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最新专利技术
  • 显示器和热管理系统
    显示器和热管理系统_库奥里公司_202480031331.3
    公开了一种显示器(100, 600)，显示器包括：壳体(102, 602)，壳体具有框架(106)和附接到框架的第一窗口(104, 604)；第一显示元件(108, 608)，第一显示元件布置在壳体中，面向第一窗口，平行于第一窗口并且通过第...
    2025-12-17
  • 用于三维动态随机存取存储器(DRAM)的储存节点接触(SNC)接合面形成
    用于三维动态随机存取存储器(DRAM)的储存节点接触(SNC)接合面形成_应用材料公司_202480026985.7
    本文的实例系关于三维(3D)动态随机存取记忆体(DRAM)及对应的方法。在一实例中，提供了堆叠半导体结构，其中此堆叠半导体结构包括形成在基板上的复数个单元堆叠。每个单元堆叠具有半导体层、第一介电层、第一闸电极，及电容器部分的第二介电层。此电...
    2025-12-17
  • 用于4F2的双功函数字线
    用于4F2的双功函数字线_应用材料公司_202480027580.5
    本技术一般涉及垂直单元阵列晶体管(VCAT)和形成这种VCAT的方法。VCAT包括在第一水平方向上布置的一条或多条位线、在第二水平方向上布置的一条或多条字线、以及一个或多个沟道，所述一个或多个沟道在与第一方向和第二水平方向大体上正交的垂直方...
    2025-12-17
  • 用于NAND设备的字线触点形成
    用于NAND设备的字线触点形成_应用材料公司_202480020772.3
    所公开的是用于形成3D NAND设备的字线触点的方法。方法可以包括：提供交替的第一层和第二层的薄膜叠层；在所述薄膜叠层上形成第一平板印刷掩模；以及执行交替的平板印刷和蚀刻过程的第一系列，以在所述薄膜叠层中形成触点开口对阵列，其中在每个蚀刻过...
    2025-12-17
  • 具有导电势垒结构的集成装置
    具有导电势垒结构的集成装置_德州仪器公司_202480027694.X
    本说明书大体上涉及具有导电势垒结构的集成装置。在实例中，半导体装置(200)包含衬底(202)、导电势垒结构(206)、沟道层(208)、势垒层(210)和栅极(222)。所述衬底具有第一半导体材料。所述导电势垒结构在所述衬底上。所述沟道层...
    2025-12-17
  • 显示装置
    显示装置_夏普显示科技株式会社_202380098031.2
    TFT层(30a)中，每个子像素设置有具有多晶硅构成的第一半导体层(12a)的第一TFT(9A)、具有氧化物半导体构成的第二半导体层(17a)的第二TFT(9B)、以及具有氧化物半导体构成的第三半导体层(17b)的第三TFT(9C)，在第二...
    2025-12-17
  • 氮化物半导体器件
    氮化物半导体器件_松下控股株式会社_202480031057.X
    氮化物半导体器件(1)具备基板(10)、漂移层(12)、p型的阻挡层(14)、基底层(16)、纵导通开口部(20)、电子渡越层(22)及电子供给层(24)、在电子供给层(24)的上方设置于在基板(10)的俯视时与纵导通开口部(20)的底面(...
    2025-12-17
  • 在非有源栅极区中采用应变材料施加沟道应变以增加载流子迁移率的全环栅(GAA)场效应晶体管(FET)器件和相关制造方法
    在非有源栅极区中采用应变材料施加沟道应变以增加载流子迁移率的全环栅(GAA)场效应晶体管(FET)器件和相关制造方法_高通股份有限公司_202480026367.2
    一种全环栅(GAA)场效应晶体管(FET)器件在栅极的非有源栅极区中采用应变材料结构向GAA FET的沟道施加沟道应变以增加载流子迁移率。GAA FET器件包括由栅极供应的GAA P型FET(PFET)和GAA N型FET(NFET)，其中...
    2025-12-17
  • 用于背侧功率输送的隔离模组
    用于背侧功率输送的隔离模组_应用材料公司_202480026955.6
    一种形成全环绕栅极场效应晶体管(GAA FET)的一部分的方法包括在基板的被浅沟槽隔离(STI)隔离的部分中形成的凹槽中形成预留位置，每个预留位置经由帽层与延伸区域介接，所述凹槽延伸到在基板上形成的层间电介质(ILD)中；相对于基板、帽层和...
    2025-12-17
  • 三维(3D)双互补电路结构和相关制造方法
    三维(3D)双互补电路结构和相关制造方法_高通股份有限公司_202480029282.X
    一种3D双互补电路结构包括第一叉片结构，该第一叉片结构在第一方向上堆叠在第二叉片结构的第一侧上以在单个叉片结构的空间中提供两个互补电路。分隔墙将第一叉片结构中的至少一个半导体板二等分为具有第一半导体类型的第一板部分和具有第二半导体类型的第二...
    2025-12-17
  • 具有可在光伏模式下操作的光电二极管的电磁辐射传感器器件
    具有可在光伏模式下操作的光电二极管的电磁辐射传感器器件_爱视近红外公司_202480030010.1
    描述了一种电磁辐射传感器器件(10)，包括：第一光电二极管(PD1)，包括具有第一禁带的第一半导体并具有连接到地(GND)的第一端子(A1)、和第二端子(C1)；第二光电二极管(PD2)，包括具有第二禁带的第二半导体并具有连接到读出端子(S...
    2025-12-17
  • 制造太阳能电池装置以减少活性层损坏
    制造太阳能电池装置以减少活性层损坏_应用材料公司_202480027340.5
    一种方法包括获得串联太阳能电池装置的基础结构，以及使用低损坏溅射沉积(LDSD)工艺在基础结构上形成透明导电氧化物(TCO)层。LDSD工艺包括旋转面向溅射沉积工艺。
    2025-12-17
  • 光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件的方法
    光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件的方法_艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司_202480030776.X
    提出一种光电子半导体器件(1)，其包括半导体层序列(10)，所述半导体层序列包括：缓冲层(11)，其具有三维结构，所述三维结构具有部分合并区域(111)，其中部分合并区域(111)具有凹陷部(113)；第一导电类型的第一半导体层(13)，其...
    2025-12-17
  • 半导体发光装置
    半导体发光装置_斯坦雷电气株式会社_202480030616.5
    本发明公开了一种半导体发光装置，该半导体发光装置使用插入有金属芯的纤维增强树脂基板，并防止在纤维增强树脂基板和粘接用树脂材料之间的边界处发生剥离。该半导体发光装置具有基板、搭载在基板上的半导体发光元件、以及设置在基板上以填充半导体发光元件周...
    2025-12-17
  • 堆叠的光电μ-IC器件
    堆叠的光电μ-IC器件_艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司_202480031192.4
    本发明涉及光电器件，该光电器件包括：第一集成电路，其包括第二接触垫以及用于电接触和/或操作光电器件的第一接触垫；第二集成电路，该第二集成电路布置在第一集成电路上，包括电耦接至第二接触垫中的至少一些的至少第三接触垫；以及光电部件，该光电部件布...
    2025-12-17
  • 发光组件及其制备方法、显示基板
    发光组件及其制备方法、显示基板_京东方科技集团股份有限公司_202480000623.0
    本申请公开了一种发光组件及其制备方法、显示基板，涉及显示技术领域。发光组件包括发光单元和驱动单元。发光单元中的第一电极和驱动单元中的第三电极电连接，发光单元中的第二电极和驱动单元中的第四电极电连接。由此使得驱动单元可以为发光单元提供驱动信号...
    2025-12-17
  • 一种显示基板及显示装置
    一种显示基板及显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202480000564.7
    本公开提供了一种显示基板及显示装置，其中，显示基板包括：基底以及位于所述基底上的多个发光像素；各个所述发光像素包括多个发光子像素；各个所述发光子像素包括位于相应区域的微发光器件以及与所述微发光器件通过电路输出点耦接的像素驱动电路；在同一个发...
    2025-12-17
  • 光电子器件和具有光电子器件的照明设备
    光电子器件和具有光电子器件的照明设备_艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司_202480030215.X
    提供一种光电子器件，其具有第一像素元件、第二像素元件以及用于第一和第二像素元件的共同的成像光学装置，其中第一像素元件相对于成像光学装置具有第一像距，并且其中第二像素元件相对于成像光学装置具有与第一像距不同的第二像距。此外，提供一种具有光电子...
    2025-12-17
  • 光电转换元件的制造方法、光电转换元件及光电转换材料
    光电转换元件的制造方法、光电转换元件及光电转换材料_松下知识产权经营株式会社_202480029976.3
    本公开的光电转换元件的制造方法包括形成第一电极的步骤、形成光电转换层的步骤和形成第二电极的步骤。形成所述光电转换层的工序包括下述步骤：在钙钛矿化合物的前体溶液中混合溶解有选自鏻盐及锍盐中的至少一个的溶液而制备混合溶液；及使用所述混合溶液形成...
    2025-12-17
  • 有机电致发光元件、电子设备及化合物
    有机电致发光元件、电子设备及化合物_出光兴产株式会社_202480030945.X
    一种有机电致发光元件(1)，具有阳极(3)、阴极(4)、包含于阳极(3)与阴极(4)之间的发光层(5)，发光层(5)包含以通式(1)表示的化合物M3与延迟荧光性的化合物M2，化合物M3的单重态能量S1(M3)与化合物M2的单重态能量S1(M...
    2025-12-17
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