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最新专利技术
  • 一种嵌入式扇出封装方法及其封装结构
    一种嵌入式扇出封装方法及其封装结构_上海航天电子通讯设备研究所_202511051794.9
    本发明提供了一种嵌入式扇出封装方法及其封装结构，制备方法包括S1：制造共烧陶瓷嵌入基板，基板设置有若干贯穿基板的贯通腔，贯通腔下部分厚度大于芯片厚度，贯通腔上部分面积大于贯通腔下部分；S2：使用临时键合膜将共烧陶瓷嵌入基板键合在临时键合基板...
    2025-11-30
  • 一种半导体封装结构及其形成方法
    一种半导体封装结构及其形成方法_湖北江城芯片中试服务有限公司_202511092161.2
    本公开实施例公开了一种半导体封装结构及其形成方法。半导体封装结构包括：晶圆、多个晶粒、介质层和有机软膜。多个晶粒键合于晶圆上。介质层填充于相邻晶粒的侧表面之间。有机软膜填充于介质层和晶粒的侧表面之间，且覆盖相邻晶粒的侧表面。
    2025-11-30
  • 一种半桥模块的叠装结构及其制造工艺
    一种半桥模块的叠装结构及其制造工艺_黄山学院_202511096769.2
    本发明公开了一种半桥模块的叠装结构及其制造工艺，该半桥模块包含第一芯片组和第二芯片组，两组芯片在同一平面内分别沿圆心一致、半径不同的外圆形和内圆形均匀排列，且彼此交错。两组芯片通过与上下两块圆形覆铜陶瓷板互连，实现半桥电路拓扑。半桥模块的制...
    2025-11-30
  • 一种3D封装结构及其封装方法
    一种3D封装结构及其封装方法_华天科技(江苏)有限公司_202511193106.2
    本发明提供了一种3D封装结构，其可减少无源器件在基板侧的占位，增加无源器件的可放置区域，增加了芯片的集成度，且能缩短无源器件到芯粒的距离，提高封装的互联可靠性和组装性。其包括：塑封层；芯粒；钝化层；金属重布层；以及至少两个无源器件，其包括位...
    2025-11-30
  • 一种半导体封装结构及其制作方法、电子设备
    一种半导体封装结构及其制作方法、电子设备_成都奕成集成电路有限公司_202511225305.7
    本申请提供一种半导体封装结构及其制作方法、电子设备，半导体封装结构包括：基板；位于基板一侧的目标芯片；位于基板靠近目标芯片的一侧且包裹目标芯片的第一封装层，目标芯片远离基板的一侧与第一封装层齐平；位于第一封装层远离基板的一侧的加强环，其中，...
    2025-11-30
  • 封装结构
    封装结构_南亚科技股份有限公司_202411361168.5
    本发明公开一种封装结构。此封装结构包括一电子装置以及一散热体结构。该散热体结构设置于该电子装置之上，且包括：一基部部分、多个热通孔以及一导热层。该多个热通孔延伸穿过该基部部分。该导热层设置在该基部部分与该电子装置之间。该多个热通孔通过该导热...
    2025-11-30
  • 包括散热结构的封装结构及其制备方法
    包括散热结构的封装结构及其制备方法_南亚科技股份有限公司_202411510565.4
    本公开提供一种封装结构及其制备方法。该封装结构包括一电子元件和一散热结构。该散热结构设置于该电子元件之上，且包括一基部、多个热通孔、和一导热层。该些热通孔延伸穿过该基部。该导热层内埋于该基部中并连接至该些热通孔。该些热通孔通过该导热层热连接...
    2025-11-30
  • 用于冷却功率半导体部件的冷却单元
    用于冷却功率半导体部件的冷却单元_罗伯特·博世有限公司_202510672620.8
    本发明涉及一种用于冷却功率半导体部件的冷却单元。该冷却单元包括入口元件、出口元件以及带有冷却通道的壳体元件，其中，冷却通道设置为将冷却介质从入口元件导引至出口元件。此外，冷却单元包括布置在壳体元件中的流体导引元件。该流体导引元件设置为形成具...
    2025-11-30
  • 封装结构及其制造方法
    封装结构及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202510824382.8
    本发明公开一种封装结构及其制造方法。此封装结构包括一电子装置以及一散热体结构。该散热体结构设置于该电子装置之上，且包括：一基部部分、多个热通孔以及一导热层。该多个热通孔延伸穿过该基部部分。该导热层设置在该基部部分与该电子装置之间。该多个热通...
    2025-11-30
  • 一种封装结构、电子设备及芯片封装方法
    一种封装结构、电子设备及芯片封装方法_华为技术有限公司_202510928790.8
    本申请提供了一种封装结构、电子设备及芯片封装方法，该封装结构包括：基板、芯片、支撑部和导热盖板；芯片安装于基板表面，导热盖板设置于芯片背离基板的一侧；导热盖板朝向基板的表面具有与芯片相对的填充区域，填充区域有开口朝向基板的容纳槽，芯片与容纳...
    2025-11-30
  • 一种具有倾斜阶梯通道结构的两相微通道冷板
    一种具有倾斜阶梯通道结构的两相微通道冷板_南京理工大学_202511146279.9
    本发明公开了一种具有倾斜阶梯通道结构的两相微通道冷板，包括：基板与盖板，基板具有多个纵向间隔布置的微通道单元；每个微通道单元具有多个同中心横向连接的通道槽孔；通道槽孔的底面为倾斜面，使得相邻通道槽孔在连接位置处存在阶梯结构；盖板密封连接在基...
    2025-11-30
  • 功率模块的热传递
    功率模块的热传递_半导体元件工业有限责任公司_202511158663.0
    本发明题为“功率模块的热传递”。在一个一般方面，本发明公开了一种装置，所述装置可包括具有半导体管芯的模块。所述装置可包括散热器，所述散热器耦接到所述模块并且包括衬底和多个凸起。所述装置可包括具有通道的盖，其中所述散热器的所述多个凸起设置在所...
    2025-11-30
  • 一种多芯片塑封微电路模块的异形散热组件
    一种多芯片塑封微电路模块的异形散热组件_西安微电子技术研究所_202511162270.7
    本发明公开一种多芯片塑封微电路模块的异形散热组件，该异形散热组件包括母散热片以及与所述母散热片连接的若干子散热片。本发明采用“母散热片+子散热片”的分体式结构，子散热片可独立布置于发热器件上方，仅覆盖关键散热区域，无需整体覆盖模块；母散热片...
    2025-11-30
  • 一种适用于高功率密度散热的高效换热器
    一种适用于高功率密度散热的高效换热器_浙大宁波理工学院_202511228982.4
    一种适用于高功率密度散热的高效换热器，属于散热技术领域。包括冷端和热端，热端与发热体接触，在冷端布置有散热器，在冷端和热端之间形成导热循环，其特征在于：在冷端和热端之间设置有导热通道，在导热通道的内部填充有具有毛细结构的填充层(6)。在本申...
    2025-11-30
  • 一种高功率芯片相变散热结构及制备方法
    一种高功率芯片相变散热结构及制备方法_上海航天电子通讯设备研究所_202510989600.3
    本发明提供一种高功率芯片相变散热结构及制备方法，通过优化的散热结构实现相变材料与芯片和盒体基板的一体化封装。采用带倒角的导流柱设计，当低温焊料熔化时过渡载板和导流柱受重力作用向下移动，将界面的空气排出，并在恢复室温时实现导流柱与相变材料的良...
    2025-11-30
  • 用于高速信令的包含具有通孔集群的衬底的微电子组装件
    用于高速信令的包含具有通孔集群的衬底的微电子组装件_英特尔公司_202510473674.1
    本公开的发明名称是“用于高速信令的包含具有通孔集群的衬底的微电子组装件”。本文公开了微电子组装件、相关装置和方法。在一些实施例中，微电子组装件可包含具有第一层的衬底，该第一层包含在衬底的第一表面处的第一传导焊盘；第二层，与第一层相邻，包含第...
    2025-11-30
  • 肖特基势垒二极管及其制造方法
    肖特基势垒二极管及其制造方法_润西微电子(重庆)有限公司_202410659290.4
    本发明涉及一种肖特基势垒二极管及其制造方法，所述肖特基势垒二极管包括：半导体层；势垒金属层，位于所述半导体层上、且与所述半导体层直接接触；阳极金属接触层，位于所述势垒金属层上，所述阳极金属接触层包括金层；钝化层，包围所述势垒金属层的侧壁，所...
    2025-11-30
  • 导线架与封装结构
    导线架与封装结构_常忆科技股份有限公司_202410645748.0
    一种导线架与封装结构，封装结构包含一导线架、至少一半导体芯片及一塑胶封装材料。导线架包含一芯片座及多个引脚，其中引脚分别位于导线架的二侧。半导体芯片设置于导线架的芯片座上。塑胶封装材料设置于导线架上。引脚中至少一者具有一主体部与一延伸部，且...
    2025-11-30
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_住友电工光电子器件创新株式会社_202510469229.8
    本公开涉及半导体装置及其制造方法。本公开提供一种能提高基底部与树脂封固部的密合性的半导体装置。半导体装置具备：基底部(12)，至少上表面是金属；一个或多个部件，隔着第一导电性构件(16)安装于所述基底部上，包括半导体芯片；第二导电性构件(1...
    2025-11-30
  • 基板结构
    基板结构_欣兴电子股份有限公司_202410638331.1
    本揭露提供一种基板结构。基板结构包括基板及导孔。基板具有彼此相对的第一表面及第二表面。导孔设置于基板中并沿着第一方向贯穿基板，其中导孔包括第一导电组件及第二导电组件。第一导电组件邻近基板的第一表面，其中第一导电组件包括第一晶种层及第一导电部...
    2025-11-30
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