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最新专利技术
  • 一种垂直结构的氧化镓异质结二极管及制备方法
    一种垂直结构的氧化镓异质结二极管及制备方法_西安电子科技大学_202610127633.1
    本发明公开了一种垂直结构的氧化镓异质结二极管及制备方法，包括：氧化镓外延片；P型氧化物，位于氧化镓外延片上表面的中间区域；P型氧化物的两侧呈弧形结构，该弧形结构的曲率半径小于3μm；SiO2场板，位于P型氧化物的两侧，且与P型氧化物接触；阳...
    2026-05-11
  • 电容器和显示面板
    电容器和显示面板_惠科股份有限公司_202610450513.5
    本申请提供了一种电容器和显示面板。通过设置导电部和/或极板为温致可逆形变结构，用于响应温度变化控制导电部与相邻的两个电容单元的极板之间的连接状态，调整相邻两个电容单元的连接方式，从而可随温度动态改变电容器的电容值，以改善不同温度下相同电容会...
    2026-05-11
  • MIM电容器及其制备方法
    MIM电容器及其制备方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202610017947.6
    本申请提供了一种MIM电容器及其制备方法，其中在制备方法中，在形成下极板材料层之后以及在形成中间介电层之前，采用化学机械研磨工艺研磨去除部分厚度的下极板材料层，以平坦化下极板材料层的表面，从而提高了整个MIM电容器的平整度，从而提高了MIM...
    2026-05-11
  • 电容器、包括电容器的半导体器件、制造电容器的方法
    电容器、包括电容器的半导体器件、制造电容器的方法_三星电子株式会社_202511598961.1
    提供电容器、包括电容器的半导体器件和制造电容器的方法。电容器包括第一电极、在第一电极上的铁电层、在铁电层上的第二电极、以及在第一电极与铁电层之间和/或在铁电层与第二电极之间的界面层。
    2026-05-11
  • 一种变容二极管及制备方法
    一种变容二极管及制备方法_扬州国宇电子有限公司_202610185110.2
    本发明属于半导体功率器件技术领域，提供了一种变容二极管及制备方法。其中变容二极管包括N+衬底、N‑外延层、第一P+掺杂区、第二P+掺杂区、介质层、正面金属层和背面金属层，第一P+掺杂区成环形设置于N‑外延层上方；第二P+掺杂区成圆形设置于N...
    2026-05-11
  • 半导体封装件
    半导体封装件_三星电子株式会社_202511554353.0
    提供一种半导体封装件。所述半导体封装件包括：基础芯片；多个第一半导体芯片，堆叠在基础芯片上；虚设芯片，堆叠在所述多个第一半导体芯片中的最上第一半导体芯片上；以及模制结构，围绕基础芯片、所述多个第一半导体芯片和虚设芯片，其中，虚设芯片包括从虚...
    2026-05-11
  • 具有边缘垫半导体晶片的基板上晶圆上晶片集成电路结构
    具有边缘垫半导体晶片的基板上晶圆上晶片集成电路结构_铨心半导体异质整合股份有限公司_202511464601.2
    一种集成电路结构包含：存储器堆叠，其包含多个彼此水平分离的半导体晶片、存储器控制晶片、中介层、逻辑处理器晶片及封装基板。每一半导体晶片包含顶面、底面及四个侧壁，以及多个沿着第一侧壁布置的边缘垫。将存储器控制晶片安置于下方且电性连接到每一半导...
    2026-05-11
  • 具有侧边互连的高频宽存储器堆叠及具有该存储器堆叠的三维集成电路结构
    具有侧边互连的高频宽存储器堆叠及具有该存储器堆叠的三维集成电路结构_铨心半导体异质整合股份有限公司_202511458429.X
    一种集成电路结构包含：存储器堆叠，其具有彼此水平分离的半导体晶片，其中每一半导体晶片具有顶面、底面、四个侧壁及多个沿着侧壁布置的边缘垫。所述集成电路结构进一步包含：存储器控制器，其位于第一存储器堆叠下方且电性连接到每一半导体晶片的边缘垫、处...
    2026-05-11
  • 一种用于提高器件稳定性的微缩尺寸结构及其成型方法
    一种用于提高器件稳定性的微缩尺寸结构及其成型方法_钠存科技(杭州)有限公司_202610204033.0
    本发明提出了一种用于提高器件稳定性的微缩尺寸结构及其成型方法。属于阻变存储器技术领域。所述方法包括：对基底进行预处理，生成特征结构的平整的基底表面结构；根据基底表面结构设计下金属互联层/Mn、通孔、下电极、功能层、上电极以及上金属互联层/M...
    2026-05-11
  • 用于神经形态计算的突触存储单元、制备方法及突触阵列
    用于神经形态计算的突触存储单元、制备方法及突触阵列_苏州市华芯云睿微电子科技有限公司_202610117953.9
    本发明公开了用于神经形态计算的突触存储单元、制备方法及突触阵列，突触存储单元包括两个选通晶体管和两个阻变忆阻器，选通晶体管与阻变忆阻器一一对应连接；选通晶体管包括自下而上依次设置的栅极、介电层、沟道层，以及设置于沟道层表面的源极和漏极，在源...
    2026-05-11
  • 包括存储器电路的电子芯片
    包括存储器电路的电子芯片_意法半导体国际公司_202511623344.2
    本公开涉及包括存储器电路的电子芯片。一种芯片的存储器电路，包括：互连堆叠和数个存储器单元，每个存储器单元包括堆叠上方的存储器元件以及形成在基板中并且包括第一节点的选择晶体管。每个元件包括第一电极、由OTS材料形成的层、以及相对于第一电极在相...
    2026-05-11
  • 存储器结构及其形成方法
    存储器结构及其形成方法_中芯京城集成电路制造(北京)有限公司_202411598011.4
    一种存储器结构及其形成方法，方法包括：对衬底进行掺杂处理，形成位于衬底内的字线掺杂层；对位于字线掺杂层上的衬底或衬底表面的外延层进行掺杂处理，形成位于字线掺杂层上的二极管材料层；对衬底、字线掺杂层以及二极管材料层进行刻蚀，形成若干隔离开口，...
    2026-05-11
  • 一种多层垂直堆叠亿阻存储器及其制作方法
    一种多层垂直堆叠亿阻存储器及其制作方法_中国科学院微电子研究所_202411582846.0
    本发明涉及一种多层垂直堆叠亿阻存储器及其制作方法，属于存储器技术领域，解决现有存储单元由于密度增加而导致的电流串扰问题。存储器包括底层电路位于半导体衬底上方且设置有层和列寻址开关；底部绝缘层位于底层电路上方，其中设置有多个通孔；多个交替叠层...
    2026-05-11
  • 一种CMOS三维存储器架构及其制备方法
    一种CMOS三维存储器架构及其制备方法_北京大学_202411579849.9
    本发明公开了一种CMOS三维存储器架构及其制备方法，属于集成电路技术领域。所述CMOS三维存储器架构是在包含双指晶体管(2F)的底座上构建一个或多个2FnSnR存储单元，每个2FnSnR存储单元包含一个双指晶体管和n个并联的1S1R存储单元...
    2026-05-11
  • 一种半导体器件及其制造方法
    一种半导体器件及其制造方法_无锡华润微电子有限公司_202411572102.0
    本申请提供一种半导体器件及其制造方法，制造方法包括：提供衬底，衬底上形成有晶体管；形成覆盖晶体管的第一介电层；在第一介电层上形成图案化的电极层；刻蚀电极层，以在电极层中形成缝隙的同时将电极层分成彼此隔离的第一电极层和第二电极层，其中第一电极...
    2026-05-11
  • 半导体器件和包括该半导体器件的电子系统
    半导体器件和包括该半导体器件的电子系统_三星电子株式会社_202511602604.8
    一种半导体器件可以包括衬底上的元件隔离膜、第一栅电极、以及元件隔离膜上的辅助电极。元件隔离膜可以限定衬底的第一有源区。第一导电类型的第一源/漏区和第二源/漏区可以在第一有源区中。第二源/漏区可以在第一方向上与第一源/漏区间隔开。第一栅电极可...
    2026-05-11
  • 半导体结构及其制备方法、存储系统
    半导体结构及其制备方法、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202411596040.7
    本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、存储系统，涉及半导体芯片技术领域，旨在改善测试用的导电结构占用较大空间的问题。该半导体结构包括：沟道结构、多个支撑柱、第一导电结构和第二导电结构。沟道结构沿第一方向延伸；多个支撑柱围绕沟道结构设置，支...
    2026-05-11
  • 半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统
    半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统_三星电子株式会社_202511201460.5
    提供了半导体器件和包括半导体器件的数据存储系统。该半导体器件包括第一半导体结构和第二半导体结构。第一半导体结构包括在第一衬底上的电路元件、与电路元件联接的下互连结构以及与下互连结构联接的下接合结构。第二半导体结构包括接合到下接合结构的上接合...
    2026-05-11
  • 半导体结构及其制备方法、存储器和存储系统
    半导体结构及其制备方法、存储器和存储系统_长江存储科技有限责任公司_202411555854.6
    本申请实施方式提供了一种半导体结构、半导体结构的制备方法、存储器和存储系统，其中，半导体结构包括堆叠结构和连接结构，堆叠结构包括交替层叠的绝缘层和栅极层，连接结构包括导电层和第一隔离层，导电层沿第一方向在堆叠结构中延伸、并连接沿第一方向在导...
    2026-05-11
  • 金属栅极1.5T结构SONOS存储器制造方法
    金属栅极1.5T结构SONOS存储器制造方法_上海华力集成电路制造有限公司_202411589290.8
    本发明公开了一种金属栅极1.5T结构SONOS存储器制造方法，选择管和存储管采用同一存储单元栅极多晶硅层；在伪多晶硅移除时，先通过光罩把去除存储管栅极区的存储单元栅极叠层并保留选择管栅极区的存储单元栅极叠层，暴露存储管栅极区下的半导体衬底，...
    2026-05-11
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