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一种晶圆盘上料装置
本发明涉及固晶设备技术领域,公开一种晶圆盘上料装置,具有两两垂直的第一方向、第二方向和第三方向,包括承载机构,承载机构包括承载板、第一限位件、第二限位件和第三限位件,承载板的厚度方向平行于第三方向,承载板在第一方向上的一端固定连接第一限位件...
静电吸盘
提供一种能够防止在供电端子上发生放电的静电吸盘。静电吸盘(10)具备:电介体基板(100),具有包含放置面的第1部分(101)和从第1部分(101)的外周端进一步向外周侧突出的第2部分(102);内部电极(140),被设置在第2部分(102...
承载组件及晶圆清洗设备
本申请公开一种承载组件及晶圆清洗设备,涉及半导体制备技术领域,所公开的承载组件包括承载盘、驱动组件、多个夹持轴和多个第一弹性件;承载盘的周向间隔设有多个轴孔,夹持轴一一对应设于轴孔内,夹持轴具有用于夹持晶圆的第一位置和松脱晶圆的第二位置,第...
一种晶圆承托装置及定位方法
本发明涉及一种晶圆承托装置及定位方法,用于对待加工晶圆定位调平,包括承托单元,其包括承托板和导向块,所述导向块沿第一方向延伸设置于所述承托板,所述导向块设有限位部,所述待加工晶圆可拆卸装配于所述承托板;定位调平单元,其包括底座、水平定位模块...
一种防偏移的固晶机固晶定位夹具及固晶机
本发明涉及固晶夹具领域,公开了一种防偏移的固晶机固晶定位夹具及固晶机,定位夹具包括切换机构、夹持组件、定位控制组件及调节组件,夹持组件包括固定安装在第三安装盒内部的隔板;驱动块通过定位控制组件安装在第三安装盒内,并与第三安装盒连接;第一弹簧...
一种芯片制造加工用的封装装置
本发明公开了一种芯片制造加工用的封装装置,涉及芯片制造加工技术领域,该芯片制造加工用的封装装置包括封装台,所述封装台的顶部固定安装有滑架,所述滑架的内壁滑动安装有封装板一,所述封装板一的顶部固定贯穿有封装液注口,所述滑动板滑动安装在封装台的...
半导体器件隔离结构及其制造方法
本发明涉及一种半导体器件隔离结构及其制造方法,尤其涉及一种通过在形成有深沟槽隔离(DTI)区的基板内的埋层下部形成离子注入区,可以缓解所述深沟槽隔离(DTI)区与埋层彼此接触或相邻的一侧上的电场集中,从而提升其隔离特性的半导体器件隔离结构及...
空腔绝缘体上硅片及其制备方法
本发明提供了一种空腔绝缘体上硅片及其制备方法,该方法包括:提供第一硅片和第二硅片;在第一硅片的键合面上形成绝缘层;在目标位置形成空腔结构,目标位置全部位于第二硅片,或部分位于第二硅片并延伸贯穿绝缘层,或部分位于第二硅片并延伸贯穿绝缘层至第一...
一种接触孔结构形成方法及接触孔结构和功率器件
本发明公开了一种接触孔结构形成方法及接触孔结构和功率器件,方法包括:在衬底的表面上依次形成第一介质层、缓冲介质层和第二介质层;采用光刻和干法刻蚀工艺,在第二介质层的表面上形成底部进入衬底中的过渡接触孔结构;采用湿法去胶工艺,去除剩余的光刻胶...
半导体结构及其制备方法、芯片、电子设备
本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、芯片、电子设备,涉及半导体芯片技术领域,旨在解决如何降低制备互连结构的工艺难度。该半导体结构的制备方法包括:形成中间半导体结构;中间半导体结构包括初始绝缘结构,初始绝缘结构设有沟槽,沟槽由初始绝缘结构...
半导体器件的形成方法、半导体器件和电子装置
本申请涉及半导体器件结构的形成方法、半导体器件结构和电子装置,该半导体器件结构包括:提供半导体结构,半导体结构包括衬底、形成在衬底上的占位结构和外延层、形成在外延层上的器件结构,对衬底进行减薄处理,直到暴露占位结构,去除占位结构,得到占位结...
互连结构和形成半导体结构的方法
形成半导体结构的方法包括:在第一介电层中形成导电部件,在导电部件上方沉积第二介电层,在第二介电层中形成第一开口以暴露导电部件的顶面,在导电部件的顶面上选择性地沉积抑制剂膜,在第一开口的侧壁上沉积介电阻挡层,去除抑制剂膜以暴露导电部件的顶面,...
孔填充方法及半导体器件
本发明涉及半导体技术领域,具体而言,涉及一种孔填充方法及半导体器件。其中,孔填充方法包括:提供含有待填充孔的半导体基底;在所述待填充孔内表面形成钨成核层;向反应腔通入隔离气体,以使所述隔离气体吸附于所述钨成核层表面;在所述钨成核层表面继续进...
半导体器件单切的方法和半导体器件
本公开涉及半导体器件单切的方法和半导体器件。提出一种半导体器件单切的方法。所述方法包括:在半导体器件衬底(102)之上形成缓冲涂覆层(104),半导体器件衬底(102)包括沿侧向由锯口区域(108)分离的半导体器件。缓冲涂覆层(104)在锯...
一种非对称玻璃基板的封装结构及方法
本发明涉及芯片封装技术领域,具体地说是一种非对称玻璃基板的封装结构及方法。包括玻璃基板,所述的玻璃基板包括玻璃芯板、介质层、第一芯片,玻璃芯板内设有芯片槽,芯片槽内贴装第一芯片,位于玻璃芯板两侧表面分别设有介质层,介质层、玻璃芯板内分别设有...
封装加强件、半导体器件的封装结构、方法及通信设备
本申请实施例提供一种封装加强件、半导体器件的封装结构、方法及通信设备,其中,所述半导体器件的封装结构,包括:基板;至少一个芯片,位于所述基板上;封装加强件,位于所述基板上,且所述封装加强件的壁状结构包括第一壁状结构,以使第一壁状结构、顶面结...
薄膜芯片封装结构及封装方法、晶圆封装结构及封装方法
一种薄膜芯片封装结构及封装方法、晶圆封装结构及封装方法,包括:在功能面上形成第一封装层,第一封装层内具有若干第一凹槽;在第一封装层表面和若干第一凹槽内形成金属层;在金属层表面形成第二封装层;在第二封装层内形成位于各薄膜芯片区上的若干第二凹槽...
半导体封装组件及其制备方法
一种半导体封装组件及其制备方法,其中,该封装组件包括钝化层、导电层、芯片、第一封装层和第二封装层。导电层设置于钝化层中,且导电层的至少部分部位漏出于钝化层。芯片与导电层电连接。第一封装层连接于钝化层,且包覆于芯片的表面。第二封装层包覆于第一...
半导体装置中的屏障
本公开的实施例涉及半导体装置中的屏障。提供用于实施半导体封装或芯片封装的新颖工具及技术,且更特定来说,提供用于实施包含用以形成禁入区或禁出区的一或多个屏障的半导体封装或芯片封装的方法、系统及设备。在各种实施例中,系统包含衬底,所述衬底包含第...
一种嵌入式扇出封装方法及其封装结构
本发明提供了一种嵌入式扇出封装方法及其封装结构,制备方法包括S1:制造共烧陶瓷嵌入基板,基板设置有若干贯穿基板的贯通腔,贯通腔下部分厚度大于芯片厚度,贯通腔上部分面积大于贯通腔下部分;S2:使用临时键合膜将共烧陶瓷嵌入基板键合在临时键合基板...
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