器件及其制造方法
    集成环绕栅的FDSOI器件及其制造方法_锐立平芯微电子(广州)有限责任公司_202511920135.4
    本公开提供了一种集成环绕栅的FDSOI器件及其制造方法，可以应用于半导体技术领域。该半导体器件包括：绝缘体上半导体衬底，包括埋氧层和埋氧层上与埋氧层邻接的半导体层；绝缘体上半导体衬底上的沟道部，包括半导体层；栅极以及栅极的侧壁上的侧墙，栅极...
    2026-03-22
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510498880.8
    一种半导体装置包括：有源图案，在第一方向上间隔开，并且在与第一方向不同的第二方向上延伸；下沟道图案和下源极/漏极图案，位于有源图案上，并且在第二方向上交替布置；上沟道图案，在下沟道图案上；上源极/漏极图案，在下源极/漏极图案上；栅极图案，在...
    2026-03-22
  • 一种半导体器件及其制造方法
    一种半导体器件及其制造方法_上海集成电路研发中心有限公司_202411205152.5
    本申请涉及半导体领域，公开了一种半导体器件及其制造方法，包括：衬底；源极区和漏极区，位于衬底中；第一栅极，位于衬底的第一表面所在一侧；第二栅极，位于衬底的第二表面所在一侧；第一表面和第二表面为相对的两个表面；第一后道互联层，位于衬底的第一表...
    2026-03-22
  • 一种MOS器件及其制造方法
    一种MOS器件及其制造方法_上海集成电路研发中心有限公司_202411205151.0
    本申请涉及半导体领域，公开了一种MOS器件及其制造方法，包括：衬底；源极区和漏极区，位于衬底中；栅极，位于衬底的第一表面所在一侧；第一后道互联层，位于衬底的第一表面所在一侧，并通过第一导电结构与栅极、源极区和漏极区电连接；第二后道互联层，位...
    2026-03-22
  • 堆叠半导体器件及其制造方法
    堆叠半导体器件及其制造方法_三星电子株式会社_202511288138.0
    提供了一种堆叠半导体器件及其制造方法。该堆叠半导体器件包括：衬底；在衬底上的第一源极/漏极区；以及在第一源极/漏极区的垂直上方的第二源极/漏极区，第二源极/漏极区与第一源极/漏极区的第一部分和第二部分当中的第一部分垂直地重叠，其中衬底的顶表...
    2026-03-22
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