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拖动滑块完成拼图
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  • 本发明涉公开了一种改善水平脉冲电镀设备夹具导电装置,属于水平电镀设备技术领域,包括转盘、多个夹具主体和粉尘回收机构,多个所述夹具主体安装在转盘的四周,每个所述夹具主体上安装有滑块,所述转盘上的一侧设置有与滑块配合使用的铜缸导轨,通过将保护套...
  • 本发明公开了一种管体堵头电镀装置,涉及管体堵头加工技术领域。包括电镀池,所述电镀池的内部固定安装有安装座,所述安装座上固定安装有支撑柱,所述支撑柱的顶端固定安装有顶座,所述顶座上设置有循环组件,所述循环组件上固定安装有连接竖板,所述连接竖板...
  • 本发明提供了一种电镍金生产用电镀夹具,其包括:夹具组件、夹持机构和调节组件,夹具组件由主板和边板组成,主板背面固定安装有套板,边板背面与T型板固定连接,T型板活动套接至导向板内部,导向板与活动杆一端固定连接,且活动杆另一端与套板内部活动套接...
  • 一种间距可调的双夹点电镀夹具,所述间距可调的双夹点电镀夹具包括:可调节夹具模块,移动组件和联动模块,通过移动组件和联动模块的配合使用,可以自动带动滚轮式夹点单元进行移动,相对普通的夹具,在电镀过程中移动接触点,防止金属离子在同一位置持续沉积...
  • 本申请涉及自动刷镀技术领域,尤其是涉及一种刷镀机的智能检测与自适应控制装置,其包括工件尺寸检测模块、液体浓度检测模块、前进后退机构、升降机构、旋转机构及刷镀功能单元。通过集成智能检测传感器和实时控制系统,实现工件尺寸精准检测与镀层厚度动态调...
  • 本申请涉及表面处理技术领域,尤其是涉及一种五轴联动管体刷镀机及其智能控制系统,其包括设备本体、智能检测系统、运动系统、自动供液系统和智能控制系统。设备本体提供支撑与定位,智能检测系统自动获取工件尺寸并计算刷镀参数,运动系统通过五轴联动实现复...
  • 本发明涉及电镀液回收技术领域,具体为一种搅动式电镀液回收装置及其使用方法,包括回收箱和底板,回收箱的底部与底板固定连接,且回收箱的底部设置有用于回收磁性杂质的收集机构,底板的顶部设置有用于回收结晶物的蒸发机构,回收箱的顶部固定安装有驱动电机...
  • 本发明的公开了一种钨丝梯度协同电解抛光液、制备方法及电解抛光方法,所述电解抛光液包含以下质量浓度的组分:氢氧化钠 9‑12g/L、碳酸钠 3‑6g/L、柠檬酸钠 4‑6g/L、聚乙二醇600 0.5‑1.5g/L。本发明的电解抛光液为碱性,...
  • 本发明提供了一种提高半水硫酸钙晶须转化率、长径比的方法。本发明的提高半水硫酸钙晶须转化率、长径比的方法,通过向天然石膏中加入磷石膏所含杂质:磷酸根、氟离子、镁离子、铁离子,通过控制磷酸根质量含量为0~0.5%、氟离子质量含量为0~0.4%、...
  • 本发明涉及晶体生长技术领域,公开了一种溶液法晶体生长系统及晶体生长方法,溶液法晶体生长系统包括溶解装置、第一连接装置、第二连接装置、结晶装置、第一温控单元、第二温控单元和第三温控单元;溶解装置的出液口、第一连接装置、结晶装置、第二连接装置和...
  • 该发明提供一种单晶炉投料用硅料称重小车,包括底部安装行走轮的小车本体、硅料称重组件、顶部开口的硅料盛放箱及散料补偿箱,硅料称重组件设置在小车本体承载面上,硅料盛放箱设置在硅料称重组件顶部,硅料盛放箱中用于放置带外包装的整包硅料,硅料称重组件...
  • 本申请实施例提供一种单晶炉抽真空方法和装置。其中单晶炉抽真空方法包括:对单晶炉抽真空第一时长;向单晶炉内充入惰性气体第二时长,第一时长大于第二时长;在停止对单晶炉抽真空和/或者停止向单晶炉内充入惰性气体之后,检测单晶炉内的压力至少一次。本申...
  • 本申请供一种单晶炉和自动清洁方法,单晶炉包括:炉体,顶部有开口;炉盖,盖设并封闭开口,炉盖上开设有观察窗,观察窗包括开设在炉盖上的观察孔,和安装于观察孔内并用于封闭该观察孔的透明挡板;刮刀,可滑动贴设于透明挡板的第一侧;驱动组件,位于透明挡...
  • 本发明提供了一种掺杂设备及掺杂方法。掺杂设备包括:壳体,壳体具有容纳腔以及与容纳腔连通的安装开口;掺杂结构,掺杂结构的至少一部分活动设置在容纳腔内;驱动组件,驱动组件的至少一部分设置在容纳腔内并与掺杂结构驱动连接,以使掺杂结构的一端能够由安...
  • 本发明属于晶体生长技术领域,涉及到微米级单晶生长过程晶向实时调控方法及系统,其通过采集晶体生长界面区域的固有物理信号,生成原始信号数据,实现对晶体生长状态的实时微观监控,从所述原始信号数据中提取与晶向偏移关联的特征参数,生成晶向偏移特征向量...
  • 本发明涉及单晶硅制造技术领域,具体涉及一种新型引放方法,包括以下步骤:采用直拉法控制硅单晶生长;向熔体中引入具有特定晶向的籽晶;在熔料完成后,将加热器功率设定为引晶功率,保持炉内温度恒定;籽晶接触固液相接面,引晶时,对温度进行动态调控,使其...
  • 本申请公开的碳化硅晶体生长装置及方法,包括籽晶托、晶体生长限制件和坩埚,晶体生长限制件分别与籽晶托和坩埚连接,从靠近籽晶托至远离籽晶托的方向,晶体生长限制件包括籽晶容纳区、生长缓冲区和竖直生长区,籽晶位于籽晶容纳区,籽晶容纳区的高度与籽晶的...
  • 本申请涉及一种外延片的制备方法和外延片,其中,外延片的制备方法包括:提供衬底;执行分子束外延生长工艺,重复多个生长周期,以在衬底上形成外延叠层结构;其中,外延叠层结构包括多组沿生长方向堆叠的叠层单元,每个生长周期形成一组叠层单元,每组叠层单...
  • 本发明公开了一种Micro LED外延石墨载盘制造方法及系统,该方法包括:同步采集Micro LED晶圆的晶圆数据,构建晶圆坐标系;对同一位置坐标点对应的PL波长与COT波长进行加权计算,输出三维点云数据集并存储以得到目标数据;读取目标数据...
  • 本发明涉及半导体技术领域,公开了一种晶片外延生长用承载盘,包括盘体、盖板、调节组件和定位机构,盘体的上部开设有若干个凹槽,凹槽内设置有承载块,用于对放置进凹槽内的晶片进行承载,盘体的内部开设有空腔和若干个安装口,且若干个安装口均与空腔连通,...
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