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最新专利技术
  • 一种功率器件及其制备方法
    一种功率器件及其制备方法_英诺赛科(苏州)半导体有限公司_202510831590.0
    本发明公开了一种功率器件及其制备方法，功率器件包括：衬底；沟道层，势垒层，栅极结构覆盖部分势垒层；第一钝化结构覆盖栅极结构以及部分势垒层；第一钝化结构包括开口，开口暴露势垒层远离衬底的表面；开口至少包括第一开口，第一开口位于栅极结构邻近漏极...
    2025-11-29
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_上海新微半导体有限公司_202511025150.2
    本发明提供一种半导体器件及其制备方法，该半导体器件包括：半导体层、电流增强层、栅极结构、第一和二极及热优化结构，其中，半导体层包括第一和二区；电流增强层覆盖半导体层上表面；多个栅极结构分别位于第一和二区上方；第一和二极分别位于栅极结构两侧，...
    2025-11-29
  • HEMT器件及其制备方法
    HEMT器件及其制备方法_上海新微半导体有限公司_202511025156.X
    本发明提供一种HEMT器件及其制备方法，该HEMT器件包括半导体层、栅极结构、源极、漏极、电流优化结构及场板，其中，半导体层包括沟道层及势垒层；栅极结构位于势垒层上方；源极及漏极分别位于栅极结构两侧；电流优化结构包括位于栅极结构沿X方向两侧...
    2025-11-29
  • 一种氮化镓半导体器件及其制备方法
    一种氮化镓半导体器件及其制备方法_中科(深圳)无线半导体有限公司_202511332267.5
    本发明提供了一种氮化镓半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。氮化镓半导体器件包括依次叠层设置的基底、缓冲层、GaN沟道层及AlGaN势垒层，在所述AlGaN势垒层开设位于栅极下方的复合AlGaN纳米柱梯形凹槽，该复合AlGaN纳米柱梯...
    2025-11-29
  • 一种具有超晶格帽层的高电子迁移率晶体管及制备方法
    一种具有超晶格帽层的高电子迁移率晶体管及制备方法_山东大学_202511376729.3
    本发明涉及一种具有超晶格帽层的高电子迁移率晶体管及制备方法，属于半导体器件领域，自下而上依次包括衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层和AlGaN势垒层，AlGaN势垒层上方设置有超晶格帽层，超晶格帽层上方设置栅极金属；超晶格帽层由...
    2025-11-29
  • 晶体管结构及其制造方法
    晶体管结构及其制造方法_力晶积成电子制造股份有限公司_202410522846.5
    本发明公开一种晶体管结构及其制造方法。晶体管结构包括基底、栅极、第一掺杂区、第二掺杂区以及栅介电层。基底具有主动区，主动区具有彼此相对的第一侧与第二侧。栅极设置于主动区中的基底上，其中栅极包括主体部、第一延伸部与第二延伸部，第一延伸部与第二...
    2025-11-29
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_中国科学院微电子研究所_202510550742.X
    本公开提供了一种半导体器件及其制造方法，可以应用于半导体技术领域。该半导体器件包括：绝缘体上半导体(SOI)衬底，包括基底衬底、基底衬底上的绝缘层以及绝缘层上的SOI层，绝缘层包括铁电层、铁电层上的缓冲层、缓冲层上的拓扑绝缘层；SOI层上的...
    2025-11-29
  • MOS器件及其形成方法
    MOS器件及其形成方法_重庆芯联微电子有限公司_202510821487.8
    本发明提供MOS器件及其形成方法，MOS器件包括衬底和位于衬底上的栅极，栅极两侧形成有侧墙，栅极的顶表面、侧墙和相邻栅极之间的衬底上设置有刻蚀停止层；刻蚀停止层具有目标拉应力和目标介电常数，刻蚀停止层包括体区和表层，且刻蚀停止层的体区的拉应...
    2025-11-29
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_芯迈半导体技术(杭州)股份有限公司_202510950836.6
    本公开提供了一种半导体器件及其制造方法，该器件包括：半导体层；阱区，位于半导体层中；源区，位于阱区中；栅介质层，位于半导体层上；多个栅极导体，位于栅介质层上；以及栅极连接部，分别与多个栅极导体相连，其中，栅极连接部具有多个开孔，每个开孔通过...
    2025-11-29
  • 一种优化开关特性的SiC MOSFET器件结构及制备方法
    一种优化开关特性的SiC MOSFET器件结构及制备方法_南京南瑞半导体有限公司_202510951366.5
    本发明公开了一种优化开关特性的SiC MOSFET器件结构及制备方法，提供一种降低反向输出电容Crss，增加输入电容Ciss，增加输出电容Coss来改善Crosstalk电压尖峰的碳化硅MOSFET器件及其制备方法，本发明通过在平面碳化硅M...
    2025-11-29
  • 屏蔽栅沟槽MOSFET器件及屏蔽栅沟槽MOSFET器件的制备方法
    屏蔽栅沟槽MOSFET器件及屏蔽栅沟槽MOSFET器件的制备方法_上海芯导电子科技股份有限公司_202511054162.8
    本发明提供了一种屏蔽栅沟槽MOSFET器件及屏蔽栅沟槽MOSFET器件的制备方法，其中，外延层位于衬底上，外延层内具有第一沟槽；第一栅氧层位于第一沟槽的内壁面和外延层的表面；屏蔽栅位于第一沟槽内，屏蔽栅包括第一区、及位于第一区上的第二区；第...
    2025-11-29
  • 一种SiC功率MOSFET器件及其制备方法
    一种SiC功率MOSFET器件及其制备方法_北京大学_202511080116.5
    本发明提供了一种SiC功率MOSFET器件及其制备方法，涉及宽禁带半导体器件技术领域。当SiC功率MOSFET器件承受关态电压时，栅氧处会产生较大电场，在添加P型屏蔽帽后，P型屏蔽帽与N型漂移区会形成PN结，由于形成了PN结，其空间电荷区会...
    2025-11-29
  • 一种半导体结构及其制备方法、半导体器件
    一种半导体结构及其制备方法、半导体器件_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511373845.X
    本发明公开一种半导体结构及其制备方法、半导体器件，属于半导体技术领域。半导体结构包括：衬底，包括相对设置的第一表面和第二表面；凹槽，由第一表面向衬底内凹陷，且凹槽与衬底的交界面呈阶梯状；埋氧结构，包括第一埋氧区和多个第二埋氧区，第一埋氧区由...
    2025-11-29
  • 一种新型共漏双MOSFET器件及其制备方法
    一种新型共漏双MOSFET器件及其制备方法_杭州清芯微电子有限公司_202511404025.2
    本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种新型共漏双MOSFET器件及其制备方法，所述栅极的截面轮廓呈倒置的“凹”字形状，并且位于栅极的下方贯穿设置有离子注入层，单个所述MOS元胞中的离子注入层贯穿该半导体外延层，并将漏极、N衬底层和N扩...
    2025-11-29
  • 半导体器件、功率模块、功率转换电路、车辆和半导体器件的制备方法
    半导体器件、功率模块、功率转换电路、车辆和半导体器件的制备方法_武汉山拓微电子有限公司_202511066668.0
    本申请公开了一种半导体器件、功率模块、功率转换电路、车辆和半导体器件的制备方法，其中，半导体器件包括：半导体本体，半导体本体还包括栅极沟槽、源极沟槽、第一区域、第二区域和阱区；栅极沟槽位于源极沟槽的至少一侧，栅极沟槽与源极沟槽连通，且沿第一...
    2025-11-29
  • 沟槽型MOS结构及其形成方法、掩模板图形结构
    沟槽型MOS结构及其形成方法、掩模板图形结构_合肥皖芯集成电路有限公司_202511376124.4
    本发明提供沟槽型MOS结构及其形成方法、掩模板图形结构，通过在终端区栅极的表层设置与有源区栅极的表层的电阻率相同的重掺杂层，以使有源区栅极的电阻率和终端区栅极的电阻率相同。本发明意想不到的技术效果是，终端区栅极的表层增加了重掺杂层，终端区栅...
    2025-11-29
  • 绝缘体上硅半导体结构及其制造方法
    绝缘体上硅半导体结构及其制造方法_东南大学_202410471593.3
    本发明涉及一种绝缘体上硅半导体结构及其制造方法，所述结构包括横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，所述横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管包括：漂移区；掩埋介质层，至少部分位于漂移区下方；深阱，至少部分位于掩埋介质层下方；衬底，至少部分...
    2025-11-29
  • 一种沟槽栅MOS器件及其制备方法
    一种沟槽栅MOS器件及其制备方法_华润微电子(重庆)有限公司_202410472036.3
    本发明提供一种沟槽栅MOS器件及其制备方法，该沟槽栅MOS器件包括半导体结构、屏蔽层、体区、源区、接触区、沟槽结构、注入区及源/漏/栅极，其中，半导体结构包括衬底、漂移区及电流传输层；间隔设置的屏蔽层位于电流传输层中；体区位于屏蔽层与电流传...
    2025-11-29
  • 一种单片集成的PGaN栅控的Cascode结构GaN MOSFET
    一种单片集成的PGaN栅控的Cascode结构GaN MOSFET_西安电子科技大学_202510862188.9
    本发明公开了一种单片集成的PGaN栅控的Cascode结构GaN MOSFET，涉及半导体器件技术领域，将表面的第二P‑GaN层用作E‑mode器件的栅极区域，将刻蚀第一P‑GaN层、势垒层、沟道层和部分漂移层形成的沟槽用作D‑mode器件...
    2025-11-29
  • 高频、高可靠型SiC SGT-MOSFET及其制备方法
    高频、高可靠型SiC SGT-MOSFET及其制备方法_重庆大学_202511059585.9
    本发明涉及功率半导体技术领域，涉及高频、高可靠型SiC SGT‑MOSFET及其制备方法；其中，一种高频、高可靠型SiC SGT‑MOSFET包括第一导电类型碳化硅衬底、第一导电类型漂移区、屏蔽栅、控制栅、源极区、漏极区、第二导电类型体区和...
    2025-11-29
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