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最新专利技术
  • 一种光纤射频传输的单纤双向光模块
    一种光纤射频传输的单纤双向光模块_深圳市力子光电科技有限公司_202511777818.9
    本申请涉及光通讯的技术领域，尤其是涉及一种光纤射频传输的单纤双向光模块，包括基座、光发射组件及光接收组件，光发射组件、光接收组件分别安装在基座相邻的两侧，光发射组件用于发射多个不同的波长光，基座内开设有容纳腔，容纳腔内倾斜设置有第一滤波片；...
    2026-03-23
  • 一种可高温回流焊光纤阵列及CPO硅光引擎和制作方法
    一种可高温回流焊光纤阵列及CPO硅光引擎和制作方法_武汉钧恒科技有限公司_202511751686.2
    本发明涉及一种可高温回流焊光纤阵列制作方法，将具有V槽的基板倾斜装在一个夹具上，且让基板具有V槽的面朝外；将光纤的裸光纤放在基板上的V槽内，并让裸光纤的端部处在基板的光面端之外；用两块前、后分布的盖板盖住裸光纤，并压紧盖板，以让盖板压住裸光...
    2026-03-23
  • 一种散热结构、接口板和通信设备
    一种散热结构、接口板和通信设备_华为技术有限公司_202411296647.3
    本申请实施例提供了一种散热结构、接口板和通信设备，用于实现光笼子与不同类型(发热部位不同)的光模块的匹配。本申请实施例提供的散热结构包括第一光笼子和印刷电路板PCB。第一光笼子包括插接腔和包围插接腔的压接板、顶板和侧板，插接腔用于插入光模块...
    2026-03-23
  • 一种航空航天用气密封光连接器及其制备方法
    一种航空航天用气密封光连接器及其制备方法_淮南文峰光电科技股份有限公司_202610056296.1
    本发明公开了一种航空航天用气密封光连接器及其制备方法，涉及光通信连接器技术领域。该方法通过氧化铝陶瓷插芯一体化预制，结合磁控溅射沉积钛‑钨金属层优化结构性能；采用激光焊接或玻璃封接实现光纤与玻璃管的密封，配合过盈装配的端面密封圈及主体与引出...
    2026-03-23
  • 一种超多芯插针、封装方法、光开关以及通信系统
    一种超多芯插针、封装方法、光开关以及通信系统_武汉光迅科技股份有限公司_202610003399.1
    本发明涉及光通信技术领域，特别是涉及一种超多芯插针、封装方法、光开关以及通信系统。本发明通过对标准外径的光纤进行腐蚀处理，将标准光纤的外径大幅度缩小，并由穿纤管状结构约束在其内部，实现在穿纤管状结构中更小的二维截面内排列更多的光纤端面，在不...
    2026-03-23
  • 连接器和连接器组件
    连接器和连接器组件_华为技术有限公司_202411299332.4
    本公开提供了一种连接器和连接器组件，属于通信技术领域。连接器包括内壳、插芯组件和外壳。内壳包括两个第一开槽，两个第一开槽分别贯穿内壳相对的两个壁，且在内壳的前端具有开口。插芯组件位于内壳的内部，且凸出于内壳的前端。插芯组件用于连接线缆的光纤...
    2026-03-23
  • 一种多芯光纤阵列辅助耦合装置与方法
    一种多芯光纤阵列辅助耦合装置与方法_武汉光迅科技股份有限公司_202610005179.2
    本发明提供一种多芯光纤阵列辅助耦合装置与方法，包括：承载主板和通道过渡板，其中：通道过渡板设置于承载主板下端，承载主板上表面设置有多个平行排布的V槽，每个V槽中用于放置多芯光纤，每个V槽包括两个斜侧壁，每个斜侧壁均通过至少两个通气孔道和承载...
    2026-03-23
  • 一种光纤透镜阵列组件
    一种光纤透镜阵列组件_昂纳科技(深圳)集团股份有限公司_202511978199.X
    本发明涉及光通信器件技术领域，具体涉及一种光纤透镜阵列组件。包括光纤阵列件与透镜阵列件，光纤阵列件包括多根纤芯与固定座，多根纤芯在垂直于纤芯的延伸方向上间隔排布设置并装设于固定座，且在纤芯的延伸方向上，多根纤芯与固定座共同形成有第一安装面，...
    2026-03-23
  • 基于亚波长光栅的模式复用解复用器及其制备方法
    基于亚波长光栅的模式复用解复用器及其制备方法_中国科学院微电子研究所_202511572928.1
    本申请公开了一种基于亚波长光栅的模式复用解复用器及其制备方法，涉及光通信与光互联技术领域。其中，上述模式复用解复用器包括：第一级多模干涉耦合器，用于接收多个单模输入波导的信号并形成输入波导的二阶像；第二级多模干涉耦合器，级联于所述第一级多模...
    2026-03-23
  • 一种光纤熔接机热缩套管自动推送装置及方法
    一种光纤熔接机热缩套管自动推送装置及方法_南京信息职业技术学院_202511983724.7
    本发明公开一种光纤熔接机热缩套管自动推送装置及方法，属于光纤熔接设备技术领域，装置包括：光纤熔接机，设置在光纤熔接机两端的双层圆盘内盘和双层圆盘外盘，设置在光纤熔接机顶部的滑动装置和加热炉以及设置在双层圆盘内盘和双层圆盘外盘中心的旋转内轴。...
    2026-03-23
  • 一种用于自由状态下的光纤跳线捋式裁切装置
    一种用于自由状态下的光纤跳线捋式裁切装置_江苏大学_202610131670.X
    本发明公开了一种自由悬挂状态下的光纤跳线捋线式裁切装置，包含阻挡组件、捋线组件、线缆引导组件、收揽组件、裁切组件等，各组件分层安装于总安装板；线缆引导组件设置引导轨道，使线缆在重力作用下滑移并导入阻挡组件，实现线缆首端第一点定位；捋线组件的...
    2026-03-23
  • 一种光纤切割刀
    一种光纤切割刀_河南金辉智能科技有限公司_202610109849.5
    本发明公开了一种光纤切割刀，包括壳体，壳体一侧设置有置刀槽，置刀槽内可滑移地安装有刀架，刀架固定安装有切割刀片，置刀槽一侧可转动地安装有压盖，压盖转动轴连接有第一连杆，第一连杆远离压盖转动轴一端抵于刀架，刀架远离第一连杆一端安装有驱动簧，驱...
    2026-03-23
  • 光波导端面耦合器的制造方法及光波导端面耦合器
    光波导端面耦合器的制造方法及光波导端面耦合器_江苏轩博芯半导体科技有限公司_202610090641.3
    本发明涉及光波导技术领域，具体公开了光波导端面耦合器的制造方法及光波导端面耦合器，在制造光波导端面耦合器的过程中，在硅质的衬底晶圆上通过CMOS工艺中的CVD法沉积介质材料：氮氧化硅或碳氧化硅，在制造过程中可与电子器件的制造流程衔接，最终制...
    2026-03-23
  • 半导体装置及其制造方法、光子集成电路芯片和光子计算设备
    半导体装置及其制造方法、光子集成电路芯片和光子计算设备_上海曦智科技股份有限公司_202610098399.4
    本公开提供了性能提升的半导体装置及其制造方法、光子集成电路芯片和光子计算设备。所述方法包括以下步骤：提供一具有硅层的衬底；对所述硅层进行图形化以形成硅波导，并在所述硅波导的顶部保留研磨停止层；形成第一氧化硅层以包覆所述硅波导及所述研磨停止层...
    2026-03-23
  • 一种基于晶圆键合的大厚度氮化硅波导制备方法
    一种基于晶圆键合的大厚度氮化硅波导制备方法_中山大学_202610051878.0
    本申请涉及光子集成芯片技术领域，涉及一种基于晶圆键合的大厚度氮化硅波导制备方法，包括：S1.选取至少两片所需尺寸的氮化硅晶圆；S2.对氮化硅晶圆进行清洗；S3.对氮化硅晶圆进行等离子活化处理；S4.对活化处理后的氮化硅晶圆进行键合；S5.去...
    2026-03-23
  • 飞秒激光直写光波导的方法、光波导和集成光子器件
    飞秒激光直写光波导的方法、光波导和集成光子器件_甬江实验室_202511851980.0
    本申请公开了飞秒激光直写光波导的方法、光波导和集成光子器件。一种飞秒激光直写光波导的方法，包括：在对接耦合的光学器件之间的互联区域填充溶胶，所述溶胶包括硅氧化物；识别对接耦合的所述光学器件的端面波导位置的坐标；根据所述坐标，计算得到光波导的...
    2026-03-23
  • 一种基于沉积硅的偏振不敏感端面耦合器件、制备方法
    一种基于沉积硅的偏振不敏感端面耦合器件、制备方法_华中科技大学_202610134894.6
    本发明属于集成光学技术领域，其公开了一种基于硅波导的偏振不敏感端面耦合器件、制备方法，包括了沿第三方向有衬底层、下包层、硅波导层、上包层；其中硅波导层沿第一方向依次包括模场绝热演化段、第一模式转换段、第二绝热演化段、第三绝热演化段、第四模式...
    2026-03-23
  • 中介层、光电共封装结构及其制备方法
    中介层、光电共封装结构及其制备方法_甬江实验室_202511862306.2
    本申请公开了一种中介层、光电共封装结构及其制备方法，中介层包括：基底，所述基底包括玻璃基底或石英基底；第一波导层，所述第一波导层设置在基底上，且第一波导层中设置至少一个第一波导结构；第一波导结构包括第一光波导；第二波导层，第二波导层设置在第...
    2026-03-23
  • 一种偏振无关且绝热的光功率分配器及其设计方法
    一种偏振无关且绝热的光功率分配器及其设计方法_国科光芯金杏(北京)实验室科技有限公司_202511798916.0
    本发明涉及半导体技术领域，公开了一种偏振无关且绝热的光功率分配器及其设计方法，包括：衬底层和波导芯层；波导芯层包括：输入直波导及其一端连接的输入锥形波导；第一输出锥形波导和第二输出锥形波导，分别位于输入锥形波导在长度方向的两侧，并与输入锥形...
    2026-03-23
  • 一种片上调制器与二硒化钯光电探测器集成芯片制备方法
    一种片上调制器与二硒化钯光电探测器集成芯片制备方法_华东师范大学_202610071016.4
    本发明公开了一种片上调制器与二硒化钯光电探测器集成芯片制备方法，其特点是采用MZ干涉仪构型的铌酸锂强度电光调制器与基于二硒化钯材料的片上光电探测器，通过铌酸锂波导连接，将高性能电光调制器与高灵敏度PdSe2探测器单片集成，在片上实现电信号转...
    2026-03-23
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