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  • 本发明提供一种封闭铜冷板的低能耗封装方法,属于低能耗封装技术领域,本发明通过在铜冷板与陶瓷基板之间设置铜钼铜三层梯度功能材料过渡层实现热膨胀系数平滑过渡,执行包括脱气处理、表面活化还原和超声辅助气相回流焊接的三阶段真空焊接工艺,通过X射线检...
  • 本发明提供一种硼化锆靶材及修复方法和应用,修复方法包括:对溅射使用后剩余的硼化锆废靶材进行精密加工及超声清洗,得到满足尺寸规格的片状硼化锆靶材;对片状硼化锆靶材需要粘结或修复的表面进行喷砂处理,提供新鲜的粘结修复表面;将多个片状硼化锆靶材装...
  • 本发明提供了一种用于义齿烧结的固位膏、制备方法及应用,步骤包括:提供前驱体溶液;将无机纤维粉体加入所述前驱体溶液中,搅拌混合均匀,得所述用于义齿烧结的固位膏;其中,所述无机纤维粉体包括氧化铝粉、氧化硅粉、氧化锆粉和陶瓷纤维。本发明的制备方法...
  • 本申请涉及一种高导热炭/炭材料及制备方法,涉及炭/炭复合材料制备的技术领域,包括如下步骤:S1:将碳纤维经过过氧化处理;S2、将步骤S1中得到的碳纤维发泡得到氧化石墨烯/纤维三维泡沫体;S3、将步骤S2中泡沫体进行预固化,得到定型胚体;S4...
  • 本发明公开了一种耐超高温抗磨损陶瓷基复合材料及其制备方法,属于陶瓷材料技术领域。该复合材料包括以下原料:经界面改性的聚丙烯腈基碳纤维、烯丙基改性聚碳硅烷、聚硅氨烷、碳化硅、碳化硼、碳化钛、碳氮化钛、钴、钼、酚醛树脂和硅烷偶联剂;制备方法具体...
  • 本发明公开了一种适用于干熄炉的抗侵蚀型耐火材料及其制备方法,所述耐火材料以质量百分比计包括,70%~90%的碳化硅、3%~5%的二硅化钛、5%~25%的氮化硅、0.5%~2%的硅酸锆;所述硅酸锆的制备方法包括,将1~3mol/L硅酸盐溶液、...
  • 本发明提供了一种再利用耐火材料制备镁碳砖的方法及设备,属于镁碳砖技术领域,它解决了现有制备质量低等技术问题本再利用耐火材料制备镁碳砖的方法及设备,包括以下步骤:将回收的耐火材料放入到打磨箱内,利用磨砂进行去皮作业,得到再生料;通过输料机构将...
  • 本发明公开了一种高稳定的双相胶体陶瓷墨水材料,陶瓷墨水材料采用陶瓷胶体悬浮液、高分子胶体悬浮液、助剂按照重量比95:20 : 10配制而成,其特征在于,陶瓷墨水材料中还加入5‑10重量份的功能性填料以及4‑7份配调剂。本发明材料由陶瓷胶体悬...
  • 本发明公开一种耐等离子体腐蚀的氮化硅陶瓷组合物、流延浆料、流延片、生坯片、生坯块、陶瓷及制备方法、静电卡盘、半导体设备部件,属于半导体陶瓷材料技术领域。本发明提供的耐等离子体腐蚀的氮化硅陶瓷组合物以摩尔份计原料包括:氮化硅为85~95份,烧...
  • 本发明涉及半导体陶瓷材料技术领域,公开了一种氮化硅陶瓷组合物、陶瓷体、静电卡盘及制备方法、半导体制造设备,本发明提供的氮化硅陶瓷组合物,以摩尔份计,原料包括:Si3N485~95份、烧结助剂2~10份、过渡金属氧化物2~5份,所述烧结助剂包...
  • 本申请涉及工程陶瓷技术领域,具体公开了一种高硬度氮化硅陶瓷及其制备方法。由以下原料制成:α‑氮化硅粉,复合烧结助剂,第二相增强剂和晶须生长促进剂;其制备方法为:S1、对氧化钇、氧化镁与氟化锂进行球磨;S2、对碳化钛与立方氮化硼原料进行预处理...
  • 本申请涉及一种超细弥散相强韧的氮化硅陶瓷材料、其原位反应制备方法及应用。超细弥散相强韧的氮化硅陶瓷材料包括第一相氮化硅基体与均匀弥散的第二相金属硅化钼超细颗粒,硅化钼在原位反应过程中经由纳米钼的生成而形成,可实现硅化钼颗粒粒径由传统单质钼为...
  • 本申请涉及一种复合陶瓷及其制备方法、铝偏析提纯设备及铝偏析提纯方法。复合陶瓷的制备原料包括氮化硅、钛酸锂及碳化硅。复合陶瓷的力学性能较高、导热率较高且化学稳定性较好,可作为铝偏析提纯设备中的结晶杆对铝进行偏析结晶提纯,复合陶瓷材质的结晶杆相...
  • 本发明一种高热导率氮化铝陶瓷基板的制备方法,包括以下步骤:S1 : 混合流延:将氮化铝粉末和烧结浆料按照重量份比为12 : 1的比例混合,进行球磨分散,得到混合浆料,并进行流延成型,得流延胚片;S2 : 将流延胚片进行电化学沉积处理;S3 ...
  • 本发明为一种基于放电等离子共烧的AlN/Al2O3功能梯度陶瓷构件及制备方法。包括:获取电介质层混合粉末;制备电介质层预烧结体;对电介质层预烧结体表面磨抛;获取基板层混合粉末:基板层混合粉末分为过渡层IL1、IL2、IL3和SL四组,从过渡...
  • 本发明涉及氮化铝陶瓷基板领域,提供一种高热导氮化铝基板的制备方法,解决采用现有技术的制备方法获得氮化铝基板热导率不高、机械强度不够的缺陷。包括以下制备过程:(1)原辅料准备;(2)原辅料混合;(3)流延成型;(4)陈化;(5)预压平处理;(...
  • 本发明涉及复合材料技术领域,尤其涉及一种SiCf/SiC陶瓷基复合材料及其制备方法;本发明通过机械合金化工艺制备了亚微米级别的SiAlCN粉末,结合浆料浸渍(SI)和前驱体浸渍裂解(PIP)致密化工艺,制备含有高SiAlCN体积分数的SiC...
  • 本发明属于陶瓷材料技术领域,公开了一种热压烧结制备高熵氧化物‑碳化硅复合陶瓷的方法,将以高熵氧化物前驱体粉体与碳化硅粉体为原料,采用湿法球磨或干法球磨,得到混合粉体,将混合粉体置于热压烧结炉石墨模具中,施加压力,在真空或氩气保护气氛下120...
  • 本发明属于无机非金属材料技术领域,公开了一种微波烧结制备高熵氧化物‑碳化硅复合陶瓷的方法,以高熵氧化物前驱体粉体与碳化硅粉体为原料,采用湿法球磨或干法球磨,将得到的混合粉体模压制坯,放入微波烧结炉内,在真空或保护气氛下进行微波烧结,并保温处...
  • 本发明公开了一种碳量子点改性低温烧结碳化硅膜的制备方法,属于陶瓷材料制备技术领域,涉及一种碳量子点改性低温烧结碳化硅膜的制备方法。旨在解决现有技术工艺复杂、烧结温度高、成本高问题。该方法首先将碳量子点溶液与碳化硅粉末在乙醇中混合、搅拌并干燥...
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