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最新专利技术
  • 一种薄硅膜SOI MOSFET的体电势优化结构及其制备方法
    一种薄硅膜SOI MOSFET的体电势优化结构及其制备方法_中国电子科技集团公司第五十八研究所_202511898745.9
    本发明公开一种薄硅膜SOI MOSFET的体电势优化结构及其制备方法，属于半导体器件制备领域。顶层硅、埋氧层和支撑层共同构成SOI衬底材料；体电势调制区位于顶层硅中，且位于其底部与埋氧层相连；沟道区位于顶层硅中且位于体电势调制区的上方；绝缘...
    2026-05-15
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_瑞萨电子株式会社_202511462995.8
    本公开涉及半导体器件及其制造方法。栅极电极形成在沟槽中。绝缘膜形成在栅极电极上，以从半导体衬底的上表面突出。侧壁间隔件形成在绝缘膜的侧表面上和半导体衬底的上表面上。孔形成在半导体衬底的从绝缘膜和侧壁间隔件暴露的部分中。阻挡金属膜形成在孔中。...
    2026-05-15
  • 半导体结构及其制造方法、半导体器件、电子设备
    半导体结构及其制造方法、半导体器件、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411615132.5
    本公开实施例提供了一种半导体结构及其制造方法、半导体器件、电子设备。该半导体结构包括：在第一方向上堆叠设置的第一沟道结构和第二沟道结构；栅极结构，包括沿第一方向排布的第一部分和第二部分；第一沟道结构环绕第一部分，第二沟道结构环绕第二部分；第...
    2026-05-15
  • 半导体结构及其制造方法、存储器、电子设备
    半导体结构及其制造方法、存储器、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411613276.7
    本公开实施例公开了一种半导体结构及其制造方法、存储器、电子设备。该半导体结构包括：沟道结构，沿第一方向延伸；栅极结构，环绕沟道结构；掺杂结构，位于沟道结构在第一方向上的两端；掺杂结构包括沿第二方向延伸的第一孔；其中，第二方向与第一方向垂直；...
    2026-05-15
  • 一种半导体器件和射频模组
    一种半导体器件和射频模组_泉州市三安集成电路有限公司_202610211411.8
    本发明涉及一种半导体器件和射频模组。半导体器件的通孔自衬底、半导体叠层方向延伸至贯穿半导体叠层并暴露出源极，且通孔包括位于衬底内且连接第二表面的第一孔段、以及跨设于衬底和半导体叠层内的第二孔段，第二孔段自第一孔段向半导体叠层延伸并贯穿；金属...
    2026-05-15
  • 一种基于Si衬底的GaN HEMT材料外延结构及其生长方法
    一种基于Si衬底的GaN HEMT材料外延结构及其生长方法_中国电子科技集团公司第五十五研究所_202610087003.6
    本发明涉及半导体材料外延生长的技术领域，公开一种基于Si衬底的GaN HEMT材料外延结构及其生长方法。由下到上依次包括Si衬底、AlN成核层、第一AlN/InxAl1‑xN超晶格层、第二AlN/InyAl1‑yN超晶格层、AlzGa1‑z...
    2026-05-15
  • 半导体器件
    半导体器件_矽力杰半导体技术(杭州)有限公司_202610066593.4
    本发明提供一种半导体器件，包括：底层结构，位于所述底层结构上表面的第一势垒结构和第二势垒结构，所述第一势垒结构和第二势垒结构并排设置，并共同覆盖在所述底层结构的上表面，位于所述第一势垒结构上表面的栅极结构；分别位于所述栅极结构的相对两侧的源...
    2026-05-15
  • 降低关断难度的多沟道晶体管及其制备方法
    降低关断难度的多沟道晶体管及其制备方法_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511903022.3
    本公开提供了一种降低关断难度的多沟道晶体管及其制备方法，属于电力电子领域。该多沟道晶体管包括：外延层、p型层、栅电极、源电极和漏电极；所述外延层包括至少两层层叠的异质结，所述外延层的顶面设有延伸至最底部所述异质结的第一凹槽，所述p型层位于所...
    2026-05-15
  • 一种氮化镓器件
    一种氮化镓器件_苏州东微半导体股份有限公司_202411606018.6
    本发明提供一种氮化镓器件，包括：基底层；位于所述基底层表面的GaN沟道层；位于所述GaN沟道层表面的势垒层；分别位于所述势垒层两端的源极金属和漏极金属；位于所述势垒层之上且位于所述源极金属和所述漏极金属之间的P‑GaN区，所述P‑GaN区由...
    2026-05-15
  • 一种氮化镓器件
    一种氮化镓器件_苏州东微半导体股份有限公司_202411606016.7
    本发明提供一种氮化镓器件，包括：基底层；位于所述基底层表面的GaN沟道层；位于所述GaN沟道层表面的势垒层；分别位于所述势垒层两端的源极金属和漏极金属；位于所述势垒层之上且位于所述源极金属和所述漏极金属之间的P‑GaN区，所述P‑GaN区由...
    2026-05-15
  • 一种氮化镓器件
    一种氮化镓器件_苏州东微半导体股份有限公司_202411606015.2
    本发明提供一种氮化镓器件，包括：基底层；位于所述基底层表面的GaN沟道层；位于所述GaN沟道层表面的势垒层；分别位于所述势垒层两端的源极金属和漏极金属；位于所述势垒层之上且位于所述源极金属和所述漏极金属之间的P‑GaN区，所述P‑GaN区由...
    2026-05-15
  • PMOS器件的制备方法
    PMOS器件的制备方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202610209585.0
    本发明提供两种PMOS器件的制备方法，在进行源极接触和漏极接触的P型离子注入或进行源极和漏极的P型离子注入过程中，利用栅多晶硅层上的硬掩膜层阻挡P型离子注入栅多晶硅层中，以改善栅多晶硅层中的P型离子穿过其下方的栅介质层，进入下方硅衬底沟道中...
    2026-05-15
  • 超结SGT MOSFET的制作方法
    超结SGT MOSFET的制作方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202610132023.0
    本发明提供一种超结SGT MOSFET的制作方法，包括：提供衬底并形成外延层，外延层同时掺杂有第一及第二导电类型杂质，且第二型浓度高于第一型；刻蚀沟槽；在沟槽内壁热生长介质层，利用两种杂质在介质层与外延层中分凝系数的差异，使第一型杂质在界面...
    2026-05-15
  • 小尺寸半导体器件结构的形成方法
    小尺寸半导体器件结构的形成方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202610131989.2
    本发明公开了一种小尺寸半导体器件结构的形成方法，所述的小尺寸半导体结构同时存在需要调整LDD注入区形貌的器件以及不需要调整LDD注入区形貌的器件，在半导体衬底或者外延层上形成栅极之后，在所述的栅极两侧进行介质层淀积及刻蚀，形成一次侧墙；所述...
    2026-05-15
  • 一种二维半导体顶栅场效应晶体管及其制备方法
    一种二维半导体顶栅场效应晶体管及其制备方法_原集微科技(上海)有限公司_202610094866.6
    本发明公开了一种二维半导体顶栅场效应晶体管及其制备方法，其中制备方法包括在二维半导体材料表面制备源极和漏极，再定义二维半导体沟道区域，再对二维半导体沟道区域的暴露区域进行等离子体处理，形成氧化层，再制备栅介质层，以及在栅介质层表面制备栅极。...
    2026-05-15
  • 基于自氧化p型掺杂的二维半导体FET及其制备方法
    基于自氧化p型掺杂的二维半导体FET及其制备方法_原集微科技(上海)有限公司_202610094865.1
    本发明公开了一种基于自氧化p型掺杂的二维半导体FET及其制备方法，其中，制备方法包括先在二维半导体材料表面制备源极和漏极，再定义二维半导体沟道区域，之后利用等离子体处理工艺使暴露的二维半导体沟道区自氧化形成p型掺杂层，再制备籽晶层，以及生长...
    2026-05-15
  • 应用于MOS器件制作中的工艺方法
    应用于MOS器件制作中的工艺方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202610062850.7
    本申请公开了一种应用于MOS器件制作中的工艺方法，包括：在栅介质层上形成多晶硅层，栅介质层形成于衬底上，多晶硅层用于形成MOS器件的多晶硅栅极；通过TEOS沉积工艺在多晶硅层上形成氧化物层，氧化物层用于修复多晶硅层的表面形貌提高多晶硅层表面...
    2026-05-15
  • 改善横向扩散金属氧化物半导体可靠性的方法
    改善横向扩散金属氧化物半导体可靠性的方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202610020076.3
    本发明提供一种改善横向扩散金属氧化物半导体可靠性的方法。该方法包括：提供P型半导体基底；在基底中定义漂移区和阱区；采用P型重掺杂元素进行离子注入以定义P型体区；在基底表面定义栅极结构；定义源漏接触区。本发明通过采用铟、铝等重掺杂元素替代硼进...
    2026-05-15
  • 屏蔽栅沟槽MOSFET器件及其制备方法
    屏蔽栅沟槽MOSFET器件及其制备方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202610017847.3
    本申请提供一种屏蔽栅沟槽MOSFET器件及其制备方法，其中在制备方法中，首先刻蚀外延层形成第一沟槽，然后在第一沟槽侧壁形成第一氧化层，接着继续刻蚀外延层形成第二沟槽，随后对第二沟槽的底壁和部分侧壁进行离子注入，形成离子注入区，接着执行热退火...
    2026-05-15
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411615401.8
    本申请提供了一种半导体器件及其制造方法、电子设备。该半导体器件的制造方法包括：在衬底上形成叠置结构，叠置结构包括交替叠置的多层第一介质层和多层第一绝缘层；叠置结构具有多个沿第一方向间距排布的第一沟槽、以及与第一绝缘层同层的第一凹槽；第一沟槽...
    2026-05-15
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